公开(公告)号：CN105993077B

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201580007789.6

申请日：2015-02-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 富田雅裕 ,  上田直树

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368

Abstract: 有源矩阵基板(100)具有设置有多个像素的显示区域(R1)和设置在显示区域的周围的边框区域(R2)，在边框区域设置有构成驱动电路的多个周边电路TFT(5)，多个周边电路TFT各自具有栅极电极(12)、源极电极(16)、漏极电极(18)和氧化物半导体层(14)，在多个周边电路TFT中的至少一部分周边电路TFT中，非对称地形成有源极连接区域(Rs)和漏极连接区域(Rd)，其中，源极连接区域(Rs)为氧化物半导体层与源极电极的连接区域，漏极连接区域(Rd)为氧化物半导体层与漏极电极的连接区域。

公开(公告)号：CN107111179A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580069666.5

申请日：2015-12-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 内田诚一 ,  冈田训明 ,  上田直树

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

Abstract: 本发明目的在于提高包括氧化物半导体TFT的显示装置的开口率。本发明的显示装置(100A)的第一基板(10)具有TFT(2)，该TFT(2)设于各像素中，且具有氧化物半导体层。第二基板(20)具有彩色滤光片层(22)及遮光层(21)。彩色滤光片层(22)中所含的第一彩色滤光片、第二彩色滤光片及第三彩色滤光片中的至少一个为，对波长450nm以下的可见光的平均透射率为0.2％以下。遮光层在设置有对波长450nm以下的可见光的平均透射率为0.2％以下的彩色滤光片的像素中，(a)具有薄膜晶体管遮光部(21t)，其沿着沟道长度方向(DL)延伸，且具有氧化物半导体层的沿着沟道宽度方向(DW)的长度以下的宽度；或者(b)具有薄膜晶体管遮光部，其沿着沟道宽度方向延伸，且具有氧化物半导体层的沿着沟道长度方向的长度以下的宽度；或者(c)不具有薄膜晶体管遮光部。

公开(公告)号：CN107078165A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580056327.3

申请日：2015-08-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 加藤纯男 ,  上田直树

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 半导体装置包括：包含栅极电极的第一金属层；设置在第一金属层上的第一绝缘层；设置在第一绝缘层上的氧化物半导体层；设置在氧化物半导体层上的第二绝缘层；设置在氧化物半导体层和第二绝缘层上且包含源极电极的第二金属层；设置在第二金属层上的第三绝缘层；和设置在第三绝缘层上的第一透明电极层。氧化物半导体层具有与栅极电极重叠的第一部分和从第一部分起横穿栅极电极的漏极电极侧的边缘地延伸设置的第二部分。第三绝缘层不包含有机绝缘层，在第二绝缘层和第三绝缘层中，形成有在从基板的法线方向看时与氧化物半导体层的第二部分重叠的第一接触孔。第一透明电极层包含在第一接触孔内与氧化物半导体层的第二部分接触的透明导电层。

公开(公告)号：CN105612617A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480055773.8

申请日：2014-09-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 上田直树 ,  加藤纯男

IPC: H01L27/10 ,  G11C16/02 ,  G11C16/04 ,  H01L29/786

CPC classification number: G11C17/16 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/18 ,  G11C19/184 ,  G11C19/28 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/53 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/11206 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/7869

Abstract: 存储单元(101)包含：存储晶体管(10A)，其具有沟道长度L1和沟道宽度W1；以及多个选择晶体管(10B)，其各自与存储晶体管串联电连接且独立地具有沟道长度L2和沟道宽度W2，存储晶体管和多个选择晶体管各自具有由共同的氧化物半导体膜形成的活性层(7A)，存储晶体管是能从漏极电流Ids依赖于栅极电压Vg的半导体状态不可逆地变为漏极电流Ids不依赖于栅极电压Vg的电阻体状态的晶体管，沟道长度L2大于沟道长度L1。

公开(公告)号：CN105452949A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480044668.4

申请日：2014-07-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 加藤纯男 ,  上田直树

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 半导体装置(100A)包括：具有栅极电极(12g)的第一金属层(12)；在第一金属层上形成的栅极绝缘层(14)；在栅极绝缘层上形成的氧化物半导体层(16)；在氧化物半导体层上形成的第二金属层(18)；在第二金属层上形成的层间绝缘层(22)；和具有透明导电层(Tc)的透明电极层(TE)，氧化物半导体层具有第一部分(16a)和横穿栅极电极的边缘地延长的第二部分(16b)，第二金属层具有源极电极(18s)和漏极电极(18d)，层间绝缘层不包含有机绝缘层，层间绝缘层具有以与第二部分以及漏极电极的靠近第二部分的一侧的端部重叠的方式形成的接触孔(22a)，透明导电层(Tc)在接触孔内与漏极电极的端部和氧化物半导体层的第二部分接触。