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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1484245A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN03127772.1
申请日：2003-08-12
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 浅尾吉昭
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 半导体集成电路器件包含：根据第一列选择信号(CSL0)把第一位线群(2－0)电连接在数据线群(1)上的第一列选通电路(CG0)、根据第二列选择信号(CSL1)把第二位线群(2－1)电连接在数据线群(1)上的第二列选通电路(CG1)、与位线(BL)交叉的字线(WWL)、电连接在位线(BL)上并且由字线(WWL)选择的包含磁阻元件(12)的存储单元(10)。磁阻元件(12)的自旋方向从平面观察垂直于位线(BL)。
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公开(公告)号：CN1469387A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03149408.0
申请日：2003-06-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明提供一种磁随机存取存储器，能够通过对具有理想的星状曲线的TMR元件，同时使困难轴方向的磁场H1和容易轴方向的磁场H2作用，使TMR元件的存储层的磁化方向反转。在实际的星状曲线向困难轴方向仅偏差Ho的情况下，通过在写入动作时，使所修正的合成磁场H1+H2+Ho产生，来可靠地进行磁场反转。通过基于所编程的设定数据，对写入字/位线电流个别进行控制，就能够容易地生成所修正的合成磁场。
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公开(公告)号：CN1433021A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN03102768.7
申请日：2003-01-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 提供一种磁存储器。其中备有：具有磁记录层的磁阻效应元件(C)；以及在上述磁阻效应元件的上面或下面沿第一方向延伸的第一布线(BL、WL)，利用使电流流过上述第一布线而形成的磁场，使上述磁记录层的磁化沿规定的方向变化来记录信息，该磁存储器的特征在于：上述第一布线在其两个侧面的至少任意的一个侧面上有由磁性体构成的覆盖层(SM)，上述覆盖层沿着上述第一布线的纵向有容易磁化的单轴各向异性(M)。
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公开(公告)号：CN1417803A
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN02156356.X
申请日：2002-11-07
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 浅尾吉昭
CPC classification number: H01L31/02164 , H01L31/18
Abstract: 一种磁存储器，包括：备有第1半导体层、在该第1半导体层上边形成的第1绝缘膜、和该第1绝缘膜上边形成的第2半导体层的SOI衬底；具有从上述第2半导体层表面到达上述第1绝缘膜的深度并在上述第2半导体层内选择地形成的元件隔离绝缘膜；在上述第2半导体层上形成的开关元件；与上述开关元件连接的磁阻效应元件；在上述磁阻效应元件下方，与上述磁阻效应元件分离地配置并在第1方向延伸的第1布线；以及在上述磁阻效应元件上边形成、且在与上述第1方向不同的第2方向延伸的第2布线。
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公开(公告)号：CN1379472A
公开(公告)日：2002-11-13
申请号：CN02119813.6
申请日：2002-03-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C5/025 , B82Y10/00 , G11C5/02 , G11C11/16 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L28/20 , H01L43/08
Abstract: 一种半导体存储装置,包括存储单元部和外围电路部。上述存储单元部具有:在第1方向延伸的第1布线;配置在上述第1布线上方并在第2方向延伸的第2布线;在上述第1和第2布线间配置的第3布线;以及配置上述第1和第2布线的交点上并连接上述第2和第3布线的第1磁电阻效应元件。上述外围电路部具有:第4布线;配置在上述第4布线上方的第5布线;以及配置在上述第4和第5布线间,连接上述第4和第5布线,并作为电阻元件、熔丝元件或接点使用的第2磁电阻效应元件。
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