公开(公告)号：CN101523581A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780036647.8

申请日：2007-12-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 竹井美智子 ,  富安一秀 ,  福岛康守 ,  高藤裕 ,  守口正生 ,  德鲁斯·史蒂芬·罗伊

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L27/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443 ,  H01L24/83 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1229 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66772 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明提供一种能够实现半导体元件的细微化和低电阻化并且能够简化工序的半导体装置的制造方法、显示装置的制造方法、半导体装置、半导体元件的制造方法以及半导体元件。本发明的半导体装置的制造方法是制造在基板上具有半导体元件的半导体装置的方法，上述制造方法包括金属硅化物形成工序，该工序将具有硅层和金属层层叠结构的半导体元件转移到基板上，通过加热，由构成硅层中的金属层侧部分的硅和构成金属层中的硅层侧部分的金属形成金属硅化物。

公开(公告)号：CN1674222A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510062754.0

申请日：2005-03-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高藤裕 ,  福岛康守 ,  守口正生

IPC: H01L21/00 ,  H01L27/10 ,  H01L29/00 ,  G02F1/136 ,  G09F9/30 ,  G09G3/00

Abstract: 本发明的半导体基板具有：单晶Si基板，具有包含沟道区、源区和漏区的活性层，不具有阱结构和沟道截止区；栅绝缘膜，形成在上述单晶Si基板上；栅电极，形成在上述栅绝缘膜上；LOCOS氧化膜，形成在上述活性层的周围的上述单晶Si基板上，膜厚比上述栅绝缘膜的膜厚厚；以及绝缘膜，形成在上述栅电极和LOCOS氧化膜上。由此，提供一种半导体基板、半导体装置和它们的制造方法，在大型绝缘基板上形成非单晶Si半导体元件和单晶Si半导体元件而制造集成了高性能系统的半导体装置的情况下，能简化单晶Si部分的制造工序，且在转印到大型绝缘基板上后，不用高精度的光刻蚀法就能实现微细的单晶Si半导体元件的元件分离。