基于双柱电介质超表面的偏振器件

    公开(公告)号:CN113466984B

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202110736705.X

    申请日:2021-06-30

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于双柱电介质超表面的偏振器件,包括电介质基底、电介质纳米柱阵列,所述的电介质纳米柱阵列包括N组的双原子超构分子,N≥2,所述的双原子超构分子位于电介质基底上,所述的双原子超构分子包括两个尺寸一致的纳米柱,两个纳米柱的中心与水平方向呈不同夹角,两个纳米柱位于电介质基底上形成双柱电介质超表面;通过调控双原子超构分子的尺寸大小与两个纳米柱的旋转角之差/之和,实现对衍射光振幅、偏振的同时独立调控。本发明通过利用电介质双原子结构实现了衍射光振幅、偏振的同时独立调控,增加了自由度,激发了超构表面偏振光学的应用潜能,提供了更多的超构表面应用场景。

    基于双柱电介质超表面的偏振器件

    公开(公告)号:CN113466984A

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN202110736705.X

    申请日:2021-06-30

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于双柱电介质超表面的偏振器件,包括电介质基底、电介质纳米柱阵列,所述的电介质纳米柱阵列包括N组的双原子超构分子,N≥2,所述的双原子超构分子位于电介质基底上,所述的双原子超构分子包括两个尺寸一致的纳米柱,两个纳米柱的中心与水平方向呈不同夹角,两个纳米柱位于电介质基底上形成双柱电介质超表面;通过调控双原子超构分子的尺寸大小与两个纳米柱的旋转角之差/之和,实现对衍射光振幅、偏振的同时独立调控。本发明通过利用电介质双原子结构实现了衍射光振幅、偏振的同时独立调控,增加了自由度,激发了超构表面偏振光学的应用潜能,提供了更多的超构表面应用场景。

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