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公开(公告)号：CN111864063A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010658432.7
申请日：2020-07-09
Applicant: 复旦大学
Inventor： 张卫 , 刘子玉 , 陈琳 , 孙清清
IPC: H01L49/02
Abstract: 本公开涉及一种三维电容制备方法，属于半导体技术领域，其所制备的三维电容的占用面积小，能够极大地提高芯片上面积利用率。一种三维电容制备方法，包括：在衬底中形成通孔；在所述通孔的内壁和所述衬底的表面上形成图形化的第一电极层，所述第一电极层包括由二维材料形成的电极层；在所述第一电极层上形成绝缘介质层；以及在所述绝缘介质层上形成第二电极层。
