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公开(公告)号：CN108118366A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201810006567.8
申请日：2018-01-04
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C25C3/18
CPC classification number: C25C3/18
Abstract: 本发明公开一种加快铝电解槽中氧化铝溶解速度方法，属于有色冶金的铝电解领域。本发明所述方法使用含有βAl2O3的Na2O·xAl2O3（x值为6~50）为铝电解原料，使用的电解质主成分为NaF-AlF3；在电解过程中往电解质中加入AlF3中和氧化铝溶解后产生的Na2O，以维持电解质的成分稳定，电解温度为680-900℃。本发明解决了低温铝电解过程中氧化铝在电解质中溶解速度慢的问题，可在传统的铝电解槽或者是使用惰性阳极的铝电解槽上使用，实现低温（680-900℃）铝电解，达到节能减排的目标。
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公开(公告)号：CN106809839A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710034435.1
申请日：2017-01-18
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/037 , C01G23/053
CPC classification number: C01B33/037 , C01G23/053
Abstract: 本发明公开一种利用含钛高炉渣进行硅提纯及制备钛白的方法，先将含钛高炉渣、硅物料和添加剂一起熔炼，保温一段时间后以一定的冷却速度冷却至室温并将凝固后的渣和硅分离；将得到的硅研磨成粉状，然后酸洗使硅粉中的钛进入酸溶液，并经过滤后得到含钛酸溶液和硅粉；硅粉经再次酸洗后得到纯度大于99.99%的纯硅；往含钛酸溶液中添加碱得到含钛沉淀物，含钛沉淀物经过干燥、煅烧、还原和磁选除铁后得到钛白。熔炼后产生的残渣由于对环境无害可以丢弃。本发明不仅是一种低成本、高效且环境友好的硅提纯技术，也是一种利用含钛高炉渣制备钛白的新技术，可以同时达到提纯硅和制备钛白的双重目的，为复杂含钛高炉渣资源的经济利用提供新路径。
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公开(公告)号：CN106336928A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610882719.1
申请日：2016-10-10
Applicant: 昆明理工大学
CPC classification number: C10L9/08
Abstract: 本发明涉及一种真空强化高硫石油焦脱硫的方法，属于真空冶金技术领域。首先将石油焦研磨筛分至粒度45～450μm，控制厚度为10～100mm，在真空度为10-3Pa～100Pa条件下，以10～50°C/min的升温速率升温到1000～1600°C保温10～90min，石油焦脱硫率达到70%以上，同时在顶部的冷凝设备中收集到纯度90%以上的单质硫。该方法能达到较高脱硫率的同时，不外加添加剂保证石油焦的较低灰分含量，也保证了石油焦脱硫后具有较高的回收率，在此过程中还能得到单质硫，解决了因多数石油焦脱硫方法产生大量不利于收集的SO2有害气体。
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公开(公告)号：CN102489256B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201110380254.7
申请日：2011-11-25
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明提供一种对重金属离子具有富集作用的复合材料的制备方法，通过将硅片预处理，再进行电化学腐蚀得到多孔硅，然后清洗多孔硅片，最后采用多步有机合成反应包括：巯基的嫁接、吡啶环的嫁接、咪唑基团的嫁接，将接枝有二硫键咪唑基团嫁接到多孔硅表面，即得到对重金属离子具有富集作用的复合材料。本发明中涉及的有机修饰多孔硅基复合材料具有选择性吸附痕量重金属镉离子的特性，对镉离子的富集能达到10倍以上，吸附有金属镉离子的基团在少量强还原剂的作用下离开复合材料表面达到分离的目的，此方法具有简单、高效等特点。
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公开(公告)号：CN103539147A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310519316.7
申请日：2013-10-29
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅分子筛的制备方法，属于多孔材料制备技术领域。对微硅粉热处理后进行颗粒分级，再进行酸浸处理，过滤后清洗干净；将酸浸处理后的微硅粉与NaOH、结构导向剂和H2O按照SiO2：NaOH：结构导向剂：H2O摩尔比1:0.2～0.4:0.1～0.3:150～200混合，在90～120℃条件下，反应12～48小时，然后经过洗涤、过滤、干燥，得到有机-无机复合中间产物；将有机-无机复合中间产物与水按照质量比1:30～50混合后搅拌并进行水热处理，然后将得到的固体物质洗涤、过滤和干燥后焙烧，脱除结构导向剂，即得到球形介孔二氧化硅分子筛。该方法大大简化了球形介孔二氧化硅分子筛的合成过程和条件，降低了合成成本，制备的介孔材料具有优良的重金属吸附性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102031027B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201010550307.0
申请日：2010-11-19
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化硅系高温红外辐射涂料及其制备方法。本发明一种高温炉窑内衬用红外辐射涂料，其成分以重量％计为：Fe2O35～15，Al2O310～20，MgO5～10，Cr2O35～10，余量为微硅粉，其制备方法是，将微硅粉应用于高温红外辐射涂料中。在微硅粉中添加Fe2O3、Al2O3、MgO和Cr2O3等金属氧化物，混和后在1200℃～1500℃温度下焙烧1～5h，破碎研磨后的80目筛下粉料可用于制备在高温下具有高辐射率的红外涂层原料。该氧化硅系红外辐射涂料可应用于1200℃以上的高温环境，其辐射率超过0.9，且抗热震性好，与炉窑内衬材料间的热匹配性能良好，达到国标要求，可应用于冶金、化工、机械、建材等行业。
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公开(公告)号：CN103290424A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310236790.9
申请日：2013-06-17
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种TiC粉体的制备方法，属于熔盐电化学技术领域。将TiO2和碳按照摩尔比1：1～2.5混合均匀、压制成型并烧结后作为阴极，以石墨为阳极，将阴极和阳极放入温度为500℃～1000℃的金属化合物熔盐电解质中，在阴极和阳极之间施加电压进行电解，然后将阴极产物进行酸浸和过滤，最后将阴极产物在300～1000℃的条件下加热0～2h除碳，最终得到纳米或亚微米级的超细TiC粉体。本发明提提供了一种流程短、成本低、对环境友好的TiC粉体生产工艺新思路。
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公开(公告)号：CN103232038A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310154570.1
申请日：2013-04-28
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种纳米碳化硅的制备方法，属于纳米材料技术领域。将纳米二氧化硅和炭质材料混合均匀，然后将混合物压制成片并烧结后作为阴极，以石墨为阳极，将阴极和阳极放入熔融的氯化物熔盐电解质中，在500℃～1000℃温度下，在阴极和阳极之间施加电压进行电解，将阴极制备得到的产物依次经过碱洗、水洗和干燥，最终得到高纯度的纳米SiC。该工艺具有流程短、能耗低，对环境友好等特点。
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公开(公告)号：CN102489256A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110380254.7
申请日：2011-11-25
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明提供一种对重金属离子具有富集作用的复合材料的制备方法，通过将硅片预处理，再进行电化学腐蚀得到多孔硅，然后清洗多孔硅片，最后采用多步有机合成反应包括：巯基的嫁接、吡啶环的嫁接、咪唑基团的嫁接，将接枝有二硫键咪唑基团嫁接到多孔硅表面，即得到对重金属离子具有富集作用的复合材料。本发明中涉及的有机修饰多孔硅基复合材料具有选择性吸附痕量重金属镉离子的特性，对镉离子的富集能达到10倍以上，吸附有金属镉离子的基团在少量强还原剂的作用下离开复合材料表面达到分离的目的，此方法具有简单、高效等特点。
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公开(公告)号：CN101343034B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200810058837.6
申请日：2008-08-22
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种制备硅基金属纳米管的方法，特别是在硅基底上生长可控制性的金属包括铜、锌、钛、钴、铬或镁等的纳米管的一种方法。以半导体硅片为原料，经电化学腐蚀和金属沉积，制备金属包括铜、锌、钛、钴、铬或镁等的纳米管。该方法采用无掩模无电极，且制备出的金属纳米管更均匀、管径可控制，其发光性能强，并且稳定性高，在微电子领域、光电器件的应用等有更大的发展空间。
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