公开(公告)号：CN112562744B

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202010636656.8

申请日：2020-07-03

Applicant: 暨南大学

Inventor： 王思聪 ,  魏琛 ,  李向平

IPC: G11B11/105

Abstract: 本发明公开一种面向超快超分辨全光磁记录的双脉冲激发方法，包括第一激发脉冲和第二调节脉冲，依次先后入射向光磁记录媒介使其被激光脉冲光斑所照射的区域发生全光磁反转；通过精确灵活控制双飞秒激光脉冲间的时间延迟、空间重叠区域以及能量密度比，可在能够实现单脉冲全光磁反转的光磁材料上两脉冲的空间重叠区域内诱导产生磁化场的二次反转，以获得超越衍射极限限制的全光磁记录，这一记录过程发生在几百皮秒(亚纳秒)时间尺度，为超高密度、超快磁存储提供有效的技术手段。

公开(公告)号：CN109166599A

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201811154711.9

申请日：2018-09-30

Applicant: 暨南大学

Inventor： 王思聪 ,  魏琛 ,  李向平

IPC: G11C13/06

Abstract: 本发明公开了一种基于一阶旋向偏振涡旋光的旋向依赖全光磁反转方法，由于偏振奇点和相位奇点在聚焦空间中的相互作用，拓扑荷为+1和-1的一阶旋向偏振涡旋光在聚焦空间中将分别产生左旋圆偏振场和右旋圆偏振场，在高数值孔径条件下，一阶旋向偏振涡旋光产生横向尺寸小于传统圆偏振光聚焦光斑横向尺寸的圆偏振聚焦场。利用本发明方法所实现的旋向依赖全光磁反转区域面积将比传统圆偏振光所产生的反转区域面积小30％，为超高密度、超快磁存储提供有效的解决方法。

公开(公告)号：CN112562744A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202010636656.8

申请日：2020-07-03

Applicant: 暨南大学

Inventor： 王思聪 ,  魏琛 ,  李向平

IPC: G11B11/105

Abstract: 本发明公开一种面向超快超分辨全光磁记录的双脉冲激发方法，包括第一激发脉冲和第二调节脉冲，依次先后入射向光磁记录媒介使其被激光脉冲光斑所照射的区域发生全光磁反转；通过精确灵活控制双飞秒激光脉冲间的时间延迟、空间重叠区域以及能量密度比，可在能够实现单脉冲全光磁反转的光磁材料上两脉冲的空间重叠区域内诱导产生磁化场的二次反转，以获得超越衍射极限限制的全光磁记录，这一记录过程发生在几百皮秒(亚纳秒)时间尺度，为超高密度、超快磁存储提供有效的技术手段。