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公开(公告)号：CN104803362B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201510166440.9
申请日：2015-04-10
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B21/064 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于无机合成技术领域，具体为一种六方氮化硼粉体和三维氮化硼的制备方法。本发明采用化学气相沉积法，以过渡金属单质粉末或含过渡金属元素的化合物为催化剂，经过高温还原反应，制备出多孔金属催化剂骨架；再利用化学气相沉积法生长六方氮化硼，获得带有催化剂骨架的六方氮化硼粉体和三维氮化硼；本发明操作简便、设备要求低、产率高；能实现氮化硼粉体和三维氮化硼的快速、大量制备，且所获三维氮化硼具有空隙小（100纳米‑100微米），密度大（可达100毫克每立方厘米）等优点，该三维氮化硼与氮化硼粉体在空间导热，催化剂载体及吸声防震等方面有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN107217242A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710360173.8
申请日：2017-05-20
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/50 , H01L21/318
Abstract: 本发明属于电子器件技术领域，具体为一种电子器件介电衬底的表面修饰方法。本发明是在介电衬底表面直接生长二维结构的六方氮化硼薄膜，厚度在1‑100nm之间，用于电子器件半导体与介电层之间界面的修饰。本发明通过控制原料浓度，达到等离子体气相沉积过程中生长与刻蚀的准平衡，从而实现二维结构的六方氮化硼薄膜在介电表面的非催化生长。本发明方法简单、成本低，应用中不需要转移工艺、与半导体工艺兼容、整个过程在低温下操作。本发明还能够在三维表面共型修饰上六方氮化硼薄膜，且可大面积制备。本发明能够提高载流子在电子器件半导体和介电层界面的迁移率，同时能够降低半导体和介电层界面的接触热阻，提高导热性质和器件稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104556014A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510010198.6
申请日：2015-01-08
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明属于碳材料的技术领域，具体为一种临界条件下在非金属表面低温制备掺杂石墨烯的方法。该掺杂石墨烯是采用等离子体增强化学气相沉积法制备的，包括以下步骤：将干净衬底放入无氧的反应器中，使衬底的温度达到某种临界条件，然后向所述反应器中通入含有碳元素和掺杂元素物质经过等离子发生器处理得到的等离子体，最后在衬底表面得到掺杂石墨烯；其中，所述衬底为非金属衬底。本发明制备的掺杂石墨烯质量好，可以直接在非金属介电表面生长，反应温度低，制备方法操作方便，可用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN107217242B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201710360173.8
申请日：2017-05-20
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/50 , H01L21/318
Abstract: 本发明属于电子器件技术领域，具体为一种电子器件介电衬底的表面修饰方法。本发明是在介电衬底表面直接生长二维结构的六方氮化硼薄膜，厚度在1‑100nm之间，用于电子器件半导体与介电层之间界面的修饰。本发明通过控制原料浓度，达到等离子体气相沉积过程中生长与刻蚀的准平衡，从而实现二维结构的六方氮化硼薄膜在介电表面的非催化生长。本发明方法简单、成本低，应用中不需要转移工艺、与半导体工艺兼容、整个过程在低温下操作。本发明还能够在三维表面共型修饰上六方氮化硼薄膜，且可大面积制备。本发明能够提高载流子在电子器件半导体和介电层界面的迁移率，同时能够降低半导体和介电层界面的接触热阻，提高导热性质和器件稳定性。
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公开(公告)号：CN105274500A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510698730.8
申请日：2015-10-24
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/513 , C23C16/26
Abstract: 本发明属于石墨烯制备技术领域，具体为一种等离子体增强化学气相沉积制备石墨烯的方法。本发明以固态碳为碳源，利用等离子增强化学气相沉积法生长石墨烯，其步骤为：（1）将衬底和活化后的固态碳置入等离子体增强化学气相沉积设备中的不同温区，抽真空；（2）将衬底和活化后的固态碳所在温区分别加热到相应温度，并通入气体；（3）打开等离子体发生器，生长石墨烯；（4）关闭加热电源，继续通入气体，快速冷却到室温，在衬底表面均匀生长出石墨烯。本发明方法中，固态碳来源广、成本低，生长温度低，对衬底的选择范围广，且能够得到完整、高质量的单层或多层石墨烯。
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公开(公告)号：CN104803362A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510166440.9
申请日：2015-04-10
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B21/064 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于无机合成技术领域，具体为一种六方氮化硼粉体和三维氮化硼的制备方法。本发明采用化学气相沉积法，以过渡金属单质粉末或含过渡金属元素的化合物为催化剂，经过高温还原反应，制备出多孔金属催化剂骨架；再利用化学气相沉积法生长六方氮化硼，获得带有催化剂骨架的六方氮化硼粉体和三维氮化硼；本发明操作简便、设备要求低、产率高；能实现氮化硼粉体和三维氮化硼的快速、大量制备，且所获三维氮化硼具有空隙小（100纳米-100微米），密度大（可达100毫克每立方厘米）等优点，该三维氮化硼与氮化硼粉体在空间导热，催化剂载体及吸声防震等方面有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN104556014B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510010198.6
申请日：2015-01-08
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明属于碳材料的技术领域，具体为一种临界条件下在非金属表面低温制备掺杂石墨烯的方法。该掺杂石墨烯是采用等离子体增强化学气相沉积法制备的，包括以下步骤：将干净衬底放入无氧的反应器中，使衬底的温度达到某种临界条件，然后向所述反应器中通入含有碳元素和掺杂元素物质经过等离子发生器处理得到的等离子体，最后在衬底表面得到掺杂石墨烯；其中，所述衬底为非金属衬底。本发明制备的掺杂石墨烯质量好，可以直接在非金属介电表面生长，反应温度低，制备方法操作方便，可用于大规模生产。
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