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公开(公告)号：CN105523546B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201610042947.8
申请日：2016-01-22
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明属于石墨烯制备技术领域，具体公开了一种三维石墨烯的制备方法。本发明方法包括以下步骤：将氧化石墨烯分散获得氧化石墨烯水溶液；将三维金属泡沫浸入氧化石墨烯溶液，通过物理或化学方法获得孔内负载有石墨烯气凝胶的三维金属泡沫；以孔内负载有石墨烯气凝胶的三维金属泡沫为模板，利用化学气相沉积法，得到含基底的三维石墨烯；通过刻蚀清洗得到三维石墨烯。本发明工艺简单，能实现高质量、高密度三维石墨烯，为其在催化、储能、导热、吸附等领域的应用奠定了基础。
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公开(公告)号：CN104803362A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510166440.9
申请日：2015-04-10
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B21/064 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于无机合成技术领域，具体为一种六方氮化硼粉体和三维氮化硼的制备方法。本发明采用化学气相沉积法，以过渡金属单质粉末或含过渡金属元素的化合物为催化剂，经过高温还原反应，制备出多孔金属催化剂骨架；再利用化学气相沉积法生长六方氮化硼，获得带有催化剂骨架的六方氮化硼粉体和三维氮化硼；本发明操作简便、设备要求低、产率高；能实现氮化硼粉体和三维氮化硼的快速、大量制备，且所获三维氮化硼具有空隙小（100纳米-100微米），密度大（可达100毫克每立方厘米）等优点，该三维氮化硼与氮化硼粉体在空间导热，催化剂载体及吸声防震等方面有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN107217242B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201710360173.8
申请日：2017-05-20
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/50 , H01L21/318
Abstract: 本发明属于电子器件技术领域，具体为一种电子器件介电衬底的表面修饰方法。本发明是在介电衬底表面直接生长二维结构的六方氮化硼薄膜，厚度在1‑100nm之间，用于电子器件半导体与介电层之间界面的修饰。本发明通过控制原料浓度，达到等离子体气相沉积过程中生长与刻蚀的准平衡，从而实现二维结构的六方氮化硼薄膜在介电表面的非催化生长。本发明方法简单、成本低，应用中不需要转移工艺、与半导体工艺兼容、整个过程在低温下操作。本发明还能够在三维表面共型修饰上六方氮化硼薄膜，且可大面积制备。本发明能够提高载流子在电子器件半导体和介电层界面的迁移率，同时能够降低半导体和介电层界面的接触热阻，提高导热性质和器件稳定性。
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公开(公告)号：CN106226283B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201610533715.2
申请日：2016-09-18
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明为一种拉曼增强衬底的制作方法。本发明将基底（无机衬底）放入等离子体化学气相沉积系统中的生长区域，通入含有碳元素的反应源气体，控制反应源气体的气压值为0.01Torr‑760Torr；控制基底温度在300‑1200℃，开等离子体电源，设定等离子体功率为1‑1000W，使反应源气体分子裂解，活性基团在等离子体的作用下发生反应，在基底表面，生成石墨烯量子点，通过调控生长温度和生长时间，制备不同尺寸的石墨烯量子点拉曼增强衬底。在所制备的拉曼增强衬底表面滴需要检测分子的溶液，通过激光拉曼仪器，测得高灵敏的拉曼增强信号。本发明制备的拉曼增强衬底，无污染，灵敏度高，可大面积制备，制备步骤简单容易实现。
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公开(公告)号：CN106226283A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610533715.2
申请日：2016-09-18
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明为一种拉曼增强衬底的制作方法。本发明将基底（无机衬底）放入等离子体化学气相沉积系统中的生长区域，通入含有碳元素的反应源气体，控制反应源气体的气压值为0.01Torr-760Torr；控制基底温度在300-1200℃，开等离子体电源，设定等离子体功率为1-1000W，使反应源气体分子裂解，活性基团在等离子体的作用下发生反应，在基底表面，生成石墨烯量子点，通过调控生长温度和生长时间，制备不同尺寸的石墨烯量子点拉曼增强衬底。在所制备的拉曼增强衬底表面滴需要检测分子的溶液，通过激光拉曼仪器，测得高灵敏的拉曼增强信号。本发明制备的拉曼增强衬底，无污染，灵敏度高，可大面积制备，制备步骤简单容易实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105274500A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510698730.8
申请日：2015-10-24
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/513 , C23C16/26
Abstract: 本发明属于石墨烯制备技术领域，具体为一种等离子体增强化学气相沉积制备石墨烯的方法。本发明以固态碳为碳源，利用等离子增强化学气相沉积法生长石墨烯，其步骤为：（1）将衬底和活化后的固态碳置入等离子体增强化学气相沉积设备中的不同温区，抽真空；（2）将衬底和活化后的固态碳所在温区分别加热到相应温度，并通入气体；（3）打开等离子体发生器，生长石墨烯；（4）关闭加热电源，继续通入气体，快速冷却到室温，在衬底表面均匀生长出石墨烯。本发明方法中，固态碳来源广、成本低，生长温度低，对衬底的选择范围广，且能够得到完整、高质量的单层或多层石墨烯。
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公开(公告)号：CN105568253A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610002671.0
申请日：2016-01-06
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/503
CPC classification number: C23C16/342 , C23C16/503
Abstract: 本发明属于六方氮化硼制备技术领域，具体为一种等离子体化学气相沉积设备生长六方氮化硼的方法。本发明通过加热硼氮源，基底材料放入等离子体化学气相沉积系统中的生长区域，抽真空到10-3Torr，通入惰性气体，基底升温到300-700℃；控制混合气体的气压不超过1.5Torr；当温度升高到生长温度时，开等离子体电源，功率在20-100瓦之间，使硼氮源离化裂解，活性基团在等离子体的作用下发生反应，在边缘连接，在基底表面，按照成核-长大的方式，生成六方氮化硼薄膜，反应时间在10-60分钟之间。本发明方法反应温度低（300℃-700℃）；整个过程没有催化剂，不需要后续催化剂的处理，避免了后期材料转移造成的破坏和污染。
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公开(公告)号：CN105568253B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201610002671.0
申请日：2016-01-06
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/503
Abstract: 本发明属于六方氮化硼制备技术领域，具体为一种等离子体化学气相沉积设备生长六方氮化硼的方法。本发明通过加热硼氮源，基底材料放入等离子体化学气相沉积系统中的生长区域，抽真空到10‑3Torr，通入惰性气体，基底升温到300‑700℃；控制混合气体的气压不超过1.5Torr；当温度升高到生长温度时，开等离子体电源，功率在20‑100瓦之间，使硼氮源离化裂解，活性基团在等离子体的作用下发生反应，在边缘连接，在基底表面，按照成核‑长大的方式，生成六方氮化硼薄膜，反应时间在10‑60分钟之间。本发明方法反应温度低（300℃‑700℃）；整个过程没有催化剂，不需要后续催化剂的处理，避免了后期材料转移造成的破坏和污染。
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公开(公告)号：CN104803362B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201510166440.9
申请日：2015-04-10
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B21/064 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于无机合成技术领域，具体为一种六方氮化硼粉体和三维氮化硼的制备方法。本发明采用化学气相沉积法，以过渡金属单质粉末或含过渡金属元素的化合物为催化剂，经过高温还原反应，制备出多孔金属催化剂骨架；再利用化学气相沉积法生长六方氮化硼，获得带有催化剂骨架的六方氮化硼粉体和三维氮化硼；本发明操作简便、设备要求低、产率高；能实现氮化硼粉体和三维氮化硼的快速、大量制备，且所获三维氮化硼具有空隙小（100纳米‑100微米），密度大（可达100毫克每立方厘米）等优点，该三维氮化硼与氮化硼粉体在空间导热，催化剂载体及吸声防震等方面有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN107217242A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710360173.8
申请日：2017-05-20
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/50 , H01L21/318
Abstract: 本发明属于电子器件技术领域，具体为一种电子器件介电衬底的表面修饰方法。本发明是在介电衬底表面直接生长二维结构的六方氮化硼薄膜，厚度在1‑100nm之间，用于电子器件半导体与介电层之间界面的修饰。本发明通过控制原料浓度，达到等离子体气相沉积过程中生长与刻蚀的准平衡，从而实现二维结构的六方氮化硼薄膜在介电表面的非催化生长。本发明方法简单、成本低，应用中不需要转移工艺、与半导体工艺兼容、整个过程在低温下操作。本发明还能够在三维表面共型修饰上六方氮化硼薄膜，且可大面积制备。本发明能够提高载流子在电子器件半导体和介电层界面的迁移率，同时能够降低半导体和介电层界面的接触热阻，提高导热性质和器件稳定性。
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