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公开(公告)号：CN117082874A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202210483842.1
申请日：2022-05-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种高精度光刻图案化PVDF基铁电性介电层的制备方法与应用，制备方法包括：首先将铁电性PVDF基聚合物、环状或体状硅氧烷交联单体、光引发剂混合并配制成溶液，得到前驱体溶液；之后将前驱体溶液涂覆成膜，并进行图案化光照，再用显影剂将未曝光区域的膜料移除，即得到图案化PVDF基铁电性介电层；其中，铁电性PVDF基聚合物包括PVDF、P(VDF‑TrFE)、P(VDF‑TrFE‑CFE)的至少一种；环状或体状硅氧烷光交联单体包括含有丙烯酸、甲基丙烯酸、环氧官能团的环四硅氧烷或聚倍半硅氧烷。与现有技术相比，本发明制备的铁电性介电层具有半互穿结构，薄膜内部相分离尺度小于200nm，图案化分辨率小，精度高；铁电相结晶性以及晶畴尺寸与原始PVDF基聚合物薄膜无明显差异甚至更优。
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