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公开(公告)号：CN113220417A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110487711.6
申请日：2021-05-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F9/455
Abstract: 本发明公开了一种限制Docker容器行为的安全防护方法，主要解决现有Docker安全性不足的问题。其实现方案为：分别在每个容器、每个运行工具、Docker引擎上创建包括有行为规范规则的AppArmor配置文件，以限制各自的访问功能，实现容器在非法行为发生时强制停止运行；建立一个可视化行为监控平台，实时监控Docker容器的行为规范，实现当容器强制停止时，平台能发出警报，当非法行为再次出现时，平台能在容器强制停止之前及时发出警报。本发明可保护容器免受非法行为的攻击，并从运营维护的角度监控容器行为，减少因容器强制停止运行带来的损失，进一步保证了容器的安全性能，可用于安全保护系统。
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公开(公告)号：CN102723355A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210220695.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0634 , H01L29/0653 , H01L29/0878 , H01L29/7397
Abstract: 本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有半导体器件在介质槽相对大间距、小密度情况下无法发挥高K介质作用问题，提供了一种槽栅半导体功率器件，其技术方案可概括为：槽栅半导体功率器件，其在半导体漂移区左右两侧增加了两个高K介质区，半导体漂移区中第一半导体区的两侧与两个第二半导体区相接触，两个高K介质区分别与两个第二半导体区的另一侧相接触。本发明的有益效果是，降低比导通电阻，提高耐压，适用于MOS器件或MOS控制的半导体器件。
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公开(公告)号：CN119515706A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202510066205.8
申请日：2025-01-16
Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G06T5/60 , G06T5/50 , G06N3/084 , G06N3/0455 , G06N3/0464
Abstract: 本发明属于图像处理技术领域，涉及一种基于KAN的空频双域隐式引导采样遥感图像融合方法，包括训练样本构建，创建基于KAN的空频双域隐式引导采样网络，网络训练及将待融合图像输入至训练好的网络中，经过映射生成融合后的高空间分辨率和高光谱分辨率的融合图像。网络包括编码单元、空间隐式引导单元、频率隐式引导单元及解码单元，编码单元由并行的KAN构成将高光谱和多光谱遥感图像映射到深度潜在空间，空间隐式引导单元和频率隐式引导单元分别在空间和频域对HSI进行引导式隐式采样，解码单元对空频域采样特征进行融合并生成最终的融合图像。本发明为纯KAN驱动的架构，取代了以往对多层感知器的依赖，具有较好的轻量化程度。
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公开(公告)号：CN117466546A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311505280.7
申请日：2023-11-13
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种基于聚苯乙烯微球和DNA折纸法制备超表面结构的方法，其包括以下步骤：将实验所用玻璃基底进行RCA处理，除掉表面杂质。接着将基底浸泡在食人鱼溶液中进行表面处理，使其表面形成羟基基团。处理过的玻璃表面通过提拉法形成致密的单层PS球结构，通过HMDS在表面形成HMDS薄膜，在水中超声剥离PS球形成规则的阵列位点，将预先形成好的DNA折纸结构沉积于基底表面，在羟基作用下折纸结构准确吸附在阵列位点上，清洗基底表面去除非特异性结合折纸结构，形成超表面结构。优点是对设备和环境要求低，制备成本低，折纸结构可形成各种纳米结构或在表面接各种金属离子，形成多种复杂超表面结构如等离子体结构及手形结构等。
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公开(公告)号：CN115629360A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211645220.0
申请日：2022-12-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S7/38
Abstract: 本发明公开了一种线性调频的短脉冲采样调制转发干扰信号生成方法，应用于干扰机，包括以下步骤：步骤10，接收雷达发出的雷达发射脉冲信号；步骤20，将雷达发射脉冲信号处理后进行采样，得到前端雷达脉冲信号；步骤30，将前端雷达脉冲信号进行多次复制，得到第一干扰信号；步骤40，将第一干扰信号调制上噪声信号，得到第二干扰信号；步骤50，进行扫频处理，得到目标干扰信号；步骤60，进行D/A转换后进行低通滤波处理；步骤70，通过混频器上变频到雷达的中心载波频率后输出回波干扰信号。本发明兼顾相参的增益以及采样处理效率，且兼具压制干扰与欺骗干扰的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118914989A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411011832.3
申请日：2024-07-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S7/38
Abstract: 本发明涉及一种有源欺骗干扰方法及装置，包括：构建待掩护目标对应的干扰散射系数模板；根据SAR平台发射的信号获取在待掩护目标处产生的回波信号和待掩护目标处接收到的接收信号；根据干扰机和回波信号生成对消信号；根据接收信号和干扰散射系数模板生成欺骗模板信号；将对消信号和欺骗模板信号发射至SAR平台，以对SAR平台进行欺骗干扰。本发明通过干扰机构建与回波信号相关的对消信号以隐藏待掩护目标的主要特征，再构建与待掩护目标周围场景差异性低的干扰散射系数模板，利用接收信号和干扰散射系数模板生成欺骗模板信号，干扰SAR平台对待掩护目标的识别，达到掩护重要目标或区域的作用，具有较好的欺骗性和隐蔽性。
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公开(公告)号：CN118643525A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410681326.9
申请日：2024-05-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06F21/62 , G06N3/0499 , G06N3/098
Abstract: 本发明涉及联邦学习数据隐私技术领域，具体涉及一种基于双掩码且高效的隐私保护联邦学习训练方法，通过传输延迟的方法将联邦学习的所有参与者进行区域划分，并在每个区域设置边缘计算节点。参与者通过计算矢量方向差对持有数据进行质量评估，并通过添加随机致盲因子和数据分割方法对本地梯度和数据评估值进行加密并上传给边缘计算节点进行聚合；边缘节点在区域内对接收到的数据进行聚合后，协同云服务器进行全局模型的迭代，获得最终模型。本发明采用随机致盲因子和数据分割等技术，在保证参与者私有数据隐私的同时，降低了低质量数据对模型精度的负面影响，且更加高效的完成模型训练。
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公开(公告)号：CN113220417B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110487711.6
申请日：2021-05-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F9/455
Abstract: 本发明公开了一种限制Docker容器行为的安全防护方法，主要解决现有Docker安全性不足的问题。其实现方案为：分别在每个容器、每个运行工具、Docker引擎上创建包括有行为规范规则的AppArmor配置文件，以限制各自的访问功能，实现容器在非法行为发生时强制停止运行；建立一个可视化行为监控平台，实时监控Docker容器的行为规范，实现当容器强制停止时，平台能发出警报，当非法行为再次出现时，平台能在容器强制停止之前及时发出警报。本发明可保护容器免受非法行为的攻击，并从运营维护的角度监控容器行为，减少因容器强制停止运行带来的损失，进一步保证了容器的安全性能，可用于安全保护系统。
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公开(公告)号：CN110451949A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910720062.2
申请日：2019-08-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及低温烧结陶瓷技术领域，尤其涉及一种Bi2O3陶瓷的冷压烧结方法及冷压烧结装置，包括固定连接在一起的控制箱、进料装置和烧结装置，所述烧结装置包括机壳，所述机壳的上端面固定安装有上成型液压机，所述上成型液压机的主轴上固定安装有上模具芯，所述机壳的下端面于上成型液压机对应的位置固定安装有下成型液压机，所述下成型液压机的主轴上固定安装有下模具芯，所述机壳的侧壁上固定安装有安装台，所述安装台上可拆卸安装有模具，所述模具的外壁上安装有加热机构。本发明的一种Bi2O3陶瓷的冷压烧结方法及冷压烧结装置，可以实现高致密的Bi2O3陶瓷，所加工的Bi2O3陶瓷具有成品率高、表面清洁和具备工业化批量流水线制造的优点。
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公开(公告)号：CN102738240B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210179867.9
申请日：2012-06-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 一种双栅功率MOSFET器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在普通双栅LDMOS器件的基础上，通过将与漏极金属相连的漏极接触区向有源层下方延伸，形成纵向漏极接触区（12a），并在有源层和衬底之间引入一层与纵向漏极接触区（12a）下端相连的重掺杂埋层—即横向漏极接触区（12b），缩短了电流导通路径，同时采用双栅结构形成双电流通道，提高电流流通面积，大大降低导通电阻和功耗；对于相同的器件横向尺寸，器件耐压仅略微下降。
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