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公开(公告)号：CN102227809A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200980148165.0
申请日：2009-12-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明的非易失性存储元件具备：第一电极(103)；第二电极(109)；和电阻变化层(106)，其配置在第一电极和第二电极之间，基于施加于第一电极和第二电极之间的电信号，电阻值可逆地变化；第一电极和第二电极中的至少一个具备含有铂的含铂层(107)，电阻变化层至少具备不与含铂层物理接触的第一氧不足型过渡金属氧化物层(104)和配置在第一氧不足型过渡金属氧化物层与含铂层之间的、与含铂层物理接触的第二氧不足型过渡金属氧化物层(105)，将第一氧不足型过渡金属氧化物层中所含的氧不足型过渡金属氧化物表示为MOx、将第二氧不足型过渡金属氧化物层中所含的氧不足型过渡金属氧化物表示为MOy时，满足x＜y，含铂层的膜厚为1nm以上23nm以下，与电阻变化层物理接触。
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公开(公告)号：CN102077348A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201080001974.1
申请日：2010-04-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0002 , G11C2213/72 , H01L27/24
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和具备该非易失性存储元件的半导体存储装置。该非易失性存储装置即使在某个非易失性存储元件产生不良的情况下，也能够有效防止对于与不良的非易失性存储元件同一行或同一列的其他非易失性存储元件无法进行写入、读出。该非易失性存储元件，包括：具有非线性的电流-电压特性的电流控制元件(112)；基于施加的电压脉冲在低电阻状态和电阻值比低电阻状态高的高电阻状态之间可逆地转换的电阻变化元件(105)；和熔断器(103)。电流控制元件(112)、电阻变化元件(105)和熔断器(103)串联连接。熔断器(103)在电流控制元件(112)实质上成为短路状态时断开。
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公开(公告)号：CN102017145A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980114976.9
申请日：2009-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 提供以低的击穿电压来能够进行稳定的电阻变化工作的非易失性存储元件。非易失性存储元件(100)包括第一电极(103)、第二电极(105)、以及电阻变化层(104)，电阻变化层(104)介于两个电极(103以及105)之间，根据提供到两个电极(103以及105)之间的电压的极性，在高电阻状态与低电阻状态之间进行可逆转移。电阻变化层(104)由包含第一过渡金属的氧化物的第一氧化物层(104a)和包含与第一过渡金属不同的第二过渡金属的氧化物的第二氧化物层(104b)层叠而构成。第二过渡金属的标准电极电位比第一过渡金属的标准电极电位小，而且，满足以下的(1)以及(2)之中的至少一方，(1)第二氧化物层(104b)的介电常数比所述第一氧化物层(104a)的介电常数大，以及(2)第二氧化物层(104b)的带隙比第一氧化物层(104a)的带隙小。
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公开(公告)号：CN101689548A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200980000538.X
申请日：2009-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件、非易失性存储装置和向非易失性存储元件的数据写入方法。本发明的非易失性存储元件包括第一电极(503)、第二电极(505)、和介于第一电极与第二电极之间的电阻变化层(504)，第一电极与第二电极间的电阻值根据施加于第一电极与第二电极之间的正负两极性的电信号可逆地发生变化，其中，电阻变化层包含氧不足型的铪氧化物，第一电极和第二电极由不同的元素构成，构成第一电极的元素的标准电极电位V1、构成第二电极的元素的标准电极电位V2、和铪的标准电极电位V0的关系，满足V1＜V2且V0＜V2。
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公开(公告)号：CN1763985A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510114028.9
申请日：2005-10-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/08
CPC classification number: H03K19/1776 , G11C13/0007 , G11C19/00 , G11C2213/31 , G11C2213/52 , H01L45/04 , H01L45/1206 , H01L45/122 , H01L45/145 , H01L45/147 , H03K19/17736 , H03K19/1778
Abstract: 本发明的可变电阻器件包括可变电阻层。可变电阻层由具有根据施加的电场而变化的电阻并在以非易失性方式变化之后保持电阻的材料制成。提供给可变电阻层的是四个相互独立的电极。其中，两个电极构成控制电极对，而余下的两个电极构成读出电极对。形成控制电极对用于将电场施加到可变电阻层。另一方面，形成读出电极对作为使用电阻中的变化的数据路径。
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