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公开(公告)号：CN111850168A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010673048.4
申请日：2020-07-14
Applicant: 复旦大学
IPC: C12Q1/70 , C12Q1/6825 , G01N27/414 , C12R1/93
Abstract: 本发明涉及一种检测病毒SARS-CoV-2核酸的场效应晶体管传感器及其制备方法和应用，该场效应晶体管传感器包括绝缘衬底、设于绝缘衬底上的半导体层及电极，所述半导体层上设有暴露的半导体沟道，所述半导体沟道内修饰固定DNA探针；所述DNA探针能够直接与待测新型冠状病毒SARS-CoV-2核酸序列结合在一起或能够和其逆转录后的DNA通过碱基互补配对结合在一起，使待测新型冠状病毒SARS-CoV-2核酸序列或待测新型冠状病毒核酸序列逆转录后的DNA接触到所述场效应晶体管传感器表面。本发明实现了准确检测新型冠状病毒核酸的目的，与目前检测病毒核酸所使用的普通聚合酶链式反应及荧光定量聚合酶链式反应方法相比，检测时间大大缩短，灵敏度高，特异性好，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105568253B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201610002671.0
申请日：2016-01-06
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/503
Abstract: 本发明属于六方氮化硼制备技术领域，具体为一种等离子体化学气相沉积设备生长六方氮化硼的方法。本发明通过加热硼氮源，基底材料放入等离子体化学气相沉积系统中的生长区域，抽真空到10‑3Torr，通入惰性气体，基底升温到300‑700℃；控制混合气体的气压不超过1.5Torr；当温度升高到生长温度时，开等离子体电源，功率在20‑100瓦之间，使硼氮源离化裂解，活性基团在等离子体的作用下发生反应，在边缘连接，在基底表面，按照成核‑长大的方式，生成六方氮化硼薄膜，反应时间在10‑60分钟之间。本发明方法反应温度低（300℃‑700℃）；整个过程没有催化剂，不需要后续催化剂的处理，避免了后期材料转移造成的破坏和污染。
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公开(公告)号：CN104803362B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201510166440.9
申请日：2015-04-10
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B21/064 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于无机合成技术领域，具体为一种六方氮化硼粉体和三维氮化硼的制备方法。本发明采用化学气相沉积法，以过渡金属单质粉末或含过渡金属元素的化合物为催化剂，经过高温还原反应，制备出多孔金属催化剂骨架；再利用化学气相沉积法生长六方氮化硼，获得带有催化剂骨架的六方氮化硼粉体和三维氮化硼；本发明操作简便、设备要求低、产率高；能实现氮化硼粉体和三维氮化硼的快速、大量制备，且所获三维氮化硼具有空隙小（100纳米‑100微米），密度大（可达100毫克每立方厘米）等优点，该三维氮化硼与氮化硼粉体在空间导热，催化剂载体及吸声防震等方面有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN107217242A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710360173.8
申请日：2017-05-20
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/50 , H01L21/318
Abstract: 本发明属于电子器件技术领域，具体为一种电子器件介电衬底的表面修饰方法。本发明是在介电衬底表面直接生长二维结构的六方氮化硼薄膜，厚度在1‑100nm之间，用于电子器件半导体与介电层之间界面的修饰。本发明通过控制原料浓度，达到等离子体气相沉积过程中生长与刻蚀的准平衡，从而实现二维结构的六方氮化硼薄膜在介电表面的非催化生长。本发明方法简单、成本低，应用中不需要转移工艺、与半导体工艺兼容、整个过程在低温下操作。本发明还能够在三维表面共型修饰上六方氮化硼薄膜，且可大面积制备。本发明能够提高载流子在电子器件半导体和介电层界面的迁移率，同时能够降低半导体和介电层界面的接触热阻，提高导热性质和器件稳定性。
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公开(公告)号：CN105523546A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610042947.8
申请日：2016-01-22
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B2204/20 , C01B2204/22 , C01B2204/32 , C01P2004/03
Abstract: 本发明属于石墨烯制备技术领域，具体公开了一种三维石墨烯的制备方法。本发明方法包括以下步骤：将氧化石墨烯分散获得氧化石墨烯水溶液；将三维金属泡沫浸入氧化石墨烯溶液，通过物理或化学方法获得孔内负载有石墨烯气凝胶的三维金属泡沫；以孔内负载有石墨烯气凝胶的三维金属泡沫为模板，利用化学气相沉积法，得到含基底的三维石墨烯；通过刻蚀清洗得到三维石墨烯。本发明工艺简单，能实现高质量、高密度三维石墨烯，为其在催化、储能、导热、吸附等领域的应用奠定了基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104556014A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510010198.6
申请日：2015-01-08
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明属于碳材料的技术领域，具体为一种临界条件下在非金属表面低温制备掺杂石墨烯的方法。该掺杂石墨烯是采用等离子体增强化学气相沉积法制备的，包括以下步骤：将干净衬底放入无氧的反应器中，使衬底的温度达到某种临界条件，然后向所述反应器中通入含有碳元素和掺杂元素物质经过等离子发生器处理得到的等离子体，最后在衬底表面得到掺杂石墨烯；其中，所述衬底为非金属衬底。本发明制备的掺杂石墨烯质量好，可以直接在非金属介电表面生长，反应温度低，制备方法操作方便，可用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN111952462B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010665708.4
申请日：2020-07-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域，具体为一种基于共价有机框架材料的紫外与可见光探测器及其制备方法。本发明方法包括：首先，制备半导体沟道暴露在外的晶体管器件；然后，在半导体沟道上沉积一层光敏性的共价有机框架材料；最后，将器件置于液体环境中，得到高性能的紫外与可见光探测器。本发明以光敏性的共价有机框架材料作为光能吸收材料，在液体辅助下可利用液固界面积累大量电荷，改变半导体沟道的掺杂状态和导电性，从而将光信号转化为电信号。本发明工艺简单，可实现紫外可见光（254纳米–760纳米）探测，响应度高，响应时间短，稳定性好，在信息、通讯、人工智能等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114634968B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202210186694.7
申请日：2022-02-28
Applicant: 复旦大学
IPC: C12Q1/68
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，具体为一种基于Argonaute蛋白的场效应晶体管核酸传感器及其制备方法。本发明的场效应晶体管核酸传感器包括：绝缘衬底；设置于绝缘衬底上的超薄半导体材料层；在超薄半导体材料层两端的源漏电极；所述超薄半导体材料表面上修饰Argonaute蛋白和引导链。在检测时，将该场效应晶体管传感器放置到检测溶液中，连接电学测试设备，向溶液中加入目标核酸，则可以实现痕量核酸分析物的检测。本发明实现了简便、快速和特异性地检测目标核酸的目的，与目前检测核酸所使用的传统核酸靶向光学测试方法相比，无需扩增，检测时间大大缩短，灵敏度高，特异性好，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117630134A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202211039705.5
申请日：2022-08-29
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/416 , C12Q1/6834
Abstract: 本发明涉及一种基于CRISPR‑Cas13蛋白的病毒RNA电学检测模块及应用。本发明的RNA电学检测模块包括：绝缘基底；设置在所述绝缘基底上的源极和漏极；设置在所述绝缘基底上并位于所述源极和漏极之间的半导体薄膜；与半导体薄膜相连的Cas13‑gRNA探针，其中Cas13蛋白通过共价键或范德华力与半导体薄膜表面相连，gRNA则结合Cas13蛋白形成复合物；其中，半导体薄膜在源极与漏极之间形成导电沟道，在绝缘基底上有进样槽并使进样槽内含半导体薄膜表面。检测时，将该检测模块与电学测试仪器相连，在进样槽中滴加待测样本溶液，通过电信号变化以判断样本中是否存在目标RNA分子。本发明结合了CRISPR‑Cas13蛋白与晶体管技术，成功实现了对目标RNA分子的即时、精准反馈。
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公开(公告)号：CN117082874A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202210483842.1
申请日：2022-05-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种高精度光刻图案化PVDF基铁电性介电层的制备方法与应用，制备方法包括：首先将铁电性PVDF基聚合物、环状或体状硅氧烷交联单体、光引发剂混合并配制成溶液，得到前驱体溶液；之后将前驱体溶液涂覆成膜，并进行图案化光照，再用显影剂将未曝光区域的膜料移除，即得到图案化PVDF基铁电性介电层；其中，铁电性PVDF基聚合物包括PVDF、P(VDF‑TrFE)、P(VDF‑TrFE‑CFE)的至少一种；环状或体状硅氧烷光交联单体包括含有丙烯酸、甲基丙烯酸、环氧官能团的环四硅氧烷或聚倍半硅氧烷。与现有技术相比，本发明制备的铁电性介电层具有半互穿结构，薄膜内部相分离尺度小于200nm，图案化分辨率小，精度高；铁电相结晶性以及晶畴尺寸与原始PVDF基聚合物薄膜无明显差异甚至更优。
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