掺杂剂源及其制造方法
    35.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101636819B

    公开(公告)日:2011-08-31

    申请号:CN200880008599.6

    申请日:2008-10-28

    CPC classification number: H01L21/2225

    Abstract: 本发明提供一种耐热性高且B2O3挥发量多的掺杂剂源,并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO2为20~50摩尔%、Al2O3为30~60摩尔%(其中不包括30摩尔%)、B2O3为10~40摩尔%、RO(R是碱土金属)为2~10摩尔%的组成,或者,该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成,该硼成分挥发层含有SiO2为30~60摩尔%、Al2O3为10~30摩尔%、B2O3为15~50摩尔%、RO(R是碱土金属)为2~10摩尔%的组成,该耐热层含有SiO2为8~30摩尔%、Al2O3为50~85摩尔%、B2O3为5~20摩尔%、RO(R是碱土金属)为0.5~7摩尔%的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括:使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序;使得到的浆料成型,得到生片的工序;和对生片进行烧结的工序。

    玻璃板
    36.
    发明公开
    玻璃板 审中-实审

    公开(公告)号:CN118221348A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410351117.8

    申请日:2020-02-26

    Inventor: 铃木良太

    Abstract: 本发明的玻璃板的特征在于,作为玻璃组成,以质量%计含有SiO250~72%、Al2O3 0~22%、B2O3 15~38%、Li2O+Na2O+K2O 0~3%、MgO+CaO+SrO+BaO 0~12%,所述玻璃板在25℃、频率10GHz下的相对介电常数为5以下。

    强化玻璃及强化玻璃的制造方法

    公开(公告)号:CN112888663A

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN201980066114.7

    申请日:2019-10-08

    Abstract: 一种具有表面和厚度T的强化玻璃,将压缩应力设为正数,将拉伸应力设为负数,从表面起沿深度方向测定应力而得到的应力分布具备:在表面中压缩应力成为最大的第1峰P1、从第1峰P1起沿深度方向逐渐减小而应力成为极小的第1谷B1、从第1谷B1起沿深度方向应力逐渐增加而压缩应力成为极大的第2峰P2、和从第2峰P2起沿深度方向逐渐减小而拉伸应力成为最小的第2谷B2,第1峰P1处的压缩应力CSmax为500MPa以上,第2峰P2处的压缩应力CSp为15MPa~250MPa,第2峰P2的深度DOLp为厚度T的4%~20%。

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