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公开(公告)号:CN208157416U
公开(公告)日:2018-11-27
申请号:CN201820677932.3
申请日:2018-05-08
Applicant: 大连芯冠科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 本实用新型公开一种可降低导通电阻提高运行可靠性的GaN HEMT器件,与现有技术不同的是InxAlyGa1-x-yN势垒层由矩阵排列的多个环组成,环的外侧是覆盖于沟道层上的源电极,环的内侧是覆盖于沟道层上的漏电极,在InxAlyGa1-x-yN势垒层、源电极及漏电极上有第一介质钝化层,所述栅电极是位于第一介质钝化层上且置于源电极及漏电极之间的环形,栅电极的下部穿过第一介质钝化层至InxAlyGa1-x-yN势垒层表面,在所述第一介质钝化层及栅电极的上表面覆有第二介质钝化层,在所述漏电极上有穿过第一介质钝化层及第二介质钝化层的通孔,在通孔内及第二介质钝化层上有扩展电极。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN216937375U
公开(公告)日:2022-07-12
申请号:CN202220725955.3
申请日:2022-03-30
Applicant: 大连芯冠科技有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种半自动半导体设备部件清洗机,包括机架、设置在机架上的第一清洗区和第二清洗区,第一清洗区包括第一药液槽单元和第一平台,第二清洗区包括第二平台、第二药液槽单元、吹干槽和第三平台,清洗机还包括活动设置在机架上且位于第二清洗区的机械手,机械手用于抓取或释放部件。清洗时,操作人员将部件置于第一药液槽单元的药液槽内浸泡,然后拿出置于第一平台上擦拭,擦拭完后的部件置于第二平台上,然后通过机械手抓取部件置于第二药液槽单元的药液槽内浸泡、吹干槽内吹干,然后置于第三平台上待取出,手动操作和自动操作相结合,互不干扰,大大提升清洗效率,可同时进行2批次以上部件的清洗,同时减少磕碰风险及部件污染风险。
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