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公开(公告)号:CN110831908A
公开(公告)日:2020-02-21
申请号:CN201880043070.1
申请日:2018-06-15
Applicant: 日本电气硝子株式会社
IPC: C03C3/087 , C03C3/091 , H01L21/683 , H01L23/12 , H01L23/32
Abstract: 本发明的支承玻璃基板的特征在于,30~380℃的温度范围的平均线热膨胀系数为30×10-7/℃以上且55×10-7/℃以下,杨氏模量为80GPa以上。
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公开(公告)号:CN108367961A
公开(公告)日:2018-08-03
申请号:CN201680069435.9
申请日:2016-12-07
Applicant: 日本电气硝子株式会社
Inventor: 铃木良太
IPC: C03B32/00 , H01L21/683 , H01L23/12
CPC classification number: C03B32/00 , H01L21/683 , H01L23/12
Abstract: 本发明的支承玻璃基板的制造方法的特征在于,是用于支承加工基板的支承玻璃基板的制造方法,该制造方法具备:成形工序:成形支承玻璃基板;和热处理工序:对成形后的支承玻璃基板进行热处理而使支承玻璃基板的热膨胀系数发生变动。
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公开(公告)号:CN106660855A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201580038593.3
申请日:2015-08-27
Applicant: 日本电气硝子株式会社
Inventor: 铃木良太
Abstract: 本发明的技术课题在于,通过创制不易发生加工基板的尺寸变化的支承基板、及使用其的层叠体,从而有助于半导体封装体的高密度安装。本发明的支承玻璃基板,其特征在于,在20~200℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数超过81×10-7/℃且为110×10-7/℃以下。
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公开(公告)号:CN101636819B
公开(公告)日:2011-08-31
申请号:CN200880008599.6
申请日:2008-10-28
Applicant: 日本电气硝子株式会社
IPC: H01L21/223
CPC classification number: H01L21/2225
Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B2O3挥发量多的掺杂剂源,并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO2为20~50摩尔%、Al2O3为30~60摩尔%(其中不包括30摩尔%)、B2O3为10~40摩尔%、RO(R是碱土金属)为2~10摩尔%的组成,或者,该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成,该硼成分挥发层含有SiO2为30~60摩尔%、Al2O3为10~30摩尔%、B2O3为15~50摩尔%、RO(R是碱土金属)为2~10摩尔%的组成,该耐热层含有SiO2为8~30摩尔%、Al2O3为50~85摩尔%、B2O3为5~20摩尔%、RO(R是碱土金属)为0.5~7摩尔%的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括:使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序;使得到的浆料成型,得到生片的工序;和对生片进行烧结的工序。
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公开(公告)号:CN118221348A
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN202410351117.8
申请日:2020-02-26
Applicant: 日本电气硝子株式会社
Inventor: 铃木良太
Abstract: 本发明的玻璃板的特征在于,作为玻璃组成,以质量%计含有SiO250~72%、Al2O3 0~22%、B2O3 15~38%、Li2O+Na2O+K2O 0~3%、MgO+CaO+SrO+BaO 0~12%,所述玻璃板在25℃、频率10GHz下的相对介电常数为5以下。
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公开(公告)号:CN111033687B
公开(公告)日:2023-10-24
申请号:CN201880054592.1
申请日:2018-06-28
Applicant: 日本电气硝子株式会社
Inventor: 铃木良太
Abstract: 本发明的支承玻璃基板是用于支承加工基板的支承玻璃基板,其特征在于,在支承玻璃基板的表面具备以点作为结构单元的信息识别部,并且从点扩展的裂纹在表面方向的平均长度为350μm以下。
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公开(公告)号:CN115636583A
公开(公告)日:2023-01-24
申请号:CN202211243838.4
申请日:2015-03-11
Applicant: 日本电气硝子株式会社
IPC: C03C3/091 , C03C3/093 , H01L21/683
Abstract: 一种支承玻璃基板,其在20~200℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数为66×10‑7/℃以上且81×10‑7/℃以下。
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公开(公告)号:CN112888663A
公开(公告)日:2021-06-01
申请号:CN201980066114.7
申请日:2019-10-08
Applicant: 日本电气硝子株式会社
IPC: C03C21/00
Abstract: 一种具有表面和厚度T的强化玻璃,将压缩应力设为正数,将拉伸应力设为负数,从表面起沿深度方向测定应力而得到的应力分布具备:在表面中压缩应力成为最大的第1峰P1、从第1峰P1起沿深度方向逐渐减小而应力成为极小的第1谷B1、从第1谷B1起沿深度方向应力逐渐增加而压缩应力成为极大的第2峰P2、和从第2峰P2起沿深度方向逐渐减小而拉伸应力成为最小的第2谷B2,第1峰P1处的压缩应力CSmax为500MPa以上,第2峰P2处的压缩应力CSp为15MPa~250MPa,第2峰P2的深度DOLp为厚度T的4%~20%。
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