-
公开(公告)号：CN102124564A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200980131777.9
申请日：2009-07-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/0688 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种具有在字线与位线的交点部分的接触孔内形成存储元件的交叉点构造、并能够实现微细化和大容量化的非易失性半导体存储装置及其制造方法。非易失性半导体存储装置包括：基板；形成在基板上的多个条纹形状的下层铜配线(70)；形成在包含下层铜配线(70)的基板上的层间绝缘层(76)；以贯通至下层铜配线(70)的表面的方式形成在层间绝缘层(76)的多个接触孔；仅形成在接触孔的底部的电极种子层(77)和贵金属电极层(78)；与贵金属电极层(78)连接、并埋入形成在接触孔内的电阻变化层(73)；以及与电阻变化层(73)连接、并与下层铜配线(70)交叉的多个具有条纹形状的上层铜配线(74)，电极种子层(77)和贵金属电极层(78)通过选择性成长镀形成。
-
公开(公告)号：CN101636841B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200780052299.3
申请日：2007-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/76 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147
Abstract: 本发明提供存储元件和存储装置。以矩阵状配置于存储装置(21)的存储元件(3)包括：通过施加极性为正或负的电脉冲，其电阻值变化，并且维持该变化后的电阻值的电阻变化元件(1)；和抑制在对上述电阻变化元件施加上述电脉冲时流动的电流的电流抑制元件(2)，上述电流抑制元件具有：第一电极、第二电极、和配置在上述第一电极与上述第二电极之间的电流抑制层，上述电流抑制层由SiNx(x为正实数)构成。
-
公开(公告)号：CN101542727B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200780038564.2
申请日：2007-10-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件阵列及其制造方法。在半导体芯片的基板(26)上形成有下部电极(22)，下部电极(22)的上部被第一层间绝缘膜(27)覆盖。在该下部电极(22)上构成有贯通第一层间绝缘膜(27)而形成的第一接触孔(28)，构成可变电阻膜(24)的低电阻层(29)被埋入第一接触孔(28)中。进一步，在第一层间绝缘膜(27)和低电阻层(29)之上形成有高电阻层(30)，可变电阻膜(24)构成为包括各一层该高电阻层(30)和低电阻层(29)的多层的电阻层。进一步，构成存储部(25)的低电阻层(29)至少与邻接的存储部(25)分离。
-
公开(公告)号：CN101911295A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880122873.2
申请日：2008-12-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供非易失性半导体存储装置和其制造方法。在该非易失性半导体存储装置中，包含第一存储器配线(12)的第一配线层(19)，利用贯通第一层间绝缘层(13)而形成的第一接触部(21)，与包含第二存储器配线(17)的第二配线层(20)连接。进一步，利用与该第二配线层(20)连接、贯通第二层间绝缘层(18)而形成的第二接触部(26)，与上层配线(22)连接并引出。这里，第一接触部(21)贯通第二配线层(20)的半导体层(17b)或绝缘体层(17c)而形成。
-
公开(公告)号：CN101897024A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200880120121.2
申请日：2008-12-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2472 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置，其特征在于，具备：基板(1)；第一配线(3)；埋入形成于第一通孔(4)的第一充填部(5)；由与第一配线(3)正交且依次层叠有第一电阻变化元件的电阻变化层(6)、导电层(7)、第二电阻变化元件的电阻变化层(8)的多层而构成的第二配线(11)；埋入形成于第二通孔(13)的第二充填部(14)；和第三配线(15)，第二配线(11)的导电层(7)起到第一电阻变化元件(9)的电极的作用和第二电阻变化元件(10)的电极的作用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101395717B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200780007386.7
申请日：2007-02-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1683 , Y10T29/49099
Abstract: 本发明提供电阻变化型元件、半导体装置和其制造方法。电阻变化型元件的制造方法包括：在设置于基板上的层间绝缘层(104)中且底部具有下部电极(103)的接触孔(105)中，以接触孔(105)中的上表面位于层间绝缘层(104)的上表面的下方的方式堆积电阻变化材料(106)的工序；在堆积的电阻变化材料(106)之上，以接触孔(105)中的上表面位于层间绝缘层(104)的上表面的上方的方式堆积上部电极材料的工序；和通过CMP对具有叠层的电阻变化材料(106)和上部电极材料的电阻变化型元件进行元件分离的工序。
-
公开(公告)号：CN101506980A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780030511.6
申请日：2007-11-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , H01L27/0688 , H01L27/112 , H01L27/115 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本发明的非易失性半导体存储装置(10)备有基板(11)、形成在基板(11)上的下层电极布线(15)、配置在包含下层电极布线(15)的基板(11)上并在与下层电极布线(15)相对的位置上形成接触孔的层间绝缘层(16)、与下层电极布线(15)连接的电阻变化层(18)、和与电阻变化层(18)连接并形成在电阻变化层(18)上的非欧姆性元件(20)，非欧姆性元件(20)由多个半导体层的层叠结构，金属电极体层和绝缘层的层叠结构或金属电极体层和半导体层的层叠结构形成，在接触孔中埋入形成上述层叠结构中的某一层，并且，层叠结构的其它层内的半导体层或绝缘体层具有比接触孔的开口大的面积，由在层间绝缘层(16)上形成的构成形成。
-
公开(公告)号：CN100470806C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200480000228.5
申请日：2004-03-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/65 , H01L27/11507 , H01L28/57 , H01L28/75
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件具备：第一氢阻挡膜，在第一氢阻挡膜上形成的电容元件，以覆盖电容元件的方式形成的第二氢阻挡膜。第一氢阻挡膜和第二氢阻挡膜至少包含1个使第一氢阻挡膜和第二氢阻挡膜密接的同一种原子。
-
公开(公告)号：CN100377357C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200410086599.1
申请日：2004-10-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/11507 , H01L21/28568 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/65 , H01L28/75
Abstract: 在提高具有沉积层构造的导电性阻挡层的阻挡氧元素性的同时，防止在具有沉积层构造的导电性阻挡层上生成浮起或者是剥离得到接触电阻的安定化。半导体装置，具有与电容元件(21)和晶体管的源极区域或者是漏极区域(13)电连接的针型接触点(15)，形成在该针型接触点(15)上的只是高熔点金属氮化物的氮化钛形成的导电层(16A)，氮化钛铝膜，铱膜，氧化铱膜的沉积层形成的防止氧元素扩散的多结晶状导电性氧阻挡层(17)。通过将由结晶定向性低的氮化钛形成的导电层(16A)设置在导电性氧阻挡层17的下侧，在导电层(16A)直接上面形成的导电性氧阻挡膜的氮化钛铝膜就会成为致密的膜构造，可以有效地防止氧元素的侵入。
-
公开(公告)号：CN1862814A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200510070086.6
申请日：2005-05-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/108 , H01L21/8242 , G11C11/22
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：相互留着间隔形成在半导体衬底上的第一杂质扩散层和第二杂质扩散层、第一层间绝缘膜、第一接触插塞、第二层间绝缘膜、第一开口部以及由形成在第一开口部的壁部、底部与第一接触插塞的上端电连接的第一金属膜(下电极)、铁电体膜(电容绝缘膜)及第二金属膜(上电极)构成的电容元件。第二杂质扩散层和上电极，通过第二接触插塞和形成在第二开口部的壁部、底部的第二金属膜电连接。因此，在具有立体层叠型结构的介电存储元件中，能实现把上电极的电位引出到扩散层的结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
111
records
(took 0.045 seconds)
