公开(公告)号：CN114556064A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202080068969.6

申请日：2020-09-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 安井智史 ,  中岛一裕 ,  宫本幸大

IPC: G01K7/16

Abstract: 本发明的导电性膜(101)在包含树脂膜(5)的可挠性基板(40)的第一主面上具备金属薄膜(10)。可挠性基板的厚度为1mm以下。导电膜的加热尺寸变化率H1与从导电膜除去金属薄膜后的膜的加热尺寸变化率H2之差的绝对值|H2‑H1|优选为0.10％以下。存在以下倾向：|H2‑H1|越小，则将金属薄膜图案化后的温度传感器膜的起伏越受到抑制。

公开(公告)号：CN113412417A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202080012745.3

申请日：2020-01-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 澁谷克则 ,  宫本幸大 ,  安井智史

IPC: G01K7/18

Abstract: 导电薄膜(101)在树脂薄膜基材(50)的一个主表面上具备硅系薄膜作为基底层(20)并在其上具备镍薄膜(10)。导电性薄膜可以用于在树脂薄膜基材上具备经图案化的金属薄膜的温度传感器薄膜的制作。通过将导电薄膜的镍薄膜图案化，形成测温电阻部和连接于测温电阻部的引线部，由此可得到温度传感器薄膜。

公开(公告)号：CN113474626A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202080012751.9

申请日：2020-01-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宫本幸大 ,  中岛一裕 ,  安井智史

IPC: G01K7/18

Abstract: 温度传感器薄膜的制作中使用的导电薄膜(101)在树脂薄膜基材(50)的一个主表面上具备镍薄膜(10)。镍薄膜中的碳原子浓度优选1.0×1021atm/cm3以下。镍薄膜的X射线衍射图案中的镍的(111)面的衍射峰的半值宽度优选0.4°以下。通过将镍薄膜图案化，形成测温电阻部和连接于测温电阻部的引线部，由此可得到温度传感器薄膜。

公开(公告)号：CN116368345A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202180074312.5

申请日：2021-10-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 安井智史 ,  澁谷克则 ,  中岛一裕

IPC: G01B7/16

Abstract: 功能性薄膜(101)在柔性绝缘基材(50)的一个主面上具备应变电阻膜(10)。应变电阻膜是膜厚为150nm以下的氮化铬薄膜，在以CuKα射线作为X射线源的X射线衍射图中，2θ为60°～65°的范围的第二峰的强度I2相对于2θ为43°～45°的范围的第一峰的强度I1的强度比I2/I1为0.001以上。应变电阻膜不易产生由弯曲导致的裂纹且灵敏系数高。功能性薄膜适宜用于应变传感器。

公开(公告)号：CN114467151A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202080069058.5

申请日：2020-09-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 安井智史 ,  宫本幸大 ,  涩谷克则

IPC: H01B5/14 ,  G01K7/22 ,  H01B1/02 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明提供一种温度传感器膜，其在树脂膜基材上具备经图案化的金属薄膜，温度测定精度高。用于制作温度传感器膜的导电膜(102)在树脂膜基材(50)的一个主面上具备镍薄膜(10)。镍薄膜优选为镍的(111)面的面间隔小于0.2040nm。通过将镍薄膜图案化，而形成测温电阻部与连接于测温电阻部的引线部，从而可获得温度传感器膜。