公开(公告)号：CN1509508A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN02810240.1

申请日：2002-06-12

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 古川佳彦 ,  岛田诚 ,  木内章喜 ,  落合真尚 ,  妹尾雅之

IPC: H01S5/02

CPC classification number: H01S5/028 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0286 ,  H01S5/1082 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明的半导体激光器元件，在基板上设置具有被n型层和p型夹着的活性层的半导体层，半导体层具有蚀刻形成的谐振器面和从谐振器面出射方向突出的突出部，其特征在于，从谐振器面到突出部的端面设置保护膜，从谐振器面出射的激光的垂直方向的光放射分布的放射半角比放射临界角大。

公开(公告)号：CN1249853A

公开(公告)日：2000-04-05

申请号：CN98803128.0

申请日：1998-01-08

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 长滨慎一 ,  妹尾雅之 ,  中村修二

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L33/04 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173

Abstract: 本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件,是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件,所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构,即可降低元器件所用电流、电压,实现效率高的元器件。