公开(公告)号：CN111524970A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010023544.5

申请日：2020-01-09

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  毛鸿凯 ,  曹菲 ,  于成浩

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L29/16 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提出了一种4H‑SiC沟槽绝缘栅双极型晶体管,包括N‑电压阻挡层、N‑型缓冲层、P型沟道区、P+欧姆接触区、N+发射区、P+集电极区、沟槽栅极以及栅极氧化层等；本发明相对于传统结构，主要提出了在集电极将P+集电区深入到了N‑型的电压阻挡层，同时也引入了间隔分布的p‑poly/p‑SiC异质结。由于新结构中将P+集电区深入到了N‑型电压阻挡层的内部，所以器件正常工作时其可以进行正常的空穴注入，从而改善正向特性；同时由于集电极区域引入了异质结，其为N‑电压阻挡层中载流子的泄放提供了额外的低阻通路，所以器件关断时电子的泄放速度明显加快，进而减小了拖尾电流，降低了关断损耗。

公开(公告)号：CN111524971A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010023568.0

申请日：2020-01-09

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  毛鸿凯 ,  曹菲 ,  包梦恬

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L29/16 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了4H‑SiC沟槽绝缘栅双极型晶体管,包括P+欧姆接触区、N+发射区、P型沟道区、载流子存储层、N‑电压阻挡层、N+缓冲层、P+集电区、P型多晶硅区、沟槽型栅极；本发明相对于传统结构，主要提出了在器件集电极一侧引入了沟槽型的p‑poly/p‑SiC异质结。由于异质结做成了沟槽形状，所以器件在正常导通时可以提升空穴注入效率，使得器件的通态压降降低；同时新结构由于异质结的引入，其在关断的过程中为电压阻挡层中载流子的泄放提供了低阻通道，可以加速电子的抽取，进一步降低了关断损耗。