公开(公告)号：CN115867436A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202180049608.1

申请日：2021-07-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宫本幸大 ,  梨木智刚

IPC: B32B27/00

Abstract: 层叠体朝着厚度方向的一面侧依次具备基材层和防污层。防污层包含具有全氟聚醚基的烷氧基硅烷化合物。所述层叠体的通过掠入射X射线衍射法中的面内衍射测定而测得的前述防污层的源自全氟聚醚基在面内方向上的周期排列性的峰的重心位置为以下。

公开(公告)号：CN114556064A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202080068969.6

申请日：2020-09-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 安井智史 ,  中岛一裕 ,  宫本幸大

IPC: G01K7/16

Abstract: 本发明的导电性膜(101)在包含树脂膜(5)的可挠性基板(40)的第一主面上具备金属薄膜(10)。可挠性基板的厚度为1mm以下。导电膜的加热尺寸变化率H1与从导电膜除去金属薄膜后的膜的加热尺寸变化率H2之差的绝对值|H2‑H1|优选为0.10％以下。存在以下倾向：|H2‑H1|越小，则将金属薄膜图案化后的温度传感器膜的起伏越受到抑制。

公开(公告)号：CN109313285B

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201780037625.7

申请日：2017-06-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宫本幸大 ,  金谷实 ,  梨木智刚

IPC: G02B1/115 ,  B32B7/023 ,  C23C14/08 ,  G02B1/14 ,  G02B1/18 ,  G02B5/30

Abstract: 本发明的防反射薄膜(100)在透明薄膜基材(1)的一个主表面具备包含折射率不同的多个薄膜(51、52、53、54)的防反射层(5)。防反射薄膜的透湿度为15～1000g/m2·24h。防反射层(5)的表面的压痕模量为20～100GPa，算术平均粗糙度Ra为3nm以下。防反射层的表面的算术平均粗糙度Ra优选为1.5nm以下。构成防反射层的薄膜通过例如溅射法而成膜。

公开(公告)号：CN112004664A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201980027637.0

申请日：2019-04-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 有本将治 ,  宫本幸大 ,  米泽秀行 ,  中井孝洋 ,  渡边太一 ,  陈晓雷 ,  片桐正义

IPC: B32B3/14 ,  B32B15/04

Abstract: 本发明涉及电磁波透过性金属光泽物品(1)，其具备：基体(10)、和在前述基体(10)上形成的金属层(12)，前述金属层(12)包含多个部分(12a)，所述多个部分(12a)中，至少一部分彼此处于不连续的状态，前述金属层(12)的反射雾度为15HU以下。

公开(公告)号：CN112004663A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201980027636.6

申请日：2019-04-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中井孝洋 ,  渡边太一 ,  陈晓雷 ,  北井秀幸 ,  米泽秀行 ,  宫本幸大 ,  有本将治

IPC: B32B3/14 ,  B32B15/04

Abstract: 本发明涉及电磁波透过性金属光泽物品(1)，其具备：基体(10)、和在前述基体(10)上形成的金属层(12)，前述金属层(12)的全反射光谱中的反射率的极大值处于380nm～780nm的范围。

公开(公告)号：CN105473756B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201580001616.3

申请日：2015-05-15

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宫本幸大 ,  佐佐和明 ,  待永广宣 ,  上田恵梨 ,  黑瀬爱美 ,  梨木智刚

IPC: C23C14/08 ,  B32B7/025 ,  B32B9/00 ,  C23C14/44 ,  C23C14/58 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/58 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806 ,  H01B1/02 ,  H01B3/426 ,  H01B3/427 ,  H01L31/022466

Abstract: 提供能够飞跃性提高晶体转化处理后的透明导电层相对于晶体转化处理前的透明导电层的电特性、实现进一步的低电阻化的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备薄膜基材(2)和形成于该基材的一个主表面(2a)的结晶质透明导电层(3)。晶体转化处理前的非晶质透明导电层的载流子密度na×1019为(10～60)×1019/cm3、霍尔迁移率μa为10～25cm2/V·s，晶体转化处理后的结晶质透明导电层(3)的载流子密度nc×1019为(80～150)×1019/cm3、霍尔迁移率μc为20～40cm2/V·s，由{(nc‑na)2+(μc‑μa)2}1/2定义的移动距离L为50～150。

公开(公告)号：CN109313285A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780037625.7

申请日：2017-06-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宫本幸大 ,  金谷实 ,  梨木智刚

IPC: G02B1/115 ,  B32B7/02 ,  C23C14/08 ,  G02B1/14 ,  G02B1/18 ,  G02B5/30

Abstract: 本发明的防反射薄膜(100)在透明薄膜基材(1)的一个主表面具备包含折射率不同的多个薄膜(51、52、53、54)的防反射层(5)。防反射薄膜的透湿度为15～1000g/m2·24h。防反射层(5)的表面的压痕模量为20～100GPa，算术平均粗糙度Ra为3nm以下。防反射层的表面的算术平均粗糙度Ra优选为1.5nm以下。构成防反射层的薄膜通过例如溅射法而成膜。

公开(公告)号：CN108684200A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201780008634.3

申请日：2017-01-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宫本幸大 ,  梨木智刚

IPC: B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  C23C14/08 ,  H01L31/048 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04

CPC classification number: B32B9/00 ,  C23C14/08 ,  H01L31/048 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04 ,  Y02E10/50

Abstract: 提供具有优异的透湿性及阻气性、并且具有优异的耐化学药品性、透明性、弯曲性及耐热性的层叠薄膜。本发明的层叠薄膜依次具有：基材；包含ZnO、Al及SiO2的第1氧化物层；以及由SiO2构成的第2氧化物层。1个实施方式中，第1氧化物层的厚度为10nm～100nm，第2氧化物层的厚度为10nm～100nm。1个实施方式中，层叠薄膜的透湿度为3.0×10-2g/m2/24hr以下、可见光的总透光率为84％以上。

公开(公告)号：CN108602316A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780008740.1

申请日：2017-01-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宫本幸大 ,  梨木智刚

IPC: B32B9/00 ,  C23C14/08 ,  H01L31/049 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04

CPC classification number: B32B9/00 ,  C23C14/08 ,  H01L31/049 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04 ,  Y02E10/50

Abstract: 提供具有优异的透湿性及阻气性、优异的耐化学药品性、透明性及弯曲性，并且具有非常优异的耐热性的层叠薄膜。本发明的层叠薄膜依次具有：第1硬涂层；基材；第2硬涂层；包含ZnO、Al及SiO2的第1氧化物层；以及由SiO2构成的第2氧化物层。1个实施方式中，层叠薄膜在95℃下加热1000小时后的收缩率为0.5％以下、在95℃下加热1000小时后的透湿度为3.0×10-2g/m2/24hr以下。

公开(公告)号：CN108602315A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780008631.X

申请日：2017-01-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宫本幸大 ,  梨木智刚

IPC: B32B9/00 ,  H01B5/14

CPC classification number: B32B9/00 ,  H01B5/14

Abstract: 提供同时满足优异的阻隔性和耐化学药品性的导电性层叠薄膜。本发明的导电性层叠薄膜(100)具有：基材(10)；在基材的一侧自该基材侧起依次设置的、包含ZnO、Al及SiO2的第1氧化物层(20)及表面保护层(40)；以及设置于基材的另一侧的导电层(50)。1个实施方式中，导电性层叠薄膜在第1氧化物层与表面保护层之间还具有由SiO2构成的第2氧化物层(30)。