公开(公告)号：CN102481666B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201080037144.4

申请日：2010-08-17

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 中川爱湖 ,  坂本刚志

IPC: B23K26/40 ,  B23K26/00 ,  B23K26/38 ,  H01L21/301

CPC classification number: H01L23/562 ,  B23K26/046 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/67092 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 可一边可靠地切断加工对象物，一边提升所得到的芯片的强度。将激光(L)照射于加工对象物(1)，将沿着切断预定线(5)延伸且在厚度方向上排列的改质区域(17、27、37、47)形成于加工对象物(1)。在此，以改质区域形成部分(17a)与改质区域非形成部分(17b)沿着切断预定线交替地存在的方式形成改质区域(17)，以改质区域形成部分(47a)与改质区域非形成部分(47b)沿着切断预定线交替地存在的方式形成改质区域(47)。因此，在进行切断而得到的芯片中，可抑制起因于所形成的改质区域(7)而使背面(21)侧及表面(3)侧的强度降低的情况。另一方面，由于从切断预定线(5)的一端侧遍及另一端侧而连续地形成位于改质区域(17、47)间的改质区域(27、37)，所以可靠地确保加工对象物(1)的切断性。

公开(公告)号：CN102741011B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201180007586.9

申请日：2011-01-05

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  荻原孝文

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/06 ,  B23K26/073 ,  B23K26/40 ,  H01L21/301

CPC classification number: B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/50

Abstract: 本发明的激光加工系统（400）中，准备多种用于作成调制图案的要素图案，对应于加工对象物的改质区域的形成条件，为了所对应的改质区域的形成从要素图案作成调制图案。而且，根据所作成的调制图案来调制激光，由所调制的激光的照射而在对象加工物形成改质区域。这样，对应于加工对象物的改质区域的形成条件，从预先准备的要素图案作成调制图案。

公开(公告)号：CN102554462B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201210032963.0

申请日：2007-07-03

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 杉浦隆二 ,  坂本刚志

IPC: B23K26/402 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/53 ,  H01L21/78 ,  C03B33/02

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  C03B33/0222

Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，其能够进行沿着切割预定线的加工对象物的高精度的切割。通过将聚焦点对准硅晶片(11)的内部在加工对象物(1)上照射激光，并使聚焦点沿着切割预定线(5)相对移动，由此，沿着切割预定线(5)分别形成位于加工对象物(1)的内部的改质区域(M1)、(M2)之后，在加工对象物(1)的内部形成位于改质区域(M1)和改质区域(M2)之间的改质区域(M3)。

公开(公告)号：CN101516566A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780034682.6

申请日：2007-09-18

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/06 ,  B23K26/40 ,  B28D5/00 ,  H01L21/301 ,  B23K101/40 ,  C03B33/09

CPC classification number: B28D5/00 ,  B23K26/009 ,  B23K26/0665 ,  B23K26/082 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K26/57 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D1/221 ,  C03B33/0222 ,  C03B33/074 ,  C03B33/091 ,  H01L21/78

Abstract: 通过向硅晶片(11)照射由金属膜(17)的表面(17a)反射的激光(L)的反射光，形成6列熔融处理区域(131、132)中最靠近金属膜(17)的表面(17a)的熔融处理区域(131)，该金属膜(17)与加工对象物(1)的作为激光入射面的表面(3)相对向。由此，能够使熔融处理区域(131)形成在极接近金属膜(17)的表面(17a)的位置。

公开(公告)号：CN101218664A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200680024607.7

申请日：2006-07-03

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  村松宪一

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/40 ,  B23K101/40

CPC classification number: B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供了一种加工对象物切断方法，即使在基板较厚的情况下，也能够在短时间内沿着切断预定线将包括基板以及具有多个功能元件并设置在基板的表面上的叠层部的加工对象物切断成各个功能元件。通过将聚光点(P)对准基板(4)的内部并从叠层部(16)侧照射激光(L)，从而沿着切断预定线，在基板(4)的内部形成从基板(4)的厚度方向的中心位置(CL)偏向基板(4)的背面(21)侧的第1改质区域(71)和从基板(4)的厚度方向的中心位置(CL)偏向基板(4)的表面(3)侧的第2改质区域(72)，并从第2改质区域(72)向基板(4)的表面(3)产生裂缝(24)。然后，在使贴于基板(4)的背面(21)的扩张带(23)扩张的状态下，使加工对象物(1)内产生应力以使裂缝(24)打开。

公开(公告)号：CN101057317A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200580038894.2

申请日：2005-11-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 杉浦隆二 ,  坂本刚志

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/40

CPC classification number: B28D5/0011 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50

Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，将形成有包含多个功能元件的层压部的衬底加以切断的时，特别地能够进行层压部的高精度的切断。在将保护胶带(22)粘贴在层压部(16)的表面(16a)后的状态下，将衬底(4)的背面(4b)作为激光入射面来照射激光(L)，由此使改质区域(7)沿着切断预定线而形成于衬底(4)的内部，并产生从改质区域(7)的表面侧端部(7a)起到达衬底(4)的表面(4a)的龟裂(24)。然后，在产生这样的龟裂(24)的状态下，将扩张胶带粘贴在衬底(4)的背面(4b)并使其扩张时，不仅可将衬底(4)而且可将切断预定线上的层压部(16)，即层间绝缘膜(17a，17b)，沿着切断预定线精度良好地切断。

公开(公告)号：CN1938827A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580010860.2

申请日：2005-03-25

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  福满宪志

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/00 ,  B23K101/40

CPC classification number: B28D5/0011 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50

Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，即使在形成有包括多个功能元件的叠层部的基板较厚的情况下，也可高精度地切断基板及叠层部。是通过将背面(21)作为激光射入面，使聚光点(P)对准于基板(4)的内部并照射激光(L)，在基板(4)的内部形成改质区域(71、72、73)。此时，在基板(4)的表面(3)及质量改质区域(71)的表面侧端部的距离为5μm～15μm的位置上，形成质量改质区域(71)。在上述位置形成质量改质区域(71)时，可使形成在基板(4)的表面(3)上的叠层部(16)(在此，为层间绝缘膜(17a、17b))与基板(4)一起沿着预定切断线精度良好地被切断。

公开(公告)号：CN114430706B

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202080065240.3

申请日：2020-09-16

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 佐野育 ,  坂本刚志

IPC: B23K26/402 ,  B23K26/53 ,  H01L21/322

Abstract: 本发明的激光加工装置具备：平台，支撑晶圆；激光照射单元，对晶圆照射激光；摄像单元，检测在半导体基板中传播的光；和控制部，构成为实行：以通过激光照射于晶圆在半导体基板的内部形成一个或多个改性区域的方式，来控制激光照射单元；基于从检测光的摄像单元输出的信号，来导出从改性区域延伸向半导体基板的背面侧延伸的龟裂即上龟裂的背面侧的前端的位置，并且基于该上龟裂的背面侧的前端的位置，来判定是否为龟裂到达状态。

公开(公告)号：CN118116798A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410253014.8

申请日：2019-10-02

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志 ,  铃木康孝 ,  佐野育

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/78 ,  B23K26/53 ,  H01L21/66

Abstract: 检查装置包括：支承晶片的载置台，其中，晶片在半导体衬底的内部形成有多排改性区域；光源，其输出对于半导体衬底具有透射性的光；和物镜，其使在半导体衬底中传播后的光通过；光检测部，其检测通过了物镜后的光；和检查部，其检查在多排改性区域中的最靠近正面的第1改性区域与最靠近第1改性区域的第2改性区域之间的检查区域中是否存在从1改性区域向背面侧延伸的裂纹的前端。物镜使焦点从背面侧对焦到检查区域内。光检测部检测在半导体衬底中从正面侧向背面侧传播的光。

公开(公告)号：CN117425539A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202280040598.X

申请日：2022-06-28

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 坂本刚志

IPC: B23K26/53 ,  H01L21/304 ,  H01L21/301 ,  B23K26/064

Abstract: 一种激光加工装置，具备：支撑部，其支撑对象物；光源，其输出激光；空间光调制器，其用于将自上述光源输出的上述激光根据调制图案进行调制并输出；聚光透镜，其用于将自上述空间光调制器输出的上述激光朝向上述对象物聚光，在上述对象物形成上述激光的聚光光点；移动部，其用于使上述聚光光点相对于上述对象物相对移动；及控制部，其至少控制上述光源、上述空间光调制器及上述移动部，以上述聚光光点的光束形状至少在较上述聚光光点的中心更靠近第一面侧，成为倾斜形状的方式，控制上述调制图案。