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公开(公告)号：CN112778921B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202011171730.X
申请日：2020-10-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/29 , C09J7/30 , C09J175/14 , C09J133/04 , C09J163/00 , C09J161/06 , C09J11/04 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及切割带和切割芯片接合薄膜。本发明所述的切割带是在基材层上层叠有粘合剂层的切割带，前述基材层由具备单一结构或层叠结构的树脂薄膜构成，前述基材层在100℃下的MD方向的热收缩率为20％以下，且以使用纳米压痕仪在25℃下测得的前述基材层的弹性模量与前述基材层的截面惯性矩之积的形式求出的弯曲硬度为40N·mm2以下。
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公开(公告)号：CN117799261B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410034620.0
申请日：2022-12-23
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: B32B27/30 , H01L33/56 , H01L33/58 , B32B27/36 , B32B27/08 , B32B17/10 , B32B27/00 , B32B3/08 , B32B3/30 , B32B7/06 , B32B38/10 , B32B38/00 , B32B37/00 , B32B37/10 , B32B27/06
Abstract: 提供在将光半导体元件密封的状态下外观性优异、且能够不易引起亮度不均的光半导体元件密封用片。光半导体元件密封用片(1)为用于对配置在基板(5)上的1个以上的光半导体元件(6)进行密封的片。光半导体元件密封用片(1)具备：与光半导体元件(6)接触的第一密封层(21)、层叠于第一密封层(21)的第二密封层(22)、以及层叠于第二密封层(22)的具有粘合性和/或粘接性的第三密封层(23)。第二密封层(22)和/或第三密封层(23)包含着色剂。选自第一密封层(21)、第二密封层(22)和第三密封层(23)组成的组中的1个以上为扩散功能层。
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公开(公告)号：CN117799261A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410034620.0
申请日：2022-12-23
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: B32B27/30 , H01L33/56 , H01L33/58 , B32B27/36 , B32B27/08 , B32B17/10 , B32B27/00 , B32B3/08 , B32B3/30 , B32B7/06 , B32B38/10 , B32B38/00 , B32B37/00 , B32B37/10 , B32B27/06
Abstract: 提供在将光半导体元件密封的状态下外观性优异、且能够不易引起亮度不均的光半导体元件密封用片。光半导体元件密封用片(1)为用于对配置在基板(5)上的1个以上的光半导体元件(6)进行密封的片。光半导体元件密封用片(1)具备：与光半导体元件(6)接触的第一密封层(21)、层叠于第一密封层(21)的第二密封层(22)、以及层叠于第二密封层(22)的具有粘合性和/或粘接性的第三密封层(23)。第二密封层(22)和/或第三密封层(23)包含着色剂。选自第一密封层(21)、第二密封层(22)和第三密封层(23)组成的组中的1个以上为扩散功能层。
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公开(公告)号：CN116805646A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310290325.7
申请日：2023-03-23
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供不易产生色偏且亮度较高的显示体。显示体(1)具备基板(2)、配置在基板上的多个光半导体元件(3a)～光半导体元件(3c)、以及将多个光半导体元件(3a)～光半导体元件(3c)密封的密封树脂层(4)。密封树脂层从光半导体元件(3a)～光半导体元件(3c)侧起依次包含着色层(41)和非着色层(42)。在通过光半导体元件(3a)的重心(GA)和与光半导体元件(3a)在同一像素(3)内相邻的光半导体元件(3b)的重心(GB)的、相对于基板表面而言的垂直面剖面中，着色层的位于光半导体元件(3a)的正面侧的部分的截面积(S1)小于着色层的位于光半导体元件(3a)与光半导体元件(3b)之间的部分的截面积(S2)。
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公开(公告)号：CN116805642A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310287806.2
申请日：2023-03-23
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供防止基板表面的反射的防反射性优异且亮度较高的显示体。显示体具备基板、配置在基板上的多个光半导体元件(3a～3c)及将多个光半导体元件密封的密封树脂层。密封树脂层包含着色层和非着色层，将通过光半导体元件(3a)的重心的相对于基板表面而言的垂线设为垂线(PA)，将通过光半导体元件(3a)的重心与同光半导体元件(3a)在同一像素内相邻的光半导体元件(3b)的重心之间的中点的、相对于基板表面而言的垂线设为垂线(PC)，垂线(PA)上的着色层的总厚度(HA)、垂线(PA)上的非着色层的总厚度(IA)、垂线(PC)上的着色层的总厚度(HC)和垂线(PC)上的非着色层的总厚度(IC)满足下述式子(1)，HA/HC＜IA/IC(1)。
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公开(公告)号：CN116423948A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202211664510.X
申请日：2022-12-23
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: B32B27/30 , B32B27/36 , B32B27/08 , B32B17/10 , B32B27/00 , B32B3/08 , B32B3/30 , B32B7/06 , B32B38/10 , B32B37/00 , B32B38/00 , B32B37/10 , B32B27/06 , H01L33/56 , H01L33/58
Abstract: 提供在将光半导体元件密封的状态下外观性优异、且能够不易引起亮度不均的光半导体元件密封用片。光半导体元件密封用片(1)为用于对配置在基板(5)上的1个以上的光半导体元件(6)进行密封的片。光半导体元件密封用片(1)具备：与光半导体元件(6)接触的第一密封层(21)、层叠于第一密封层(21)的第二密封层(22)、以及层叠于第二密封层(22)的具有粘合性和/或粘接性的第三密封层(23)。第二密封层(22)和/或第三密封层(23)包含着色剂。选自第一密封层(21)、第二密封层(22)和第三密封层(23)组成的组中的1个以上为扩散功能层。
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公开(公告)号：CN114958226A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210179145.7
申请日：2022-02-25
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/29 , C09J7/30 , C09J4/02 , C09J4/06 , C09J133/08 , G02F1/13357
Abstract: 本发明提供一种光半导体元件密封用片，其光半导体元件的密封性优异，并且使邻接的光半导体装置彼此分离时，不易发生片的缺损、邻接的光半导体装置的片的附着。光半导体元件密封用片(1)是用于将配置在基板(5)上的1个以上的光半导体元件(6)密封的片。光半导体元件密封用片(1)具备基材部(2)和密封部(3)，所述密封部(3)设置在基材部(2)的一个面上。密封部(3)用于将光半导体元件(6)密封，具有辐射线非固化性粘合剂层(32)和辐射线固化性树脂层(31)。辐射线固化性树脂层(31)包含具有辐射线聚合性官能团的聚合物。
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公开(公告)号：CN112778923A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011215646.3
申请日：2020-11-04
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明涉及切割带和切割芯片接合薄膜。提供一种切割带等，所述切割带具备基材层和粘合性比该基材层高的粘合剂层，通过对前述基材层进行差示扫描量热测定而测得的谱图具有在100℃以上且140℃以下的范围存在顶点的吸热峰，且该吸热峰的峰开始点与顶点的温度差为40℃以下。
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公开(公告)号：CN112080217A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010495568.0
申请日：2020-06-03
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/29 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供切割带及切割芯片接合薄膜。该切割带在基材上层叠有粘合剂层，上述基材具备：第1树脂层，其包含分子量分散度为5以下的第1树脂；第2树脂层，其层叠在上述第1树脂层的一个面上；和第3树脂层，其在与上述第1树脂层相反侧层叠于上述第2树脂层，上述第2树脂层的室温下的拉伸储能模量低于上述第1树脂层及上述第3树脂层。
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