公开(公告)号：CN107851406A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680040341.9

申请日：2016-07-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 村重正悟 ,  石田和泉 ,  小坂知裕 ,  冈部达 ,  原猛 ,  锦博彦

IPC: G09F9/30 ,  B81B3/00 ,  B81B7/04 ,  G02B26/02 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/22 ,  H05B33/24 ,  H05B33/26

Abstract: 抑制设置在有源矩阵基板的TFT与基板之间的膜的端部产生裂缝。有源矩阵基板具有多个TFT。有源矩阵基板11具备基板100、TFT、透光膜204以及保护膜Cap4。TFT与多个像素分别对应地设置在基板100上。透光膜204设置于TFT与基板100之间。保护膜Cap4覆盖透光膜204的不与基板100平行的端面204b。TFT具有栅极电极、栅极绝缘膜、半导体膜、漏极电极以及源极电极。保护膜Cap4配置于透光膜204与TFT的半导体膜之间。

公开(公告)号：CN106104810A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580013007.X

申请日：2015-03-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 锦博彦 ,  笹仓朗 ,  冈部达

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 半导体器件具备薄膜晶体管(100)，薄膜晶体管(100)包括衬底(1)、设置在衬底(1)上的栅极电极(3)、形成在栅极电极(3)上的栅极绝缘层(5)、形成在栅极绝缘层(5)上的岛状的氧化物半导体层(7)、以覆盖氧化物半导体层(7)的上表面(7u)和整个侧面(7e)的方式设置并且具有仅使氧化物半导体层(7)的上表面(7u)的一部分露出的单个开口部(9p)的保护层(9)、在单个开口部(9p)内与氧化物半导体层(7)分别接触的源极电极(11)和漏极电极(13)。

公开(公告)号：CN101903974B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200880121497.5

申请日：2008-09-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/52 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L2221/6835 ,  Y10T156/1064 ,  Y10T156/1189 ,  Y10T156/1195 ,  Y10T428/31504

Abstract: 本发明提供一种薄膜层叠器件的制造方法和显示装置的制造方法、以及薄膜层叠器件。薄膜层叠器件的制造方法为，利用粘合剂从弱粘合无机膜的上层膜和弱粘合无机膜的下层膜一侧将塑料基板贴合在支撑基板，使玻璃基板以比上层膜与下层膜之间的粘合力强的粘合力支撑塑料基板。在被玻璃基板支撑的塑料基板层叠多层薄膜。通过分离上层膜与下层膜，将层叠有多层薄膜的塑料基板从玻璃基板分离。

公开(公告)号：CN101558685A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200780044986.0

申请日：2007-07-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神崎庸辅 ,  锦博彦 ,  冈部达

IPC: H05B33/26 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01J9/221 ,  H01L27/3288 ,  H01L2251/5361 ,  H01L2251/568

Abstract: 本发明提供一种单色EL显示元件、单色EL背光源、显示装置和单色EL显示元件的制造方法。单色EL显示元件包括：基板；设置在基板上的多根信号线；多个像素电极，其分别通过连接配线与对应的上述多根信号线的一个电连接，作为整体构成矩阵，并且互相分离设置；和设置在上述多个像素电极上的单色EL层。

公开(公告)号：CN115004859B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202080094690.5

申请日：2020-01-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  斋田信介 ,  市川伸治 ,  郡司辽佑

IPC: H05B33/02 ,  H05B33/12 ,  H10K50/805 ,  H10K50/88 ,  H05B33/22 ,  G09F9/30 ,  H10K59/121 ,  H10K59/123

Abstract: 有机EL显示装置(1)的显示区域(D)在第一显示区域(D1)的内侧具有使在照相机中利用的光透射的第二显示区域(D2)。第二显示区域的第一电极(51)的面积小于第一显示区域的第一电极的面积。TFT层(20)的多个上层接触孔(36h)中，用于将第一显示区域的第一电极连接于TFT的第一上层接触孔(36h1)位于与边缘罩重叠的部位，用于将第二显示区域的第一电极连接于TFT的第二上层接触孔(36h2)位于与边缘罩的开口对应的部位。

公开(公告)号：CN112056005B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN201880092997.4

申请日：2018-05-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  斋田信介 ,  谷山博己 ,  郡司辽佑 ,  市川伸治 ,  有贺广司 ,  井上彬 ,  小原义博 ,  谷村康治 ,  仲田芳浩 ,  神村浩治

IPC: G09F9/00 ,  H05B33/06 ,  G09F9/30 ,  H05B33/02 ,  H05B33/22

Abstract: 在显示区域(D)中，各第一电源线(19g)和各第二电源线(16b)经由形成于第二无机绝缘膜的接触孔(Ha)电连接，各第二电源线(16b)与该各第一电源线(19g)交叉，各源极线(19f)与各第二电源线(16b)隔着第二无机绝缘膜以及第一有机绝缘膜交叉。

公开(公告)号：CN111937489B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201880091987.9

申请日：2018-03-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  斋田信介 ,  市川伸治 ,  谷山博己 ,  郡司辽佑 ,  有贺广司 ,  仲田芳浩 ,  谷村康治 ,  小原义博 ,  井上彬 ,  神村浩治 ,  家根田刚士

IPC: H10K59/00

Abstract: 与阳极(22)同层的第一导电层(22M)经由形成在非显示区域(DA)的平坦化膜(21)的第一狭缝(H1)及第二狭缝(H2)和与源极(SE)同层的第三导电层(SM)和阴极(25)连接，与第一狭缝(H1)和第二狭缝(H2)重叠的电容电极(CE)设置有同层的第二导电层(CM1/CM2)。

公开(公告)号：CN109075122B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN201780023732.4

申请日：2017-05-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  锦博彦 ,  家根田刚士

IPC: H01L21/768 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  H01L23/522 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供具有可靠性高的配线连接构造的有源矩阵基板、其制造方法和显示装置。第一金属配线(122)和第二金属配线(125)经由被导体化的IGZO层(124)电连接。此时，因为在第二金属配线(125)与ITO层(109)之间形成有钝化层(107)和有机绝缘膜(108)，所以第二金属配线(125)和ITO层(109)不接触而分离。由此，在第二金属配线(125)的铝层(125a)与ITO层(109)之间不会由于电蚀而发生接触不良，成为可靠性高的配线连接构造。

公开(公告)号：CN110121765B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201780080973.2

申请日：2017-12-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中岛伸二 ,  锦博彦 ,  见村浩英 ,  齐藤裕一 ,  武田悠二郎 ,  村重正悟 ,  石田和泉 ,  冈部达

IPC: H01L21/365 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，是具备基板(1)和氧化物半导体TFT的半导体装置的制造方法，氧化物半导体TFT支撑于基板(1)，以氧化物半导体膜为活性层，半导体装置的制造方法包括：工序(A)，准备包含含有In的第1有机金属化合物和含有Zn的第2有机金属化合物的MO气体；以及工序(B)，在将基板(1)加热到500℃以下的温度的状态下，对设置于腔室内的基板(1)供应MO气体和含有氧的气体，在基板(1)上通过MOCVD法生长含有In和Zn的氧化物半导体膜(2A)，工序(B)是在腔室内形成了等离子体(3)的状态下进行的。

公开(公告)号：CN114600556A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201980100939.6

申请日：2019-10-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  家根田刚士

IPC: H05B33/02 ,  H05B33/04 ,  H05B33/06 ,  H01L51/50 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32

Abstract: 在TFT层中，依次层叠半导体层、第一层间绝缘膜、第一配线层、第二层间绝缘膜、第二配线层、第三层间绝缘膜、第三配线层、第一平坦化膜、第四配线层及第二平坦化膜，在第三配线层与第四配线层之间设有第四层间绝缘膜(20a)，第四层间绝缘膜(20a)被设置为在第三配线层的第一边框配线(18h)及第二边框配线(18i)在俯视时相对的区域中，覆盖从第一平坦化膜及第二平坦化膜(22a)上形成的第一狭缝(Sa)露出的第一边框配线(18h)及第二边框配线(18i)中至少一方的显示区域侧的端部。