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公开(公告)号：CN109280818A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811424789.8
申请日：2018-11-27
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种耐磨减摩铝基复合材料，属于金属基复合材料技术领域。本发明所述铝基复合材料由以下原料经过球磨、压制、烧结后得到，所述原料及其质量百分比为铝或铝合金基体60%、碳化硅颗粒10%~30%、六方氮化硼颗粒10~30%。本发明解决了传统耐磨材料在使用过程中摩擦系数大不利于在无润滑油的条件下长期使用的问题；所述铝基复合材料通过碳化硅与六方氮化硼的协同作用可以同时提高材料的耐磨性与减摩性，使铝基复合材料具有高耐磨性，低摩擦系数的优良综合性能。
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公开(公告)号：CN107986309A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711045367.5
申请日：2017-10-31
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种用高硫铝土矿生产氧化铝的除硫方法，属于环保和冶金技术领域。高硫铝土矿生产氧化铝过程中在料浆中加入还原剂除硫，其中还原剂为活性炭、铝、铁、锌中的一种或者任意比例混合物。本发明不仅可以将溶液中各种形态的变价硫（S2-、S2O32-、SO32-、SO42-）去除，而且除硫效率高；同时还可以消除硫对加热器壁腐蚀可能会带来严重安全隐患的弊端。
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公开(公告)号：CN107134504A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710211206.2
申请日：2017-04-01
Applicant: 昆明理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/07 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/18 , H01L31/035218 , H01L31/035227 , H01L31/07
Abstract: 本发明公开了一种纳米硅基石墨烯太阳能电池的制备方法，包括硅片预处理、硅纳米线阵列引入、硅纳米线的表面钝化处理、对硅纳米线表面进行量子点修饰、石墨烯或碳纳米管的填充、窗口周围导电层引入、片层石墨烯转移、电极接入等八个步骤。本发明采用石墨烯量子点修饰的纳米硅为基底，目的在于大大增强太阳光利用范围，同时在硅纳米线之间填充高导电的掺杂石墨烯碎片或碳纳米管，有利于提高光生电子‑空穴对的有效分离，实现新型高效纳米硅基石墨烯太阳能电池的制备。
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公开(公告)号：CN106318504A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610807200.7
申请日：2016-09-07
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种煤质机制炭制备方法，属于机制炭技术领域。分别将褐煤和生物质炭破碎成0.1～2mm的褐煤颗粒和生物质炭颗粒；将0.1～2mm褐煤颗粒在600～800℃隔绝空气炭化4～8h，冷却至室温后得到炭化物；将炭化物、生物质炭颗粒和粘结剂按照质量比为60～95：0～35：2～5混合均匀，再加水搅拌均匀得到混合物料，混合物料中含水控制为混合物料质量的10～15%；将得到的混合物料在压力为0.5～1MPa下压制成型，在100～200℃下烘干即得煤质机制炭。该方法制备得到的煤质机制炭价格低廉，环保和燃烧性能好。
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公开(公告)号：CN103103353A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310025775.X
申请日：2013-01-22
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种从一水硬铝石型铝土矿制备铝硅合金的方法，属于冶金技术领域。以一水硬铝石型铝土矿为原料，以分析纯石墨为还原剂，以分析纯的无水氯化铝作氯化剂，将石墨和一水硬铝石型铝土矿均匀混合，压制成型后在真空条件下对混合料进行煅烧；然后将煅烧后的铝土矿和石墨的混合料冷却至常温，再将无水氯化铝置于混合料下部，然后加热使无水氯化铝开始升华成气体，进入铝土矿与石墨反应的坩埚内进行氯化还原反应；将被还原出的铝硅合金冷凝后得到铝硅合金。本发明具有原料易得、反应温度低、流程短、工艺简单、易于操作、成本低、对环境无污染等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101559402B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN200910094471.2
申请日：2009-05-19
Applicant: 昆明理工大学 , 云南邦特新材料有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高灰分焦粉提纯方法，是处理工厂废弃高灰份焦的技术方案。将破碎后的焦粉按一定粒径筛分，使筛上焦粉置于重介质中，经过一级重选和二级重选，达到灰分与焦粉分离的目的；同时将筛下焦粉分别与碱溶液、酸溶液反应，去除二氧化硅、氧化铝、氧化铁等杂质。本发明采用分段式处理，对于不同粒径的高灰分焦粉采用不同处理方式，能适应生产中焦粉质量的变化。采用本发明可最大限度地降低焦粉灰分、提高焦粉质量、减少焦粉在提纯过程中的损失。本发明应用于废弃焦粉的处理。
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公开(公告)号：CN101935846B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201010276318.4
申请日：2010-09-09
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C25B1/00 , C01B33/037
Abstract: 本发明提供一种以硅石为原料制备太阳能级硅的方法，以硅石为原料，以CaCl2为熔盐电解质，在600～1000℃下通过熔盐电解质进行还原，使硅石中的元素硅被直接电解还原成单质硅；在单质硅中，按1∶3～9的质量比添加化合物，并在600～1200℃下通入保护性气体进行结晶处理；再按1∶1～8的固液质量比，将结晶硅置于浓度为1～5mol/L的盐酸液中，酸浸2～48小时；用水洗涤2～5次后在40～150℃下进行干燥；将干燥后的硅置于1450～1650℃下进行熔化后，在温度为1600～1650℃、压力为1×10-2～10Pa的真空条件下进行真空蒸发；蒸发后的熔体硅以0.1～5mm/h的冷凝速率冷凝后，即得太阳能级硅。本发明先通过还原去除氧、磷、铝、钙、钛等杂质，再经高温结晶、酸浸除硼，使产品纯度超过99.99991％，且生产流程短，成本低，环境污染小。
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公开(公告)号：CN102321813A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110299423.4
申请日：2011-09-30
Applicant: 昆明理工大学 , 云南锡业集团有限责任公司研究设计院
IPC: C22B30/04
Abstract: 本发明涉及一种真空碳热还原三氧化二砷制备粗砷的方法，其制备工艺为：以木炭或焦炭为还原剂，在10～200Pa的环境压力中，以10～20℃/min的速度将还原剂加热至500～900℃，而后将三氧化二砷加热至300～500℃，使其挥发自下而上的通过还原剂层、被还原，得到砷蒸气，砷蒸气进入冷凝器在50～200℃条件下凝结为固体粗砷。该工艺流程简单，还原温度低，便于操作，还原率高，整个反应过程在真空中进行，对环境无污染。
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公开(公告)号：CN101560609B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910094518.5
申请日：2009-05-26
Applicant: 昆明理工大学
CPC classification number: Y02P10/234
Abstract: 本发明涉及一种粗镍真空蒸馏提纯的方法，以含镍99-99.9质量％的粗镍为原料，在1600℃～1800℃，真空度0.1Pa～10Pa下保温蒸馏2～3小时，得到零号镍(4N)产品，产品中杂质成分总量均在100ppm以下。其工艺过程简单，杂质去除效果好，操作简单，在真空条件下提纯金属镍，对环境无污染。
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