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公开(公告)号：CN103715257B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410008455.8
申请日：2014-01-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/40 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种具有背面场板结构的HEMT器件及其制备方法。该器件可通过习见半导体器件加工工艺制成，其包括源极、漏极、异质结构和背场板电极，该源、漏极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，且源、漏极与异质结构形成欧姆接触，该异质结构包括沿设定方向依次设置的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层设置于源、漏极之间，且第一半导体层表面还设有栅极，该栅极与第一半导体层之间形成肖特基接触，背场板电极设置于第二半导体层的远离第一半导体层的一侧表面。本发明能有效提高器件的击穿电压，并最大程度地抑制“电流崩塌”效应。
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公开(公告)号：CN105082635A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510530943.X
申请日：2015-08-26
Applicant: 杭州电子科技大学
Inventor： 董志华
CPC classification number: B32B3/28 , B32B33/00 , B32B2307/212 , B32B2307/56
Abstract: 本发明公开了一种多周期吸能结构，该结构由上层板单元、中空吸能单元、中间夹心板单元和下层板单元构成，顶层中空吸能单元上方设有上层板单元，底层中空吸能单元上方设有下层板单元，中空吸能单元之间设有中间夹心板单元；相邻单元由环氧胶粘接或者由焊接方式固定形成；中空吸能层由圆锥体、正n棱椎体或半椭圆体中的一种立体结构构成，n≥3；所述中空吸能层中立体结构的高线和上、下板单元垂直，上、下层板单元与中间夹心板单元互相平行。本发明与现有技术相比，其整体尺寸将大大缩短，材料整体密度低，质量轻盈。
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公开(公告)号：CN104966741A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510398197.3
申请日：2015-07-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/201 , H01L29/207 , H01L29/66
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L29/201 , H01L29/207 , H01L29/66219
Abstract: 本发明公开了一种基于极化掺杂效应的太赫兹二极管及其工艺实现方法，装置部分包括阴极电极、渐变AlxGa1-xN极化掺杂层、有源区、阳极区和阳极电极；所述的阳极区上外延生长有源区，有源区外延生长渐变AlxGa1-xN极化掺杂层；阳极区的外侧设有阳极，渐变AlxGa1-xN极化掺杂层的外侧设有阴极。本发明中的高电子浓度材料，易于形成电子隧穿，获得良好的欧姆接触，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN114438473B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202111613676.4
申请日：2021-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/511 , C30B29/04 , C30B25/02
Abstract: 本发明涉及一种高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置，包括谐振腔主体、下圆柱体、同轴波导转换器、环形石英窗口、沉积平台、测温孔、测温仪、观察窗、进气口、出气口及水冷系统，其中谐振腔主体包括抛腔，抛腔是由一段抛物线绕所述谐振腔中轴线旋转一周得到的旋转体，且谐振腔内壁任意一点距离基片中心点的距离大于6/7λ。本发明可以使谐振腔内电场分布集中，激发等离子体位置稳定、密度高，有助于提高沉积金刚石膜的品质，同时可以减弱对腔室内壁的热辐射和避免腔室内壁沉积石墨及碳的化合物。
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公开(公告)号：CN106301254B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201610604897.8
申请日：2016-07-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种高效宽带有序的谐波匹配结构及其谐波控制方法，一种高效宽带有序的谐波匹配结构，包括谐波控制电路和基波匹配电路，功率放大器的输出信号经所述谐波控制电路和基波匹配电路加载到负载端，所述谐波控制电路包括N个十字形匹配结构，每个十字形匹配结构形成λ/4微带线并有序串行连接，直至第N十字形匹配结构的输出端与所述基波匹配电路的输入端相连接，所述基波匹配电路的输出端与负载端相连接。相对于现有技术，本发明提供的高效宽带有序的谐波匹配结构，将现有以中心频率的谐波控制结构扩展为对不同频率点谐波进行控制，在保持功放高效率的情况下拓展带宽，极大提升了放大器的整体带宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113381195B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110586109.8
申请日：2021-05-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯三维相位可调谐透镜的高增益缝隙天线及方法。本发明天线采用一种石墨烯三维相位可调谐透镜，并将其放置在缝隙天线的前端，使得缝隙天线可以通过不同偏置电压下石墨烯的可重构特性对透镜单元进行调谐。不同偏置电压可以改变石墨烯材料的表面电阻，从而可以改变透镜的特性，进而改变缝隙天线孔径内的能量和相位分布，提高天线的增益并消除天线方向图畸变。同时，透镜加载的缝隙天线为新型的混合石墨烯‑金属结构缝隙天线，该天线的辐射缝隙结构采用石墨烯结构代替，这一结构进一步增强了天线孔径内能量的控制，并为缝隙天线带来了频率可重构特性。
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公开(公告)号：CN113381195A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110586109.8
申请日：2021-05-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯三维相位可调谐透镜的高增益缝隙天线及方法。本发明天线采用一种石墨烯三维相位可调谐透镜，并将其放置在缝隙天线的前端，使得缝隙天线可以通过不同偏置电压下石墨烯的可重构特性对透镜单元进行调谐。不同偏置电压可以改变石墨烯材料的表面电阻，从而可以改变透镜的特性，进而改变缝隙天线孔径内的能量和相位分布，提高天线的增益并消除天线方向图畸变。同时，透镜加载的缝隙天线为新型的混合石墨烯‑金属结构缝隙天线，该天线的辐射缝隙结构采用石墨烯结构代替，这一结构进一步增强了天线孔径内能量的控制，并为缝隙天线带来了频率可重构特性。
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公开(公告)号：CN112768910A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011593189.1
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于石墨烯‑金属结构的可重构太赫兹天线及调频方法。本发明天线采用一种新型的混合石墨烯‑金属结构辐射面以改进传统的纯金属天线，所述混合石墨烯‑金属结构辐射面包括石墨烯调谐部分以及金属辐射体。本发明天线可以通过改变天线辐射面的石墨烯调谐部分的电场偏置进行动态重构，且具有较低的反射系数。此外，由于本发明天线的辐射贴片保留了传统的金属材料，又极大的平衡了传统金属天线的辐射性能。提出的混合石墨烯‑金属可重构天线有望使渐变平面缝隙天线在更高频段使用，并使石墨烯为太赫兹天线的设计和应用带来更多的可能性和扩展空间。
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公开(公告)号：CN112736430A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011553090.9
申请日：2020-12-24
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种宽频带宽波束无人机导航天线，包括五个介质基板、四个天线单元以及一个印制在介质基板的馈电网络，四个天线单元顺序旋转放置，等幅度馈电，相邻天线单元间相位相差90度；每个天线单元结构包括一个上层指数渐变金属缝隙和一个下层馈电微带线；所述馈电微带线终端采用扇形开路结构，馈电端与馈电网络输出端相连，馈电网络包括介质基板、金属地板、指数渐变缝隙、金属馈电微带线和3dB电桥和90度移相器。本发明用于克服传统单频带陶瓷天线的重量过高，并且难以实现多频段覆盖，提供了一种结构简单，馈电简洁的宽频带宽波束无人机导航天线。
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公开(公告)号：CN108598161B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201810405244.6
申请日：2018-04-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L27/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种利用全固态电池实现的增强型III‑V HEMT器件，在衬底上依次形成第二半导体层和第一半导体层并在所述第二半导体层和第一半导体层之间形成异质结构；源电极和漏电极通过形成于该异质结构中的二维电子气电连接；栅电极用于控制所述异质结构中二维电子气的导通或断开；还包括设置在所述源电极和栅电极之间的全固态电池，所述全固态电池由至少1组电池单元串联或串并联构成，用于使异质结构相应区域中二维电子气耗尽。本发明能有效实现增强型工作模式，此外，全固态电池是与微纳加工工艺兼容的，可以在器件的工艺过程中一次完成。同时，器件的阈值电压可通过串联固态电池的单元数来改变。
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