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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110396068A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910661275.2
申请日：2019-07-22
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C07D249/06 , A01P3/00
Abstract: 本发明公开结构式如式Ⅰ或式Ⅱ所示的4-邻烷氧芳基-1,2,3-三唑衍生物：，其中R1选自H、Me、OMe、OH、CH2OH、F、Cl、Br；R2选自H、Me、OMe、F、Cl、Br；R3选自H、Me、OMe、OEt、nPrO、F、Cl、Br；R4选自Me、Et、nPr、iPr、Cy；本发明以1,4-二取代-1,2,3-三氮唑为原料，在过渡金属催化作用下使4号位芳基邻位碳-氢键直接转变为烷氧基，选择性合成4-邻烷氧芳基-1,2,3-三唑衍生物；本发明合成的化合物同时含有1,2,3-三唑环及烷氧基官能团，对三七根腐病致病菌具有很好的抑制效果。
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公开(公告)号：CN219689932U
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202320219592.0
申请日：2023-02-15
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本实用新型设计公开了一种高纯硅环减小直拉单晶炉液面波动的结构，包括：水冷屏、高纯硅环，所述的水冷屏的下方安装有高纯硅环，高纯硅环与水冷屏下端通过钨丝绳连接；以减小液面晃动，同时起到隔离自由熔体表面杂质移向成晶界面的作用。本实用新型的功能是该结构目的在于利用拉单晶时较低的液面温度，在将具有一定纯度和结构的硅环置于液面上时，不会被熔化，在不进行提拉时，硅环也不会生长单晶，与硅熔体保持平衡状态；且高纯硅环可有效减小液面波动，阻隔连续加料时颗粒硅移向生长界面，与石英挡板相比，较大程度减小氧原子的输入，减小对硅熔体的污染。
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公开(公告)号：CN219930325U
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202320481074.6
申请日：2023-03-14
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本实用新型公开的一种具有底端保护的单晶炉水冷屏，包括：下炉筒，所述下炉筒内包括固定在所述下炉筒上方的水冷屏、保护环，所述下炉筒内用于溶解与储存多晶硅材料熔体。所述保护环套挂在所述水冷屏靠近所述多晶硅材料熔体的一面，所述保护环形成具备一定深度的环状凹槽，所述凹槽内储存有高热导率材料，所述凹槽侧壁延伸出连通至所述下炉筒外壁的管道，所述管道末端设有温度检测器。所述水冷屏在所述套挂位置设有固定件，所述保护环在所述套挂位置设有匹配所述固定件的凹陷部分，所述水冷屏的末端探至所述凹槽内。所述保护环内可以增加所述的高导热率材料以提高保护作用从而降低所述水冷屏的位置，通过更加靠近所述三相线能提高直拉单晶硅的成品质量。
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公开(公告)号：CN217914841U
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202221845917.8
申请日：2022-07-18
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本实用新型涉及一种间歇式分布磨料的金刚石线，属于单晶硅片加工技术领域。针对硅片切割时未被切割液及时带走的切屑堵塞影响切割进程的问题，该间歇式分布磨料的金刚石线，从内至外依次设置基体线主体、镍镀层和金刚石磨料颗粒层，金刚石磨料颗粒层沿基体线主体轴向间歇分段设置在镍镀层外侧，相邻段金刚石磨料颗粒层之间为间歇空段。该金刚线在硅片切割时有利于切屑从间隙处快速随切割液流出，减小切割阻力和界面应力，对于提高切割速度、改善硅片表面切割痕和增加金刚线使用寿命起到很好促进作用。
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公开(公告)号：CN220318031U
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202320408414.2
申请日：2023-03-07
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种具有抗震炉底结构的直拉单晶炉，包括：直拉单晶炉、坩埚传动装置、减震器、减震底座四部分。本实用新型提供了一种具有抗震炉底结构的直拉单晶炉，其通过在水泥底座中加胶粘花岗岩破碎石、坩埚传动装置底部安装减震器与底座相连接，当受到外界因素影响发生地面晃动，如轻度地震、周围建筑施工、工厂生产等，可以有效减缓炉体晃动，保持液面平稳，降低断线率；同时减震器使用其中减震弹簧与阻尼器组成，具有复合隔振降噪，固有频率低，隔振效果好的优点。
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