公开(公告)号：CN113466984A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110736705.X

申请日：2021-06-30

Applicant: 暨南大学

Inventor： 邓子岚 ,  涂清安 ,  李枫竣 ,  李向平

IPC: G02B5/30 ,  G02B1/00 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明公开了一种基于双柱电介质超表面的偏振器件，包括电介质基底、电介质纳米柱阵列，所述的电介质纳米柱阵列包括N组的双原子超构分子，N≥2，所述的双原子超构分子位于电介质基底上，所述的双原子超构分子包括两个尺寸一致的纳米柱，两个纳米柱的中心与水平方向呈不同夹角，两个纳米柱位于电介质基底上形成双柱电介质超表面；通过调控双原子超构分子的尺寸大小与两个纳米柱的旋转角之差/之和，实现对衍射光振幅、偏振的同时独立调控。本发明通过利用电介质双原子结构实现了衍射光振幅、偏振的同时独立调控，增加了自由度，激发了超构表面偏振光学的应用潜能，提供了更多的超构表面应用场景。

公开(公告)号：CN112562744B

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202010636656.8

申请日：2020-07-03

Applicant: 暨南大学

Inventor： 王思聪 ,  魏琛 ,  李向平

IPC: G11B11/105

Abstract: 本发明公开一种面向超快超分辨全光磁记录的双脉冲激发方法，包括第一激发脉冲和第二调节脉冲，依次先后入射向光磁记录媒介使其被激光脉冲光斑所照射的区域发生全光磁反转；通过精确灵活控制双飞秒激光脉冲间的时间延迟、空间重叠区域以及能量密度比，可在能够实现单脉冲全光磁反转的光磁材料上两脉冲的空间重叠区域内诱导产生磁化场的二次反转，以获得超越衍射极限限制的全光磁记录，这一记录过程发生在几百皮秒(亚纳秒)时间尺度，为超高密度、超快磁存储提供有效的技术手段。

公开(公告)号：CN110190138B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201910449822.0

申请日：2019-05-28

Applicant: 暨南大学

Inventor： 张轶楠 ,  李向平

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种多晶硅太阳电池光吸收增强结构、多晶硅太阳电池及其制备方法，该光吸收增强结构包括依次层叠的多晶硅绒面结构、介质纳米薄膜以及介质纳米小球，其中，所述介质纳米薄膜位于所述多晶硅绒面结构的绒面一侧，所述介质纳米小球单层分布于所述介质纳米薄膜的表面。该介质纳米小球对入射光角度不敏感，在宽广谱范围内能够对太阳光进行前向散射，增强电池对光的捕获，且介质纳米小球与介质纳米薄膜的配合使用，弥补了现有微米尺度绒面结构技术的光捕获能力较弱的劣势。另外，本发明的单层介质纳米小球集成方法简单，与现有的多晶硅绒面技术兼容性好，能够实现多晶硅太阳电池效率的有效提升。

公开(公告)号：CN109637557B

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201811385934.6

申请日：2018-11-20

Applicant: 暨南大学

Inventor： 徐毅 ,  欧阳旭 ,  李向平 ,  曹耀宇

IPC: G11B13/06

Abstract: 本发明的六维高密度信息存储方法，利用拉盖尔‑高斯光束轨道角动量和径向波结数在无序金纳米棒体系中产生空间上不重叠的电磁能量热点，亦即激励起准正交的局域模式，从而增加信息存储复用的物理维度，同时，利用轨道角动量的通道数目理论上是无穷的，该物理维度可以极大地增加存储通道数目的技术原理，以及基于光束轨道角动量的复用可以同时与波长复用存储、偏振复用存储和空间复用存储在相同读写焦斑内实现的技术原理，以此来突破常规五维光信息存储技术存储容量的极限。

公开(公告)号：CN109166599A

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201811154711.9

申请日：2018-09-30

Applicant: 暨南大学

Inventor： 王思聪 ,  魏琛 ,  李向平

IPC: G11C13/06

Abstract: 本发明公开了一种基于一阶旋向偏振涡旋光的旋向依赖全光磁反转方法，由于偏振奇点和相位奇点在聚焦空间中的相互作用，拓扑荷为+1和-1的一阶旋向偏振涡旋光在聚焦空间中将分别产生左旋圆偏振场和右旋圆偏振场，在高数值孔径条件下，一阶旋向偏振涡旋光产生横向尺寸小于传统圆偏振光聚焦光斑横向尺寸的圆偏振聚焦场。利用本发明方法所实现的旋向依赖全光磁反转区域面积将比传统圆偏振光所产生的反转区域面积小30％，为超高密度、超快磁存储提供有效的解决方法。

公开(公告)号：CN108279457A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810106621.6

申请日：2018-02-02

Applicant: 暨南大学

Inventor： 邓子岚 ,  王帅 ,  叶旋 ,  李向平

IPC: G02B5/32

Abstract: 本发明公开了一种可实现新型防伪技术的位移编码型超表面矢量全息元件，包括构成超表面的两个相互垂直的金属纳米棒的超构分子结构；金属-介质-金属三明治结构所产生的偏振选择型衍射效率增强效应；超构分子内垂直的两金属纳米棒之间的局部位移对偏振态相位的线性调制方式，相邻超构分子之间的全局位移对波前总体相位的线性调制方式，以及金属纳米棒转角对偏振态振幅比例的线性调制方式。本发明公开的位移编码型超表面矢量全息元件具有制备控制精度要求低、结构简单、宽入射角度宽工作频段、无色散等优点，能够对具有任意形式的相位和偏振态空间分布的波前进行调控，大大增强了全息防伪与加密技术的安全级别。