公开(公告)号：CN105679859B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201610248271.8

申请日：2016-04-20

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  曹菲 ,  项智强 ,  于成浩

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/119

Abstract: 本发明公开一种基于双异质结HEMT的高增益X射线探测器。包括AlGaN势垒层、GaN沟道层、AlGaN背势垒缓冲层、衬底、Si3N4钝化层、栅极、源极和漏极；探测器结构中的沟道层与背势垒缓冲层界面在辐照过程中因空穴积累，引起势垒高度降低，导致沟道电子电流变化，最终产生极高的电流增益。本发明X射线探测器基于GaN基材料体系，具有强抗电离辐射能力，同时具有极高电流增益，弥补了GaN材料对X射线吸收效率低的缺陷，并且消除了传统GaN肖特基X射线探测器响应时间长的问题。

公开(公告)号：CN105679859A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610248271.8

申请日：2016-04-20

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  曹菲 ,  项智强 ,  于成浩

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/119

CPC classification number: H01L31/119 ,  H01L31/03048

Abstract: 本发明公开一种基于双异质结HEMT的高增益X射线探测器。包括AlGaN势垒层、GaN沟道层、AlGaN背势垒缓冲层、衬底、Si3N4钝化层、栅极、源极和漏极；探测器结构中的沟道层与背势垒缓冲层界面在辐照过程中因空穴积累，引起势垒高度降低，导致沟道电子电流变化，最终产生极高的电流增益。本发明X射线探测器基于GaN基材料体系，具有强抗电离辐射能力，同时具有极高电流增益，弥补了GaN材料对X射线吸收效率低的缺陷，并且消除了传统GaN肖特基X射线探测器响应时间长的问题。