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公开(公告)号：CN101262016B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200810036559.4
申请日：2008-04-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/54
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于透明导电氧化物薄膜技术领域，具体为一种P型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺镍氧化铜(Cu1-xNixO)陶瓷靶，在基板温度为室温的条件下通过脉冲等离子体沉积技术(Pulsed Plasma Deposition，PPD)，在适当的氧气压、脉冲电流和脉冲电压的条件下制备获得具有非晶结构的P型导电透明Cu1-xNixO薄膜。所制备的薄膜具有高电导率、可见光范围内高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的P型导电透明氧化物薄膜在透明电子学和新型光电器件领域具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN100386470C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200510030773.5
申请日：2005-10-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明是一种采用新型渠道火花烧蚀法(Channel Spark Ablation，CSA)制备钙钛矿结构镧锶锰氧(La0.7Sr0.3MnO3，LSMO)薄膜的方法。本发明以LaAlO3(001)单晶基片为基板，在700-850℃的基板温度下通过渠道火花烧蚀技术，利用La0.7Sr0.3MnO3陶瓷靶在适当的氧气压、基板温度、脉冲电流和脉冲电压下，生长具有高度c轴取向性的La0.7Sr0.3MnO3薄膜。所制备的薄膜具有高于室温的居里温度，在室温下具有良好的电学性能和铁磁性能。本发明方法所获得的薄膜在自旋电子器件中具有良好的应用潜能。
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公开(公告)号：CN101079382A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710041159.8
申请日：2007-05-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/363 , H01L31/18 , C23C14/35 , C23C14/08
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为近红外高透射率多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法。所述导电氧化物薄膜为掺杂氧化铟In2O3:M(M＝W，Mo)。本发明以普通玻璃为基板，利用铟金属掺钨或钼的镶嵌靶，在基板温度为300－350℃条件下通过反应直流磁控溅射技术，在适当的溅射压强、氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备获得具有多晶结构的In2O3:M薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、高载流子迁移率、可见光范围高透射率、特别是近红外范围(700－2500nm)高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的薄膜在太阳能电池领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117357800A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311610079.5
申请日：2023-11-29
Applicant: 复旦大学附属华山医院
Abstract: 本发明提供了一种神经调控系统，包括：第一刺激器，具有至少一电极，被配置成对外周目标神经施加电刺激；侦测装置，与第一刺激器共同设置于同一肢体，以检测基于电刺激产生的外周目标神经传导时间；第二刺激器，具有至少一磁刺激线圈，被配置为对中枢神经施加磁刺激，侦测装置检测基于磁刺激产生的中枢运动传递时间；控制器，获得中枢运动传递时间与外周目标神经传导时间的时间差值，调控电刺激与磁刺激之间的时间差，令第一刺激器引发的第一反馈在时序上领先第二刺激器引发的第二反馈的时长等于时间差值。本发明能够通过匹配刺激外周目标神经和刺激大脑运动中枢的时间周期，实现改善大脑运动皮层对特定脊髓运动神经元的控制。
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公开(公告)号：CN114748795A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110028208.4
申请日：2021-01-08
Applicant: 复旦大学附属华山医院
IPC: A61N2/04
Abstract: 本发明涉及一种用于实现局灶性TMS干预的磁场屏蔽装置，包括上层硅钢板层、中层坡莫合金板层和下层隔热层，中间设有上下贯通的中孔。与现有技术相比，本发明构建外层不易饱和高导磁材料(硅钢)，联合内层易饱和高导磁材料(坡莫合金)所制作的复合磁屏蔽材料，可实现TMS磁场的屏蔽，而通过该复合磁屏蔽材料中心打孔，也可在不改变中心区域磁场强度及感应电场强度的情况下，进一步实现打孔区域的局部TMS刺激。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109742152A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811649070.4
申请日：2018-12-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体为一种稀土Er掺杂SnO2薄膜晶体管及其制备方法。本发明采用磁控溅射法在SiO2介质层上制备ErSnO沟道层，源漏电极采用ITO透明导电薄膜。本发明将稀土Er材料通过物理的方法掺杂进SnO2半导体中，有效地抑制了SnO2半导体的缺陷态。制备的场效应薄膜晶体管器件综合性能优良，器件场效应迁移率大于3.0 cm2V-1s-1，开关比大于106，阈值电压大于-9 V，亚阈值摆幅小于1 Vdec-1，具有广阔的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN109148593A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810775365.X
申请日：2018-07-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体为一种三元p型CuBi2O4薄膜晶体管及其制备方法。本发明采用射频磁控溅射技术在热氧化SiO2基片上制备p型CuBi2O4沟道层，源漏电极采用Au、Ni、Cu或ITO电极，形成具有一定p型调制功能的底栅结构型TFT器件。本发明制备的CuBi2O4沟道层具有稳定的p型半导体特性，器件结构简单且制备工艺与微电子兼容，在OLED显示以及透明电子电路中具有广阔的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN103489766A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310420583.9
申请日：2013-09-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/288 , H01L29/51 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/517 , H01L29/401 , H01L29/786
Abstract: 本发明属于氧化物介质层薄膜技术领域，具体为一种氧化镁钛高介电常数薄膜及其制备方法和应用。本发明以乙二醇单甲醚为溶剂，浓盐酸为稳定剂，将Mg(OC2H5)2、Ti(C4H9O)4溶解其中，形成澄清稳定的前驱体溶液；将前驱体溶液旋转涂覆于玻璃基板上，经预热处理及后续高温热处理得到氧化镁钛薄膜。本发明还涉及采用氧化镁钛作为栅介质层的薄膜晶体管。以氧化镁钛薄膜作为栅介质层材料的IZO薄膜晶体管，开关电流比为6×106，饱和迁移率为3.4cm2/Vs，亚阈值摆幅为0.32V/dec。
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公开(公告)号：CN103377562A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210177831.7
申请日：2012-05-31
Applicant: 复旦大学无锡研究院
IPC: G08G1/14
Abstract: 本发明涉及大型停车场智能管理系统技术，适用于大型停车场智能分配车位停车和取车管理。包括手持手持无线设备1，入口处闸机2，系统控制中心3，出口处闸机4，出口处摄像装置5，入口处摄像装置6，Zigbee控制装置7，无线传感控制装置8，车位9，车位处摄像装置10；系统控制中心3以有线方式连接入口处闸机2、出口处闸机4、出口处摄像装置5、入口处摄像装置6、各区域中的Zigbee控制装置7、车位处摄像装置10，通过各区域的Zigbee控制装置7和区域内的无线传感控制装置8与手持无线设备1进行数据和指令通信，实现语音引导停车和取车，实现停车场人性化的车位引导、收费、节能和安防功能，提高了停车场的利用率和管理效率，减少了人工作业量。
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公开(公告)号：CN103274435A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310191783.1
申请日：2013-05-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于晶体管制备技术领域，具体为一种氧化铝钛薄膜及其制备方法和应用。本发明采用溶胶凝胶法制备氧化铝钛薄膜。本发明以乙二醇单甲醚为溶剂，浓盐酸为添加剂，将Al(C4H9O)3、Ti(C4H9O)4溶解其中，形成澄清稳定的前驱体溶液；将前驱体溶液旋转涂覆于玻璃基板上，经预热处理及后续高温热处理得到氧化铝钛薄膜。本还涉及采用氧化铝钛作为栅介质层的薄膜晶体管的制备方法。以此作为栅介质层材料的IZO薄膜晶体管，开关电流比大于1×106，饱和迁移率大于1.1cm2/Vs，亚阈值摆幅小于1.5V/dec。
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