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公开(公告)号：CN110429077B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201910786441.1
申请日：2019-08-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L23/552 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种适用于功率半导体器件的抗单粒子烧毁结构，包括外延层，所述外延层第一主面设有有源区和栅极结构，所述有源区和栅极结构上设有栅极金属层；所述外延层第二主面设有衬底层，所述衬底层上设有漏极金属层；所述有源区与所述衬底层之间的外延层形成漂移区；所述有源区设有纵向深沟槽，所述深沟槽内设有源极金属层；所述源极金属层底部设有P型区；本发明在器件关闭状态下由重离子引起的瞬态电流主要通过深沟槽电极进行泄放，大幅度降低作用于寄生BJT的瞬态电流，使寄生BJT难以导通，从而有效提高了功率半导体器件的抗SEB性能；而深沟槽电极的引入不会对器件沟道区及反向耐压区域产生任何影响，因此器件的基本电学特性不受任何影响。
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公开(公告)号：CN109904272B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201910062429.6
申请日：2019-01-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种高转换增益和低串扰的像素探测器，包括：低阻硅层(电路层)、埋氧层、高阻n型衬底、背部电极、n+探测阱、n+探测阱读出电极、埋p阱引出电极、埋p阱、背部深埋p阱；本发明可以有效抑制背栅效应以及传感器与电路之间的串扰；降低全耗尽电压；有效降低电荷收集端的敏感节点电容，提高转换增益。
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公开(公告)号：CN111524970A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010023544.5
申请日：2020-01-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/16 , H01L29/06
Abstract: 本发明提出了一种4H‑SiC沟槽绝缘栅双极型晶体管,包括N‑电压阻挡层、N‑型缓冲层、P型沟道区、P+欧姆接触区、N+发射区、P+集电极区、沟槽栅极以及栅极氧化层等；本发明相对于传统结构，主要提出了在集电极将P+集电区深入到了N‑型的电压阻挡层，同时也引入了间隔分布的p‑poly/p‑SiC异质结。由于新结构中将P+集电区深入到了N‑型电压阻挡层的内部，所以器件正常工作时其可以进行正常的空穴注入，从而改善正向特性；同时由于集电极区域引入了异质结，其为N‑电压阻挡层中载流子的泄放提供了额外的低阻通路，所以器件关断时电子的泄放速度明显加快，进而减小了拖尾电流，降低了关断损耗。
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公开(公告)号：CN111490124A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010239074.6
申请日：2020-03-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/118 , H01L31/0236 , H01L31/18 , G01T3/08
Abstract: 本发明提出了一种阶梯型微沟槽中子探测器及制备方法，该结构首先通过刻蚀技术在半导体器件内部制作一个宽度较窄的沟槽，之后在深沟槽区域内进行第二次刻蚀制作一个宽度较宽的沟槽从而形成一个阶梯型微沟槽结构(可采用多次刻蚀形成多阶梯型微沟槽结构)，最终采用角旋转离子注入技术在沟槽侧壁及底部形成均匀的掺杂分布。一方面，阶梯型沟槽结构通过优化沟槽间距可以提高器件中子反应物的填充量，从而提高器件的中子探测效率。另一方面，阶梯型沟槽结构还可以优化沟槽底部的电场分布，使探测器的击穿电压提高。此外，阶梯型沟槽结构可以提高探测器灵敏区电场值，进而提高电荷收集率并降低收集时间。
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公开(公告)号：CN111211167A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010023986.X
申请日：2020-01-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种消除负阻效应的RC-IGBT器件。该RC-IGBT器件与传统器件相比，在N型集电区和P型集电区上方有混合交替排列的N型和P+型缓冲层，且最靠近N型集电区的P+柱边缘超过N型缓冲层。由于上述混合交替排列N型和P型的缓冲层对场截止区的多区段的隔离作用，电子或空穴需要爬过多个P型区域，增长了载流子运动路径，从而增大了RC-IGBT器件在导通初期N型集电区上方电势差，使得该PN结更容易开启，器件更容易从单极导通转换为双极导通，进而抑制了RC-IGBT器件在导通初期所产生的Snapback效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111162117A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010002987.6
申请日：2020-01-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开一种抗单粒子烧毁的GaN器件，包括从下到上依次层叠设置的GaN底部缓冲层、GaN中间缓冲层、GaN沟道层、势垒层、钝化层；GaN中间缓冲层中设有夹层，夹层将GaN中间缓冲层分为上下两层；GaN中间缓冲层上表面的两端分别设有源电极和漏电极，钝化层上设有凹槽绝缘栅结构，源电极、漏电极和凹槽绝缘栅结构贯穿钝化层、势垒层和GaN沟道层，并延伸至GaN中间缓冲层上表面；凹槽绝缘栅结构包括凹槽，凹槽内壁设有栅介质，凹槽内设有栅电极；本发明有效降低了粒子入射后器件中的瞬态电流，从而提高了GaN器件的抗单粒子烧毁性能。
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公开(公告)号：CN110112217A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910298966.0
申请日：2019-04-15
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提出了一种抗单粒子烧毁LDMOS器件，该结构通过在器件的漂移区制作一个P-埋层结构，其中P-埋层的掺杂浓度和纵向结深可通过注入剂量和注入能量进行控制，P-埋层的横向尺寸和分布形状可通过掩膜版图形进行控制。在相同耐压条件下，P-埋层可进一步提高漂移区的掺杂浓度，从而实现比导通电阻的降低。同时由于P-埋层对漂移区横向电场具有调制作用，可使重离子入射后电子-空穴对的产生率大幅度降低，有效抑制了寄生晶体管的导通，能够在改善器件基本电学特性前提下提高单粒子烧毁阈值电。
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公开(公告)号：CN109904272A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910062429.6
申请日：2019-01-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种高转换增益和低串扰的像素探测器，包括：低阻硅层(电路层)、埋氧层、高阻n型衬底、背部电极、n+探测阱、n+探测阱读出电极、埋p阱引出电极、埋p阱、背部深埋p阱；本发明可以有效抑制背栅效应以及传感器与电路之间的串扰；降低全耗尽电压；有效降低电荷收集端的敏感节点电容，提高转换增益。
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公开(公告)号：CN105679859B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201610248271.8
申请日：2016-04-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/119
Abstract: 本发明公开一种基于双异质结HEMT的高增益X射线探测器。包括AlGaN势垒层、GaN沟道层、AlGaN背势垒缓冲层、衬底、Si3N4钝化层、栅极、源极和漏极；探测器结构中的沟道层与背势垒缓冲层界面在辐照过程中因空穴积累，引起势垒高度降低，导致沟道电子电流变化，最终产生极高的电流增益。本发明X射线探测器基于GaN基材料体系，具有强抗电离辐射能力，同时具有极高电流增益，弥补了GaN材料对X射线吸收效率低的缺陷，并且消除了传统GaN肖特基X射线探测器响应时间长的问题。
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公开(公告)号：CN106601800A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611094731.2
申请日：2016-12-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明提出了一种沟槽绝缘栅双极型晶体管,包括N‑型电压阻挡层、P型沟道区、P+欧姆接触区、N+发射区、P‑集电区、P+集电极区、N+衬底层以及沟槽栅极、栅氧介质层；其中，所述N‑型电压阻挡层和P型沟道区之间还存在一层N型电流增强层，所述的N‑型电压阻挡层与P型集电区之间存在一层N型缓冲层。该新结构背部具有一个由N‑型电压阻挡层、P‑集电区和N+衬底层组成的NPN晶体管，该NPN晶体管在器件关断过程中为N‑型电压阻挡层内存储的过量电子提供一个快速抽取的通道，减小器件的关断时间，从而减小器件的关断损耗，进而改善器件的通态压降与关断损耗之间的折衷关系。
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