基板处理装置
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1933901A

    公开(公告)日:2007-03-21

    申请号:CN200580009276.5

    申请日:2005-06-17

    CPC classification number: G05D7/0658 B01J4/008

    Abstract: 本发明的基板处理装置设置有从设置在供给处理气体的气体供给系统的处理室(11)的入口附近的开关阀(13d、14d)的上游侧分支,并连接到排气管(17)的分支配管(18)。在该分支配管(18)上插入气体流量检测机构(19),并设置用于将流路切换到处理室(11)侧和分支配管(18)的开关阀(13h、14h)。气体流路检测机构(19)使气体在电阻体中流通并测量其两端的压力来从压力差中检测出气体流量。通过该检测值,检测或校正质量流量控制器(13a、14a)。

    半导体制造装置和半导体制造方法

    公开(公告)号:CN1751280A

    公开(公告)日:2006-03-22

    申请号:CN200480004339.3

    申请日:2004-07-14

    CPC classification number: G05D7/0635 G01F1/68 G01F15/024 G01F25/0007

    Abstract: 本发明的半导体制造装置具有:用于对基板进行处理而在基板上制造半导体装置的处理部;用于向所述处理部供给所述基板的处理所需要的流体的流体供给通路;输出与所述流体的设定流量对应的设定电压的设定电压输出部;设置在所述流体供给通路中、根据所述设定电压调整所述流体的流量的质量流量控制器;设置在所述流体供给通路中的所述质量流量控制器的上游侧的第一遮断阀;和设置在所述流体供给通路中的所述质量流量控制器的下游侧的第二遮断阀。所述质量流量控制器具有:检测所述流体的实际的流量而输出对应的检测电压的检测部;将所述设定电压与所述检测电压比较而输出操作信号的比较部;和根据所述操作信号调整流体的流量的流量调整部。设置了存储所述第一遮断阀和所述第二遮断阀关闭时从所述质量流量控制器的所述检测部输出的检测电压的存储部。设置了根据所述存储部存储的检测电压,按照补偿所述流体的实际流量为零时的检测电压的变化的方式修正所述设定电压的设定电压修正部。

    原料气体供给系统和原料气体供给方法

    公开(公告)号:CN114391051B

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202080063295.0

    申请日:2020-09-09

    Abstract: 本发明为一种对处理装置供给原料气体的原料气体供给系统,所述原料气体是通过将固体原料气化来生成的,所述原料气体供给系统包括:将所述固体原料气化来生成所述原料气体的气化装置;送出机构,其从贮存有分散系的贮存容器向所述气化装置送出所述分散系,其中,所述分散系是在液体中分散所述固态原料而成的;和分离机构,其在所述气化装置内从所述分散系中分离出所述固体原料。

    处理基板的装置、原料盒、处理基板的方法和制造原料盒的方法

    公开(公告)号:CN114616356A

    公开(公告)日:2022-06-10

    申请号:CN202080074643.4

    申请日:2020-10-26

    Abstract: 对用于制造半导体装置的基板进行处理的装置具有构成为向收纳有基板的腔室供给处理气体的处理气体供给部,上述处理气体供给部具有:原料盒,其具有收纳有多孔质部件的原料罐,该多孔质部件包含吸附上述处理气体的原料的气体分子的金属有机结构体;主体部,其构成为在安装原料盒时使上述原料罐与上述处理气体供给流路连通;和脱附机构,其构成为实施使吸附于上述金属有机结构体的上述原料的气体分子脱附、作为处理气体向处理气体供给流路流出的操作。

    原料供给装置和原料供给方法
    36.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114402093A

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202080064709.1

    申请日:2020-09-15

    Abstract: 本发明的一个方式的原料供给装置包括:容器,其用于贮存使第一固体原料溶解于溶剂而得到的溶液或使第一固体原料分散于分散介质而得到的分散体系;注入部,其用于将所述溶液或所述分散体系进行喷雾而注入到所述容器内;排气口,其用于对所述容器内进行排气;加热部,其用于对通过从所述溶液或分散体系除去所述溶剂或所述分散介质而形成的第二固体原料进行加热;和设置在所述容器内的所述注入部与所述排气口之间的堆积部,其用于使所述第二固体原料堆积。

    气体导入机构及热处理装置

    公开(公告)号:CN108538748A

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201810158626.3

    申请日:2018-02-26

    CPC classification number: H01L21/67017 H01L21/67109

    Abstract: 本发明提供一种气体导入机构及热处理装置,能够防止气体在歧管与喷射器的连接部分泄漏。一实施方式的气体导入机构具有:纵长的处理容器;喷射器,其沿着所述处理容器的内周壁的纵向方向设置,并且被设为至少在所述处理容器的下部与所述内周壁之间具有间隔;歧管,其从下方支承所述喷射器;推压力产生构件,其在所述喷射器的下部对所述喷射器施加从下方朝向上方的推压力;以及限制构件,其用于限制所述喷射器向上方移动。

    半导体处理用的成膜装置及其使用方法

    公开(公告)号:CN101144181B

    公开(公告)日:2012-04-04

    申请号:CN200710139047.6

    申请日:2007-07-24

    CPC classification number: C23C16/4405 H01L21/3185

    Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置的使用方法,在卤素酸性气体的气体供给源与流量控制器之间的上游气体流路内形成第一环境。设定上述第一环境,使上述卤素酸性气体的平均分子量为20~23。该使用方法从上述气体供给源,通过已形成上述第一环境的上述上游气体流路和上述流量控制器,供给上述卤素酸性气体,并将含有上述卤素酸性气体的清洁气体供给至上述成膜装置的反应室内。利用这样供给的上述清洁气体蚀刻并除去附着在上述反应室内面的副生成物膜。

    液体原料气化器及使用该液体原料气化器的成膜装置

    公开(公告)号:CN101939827A

    公开(公告)日:2011-01-05

    申请号:CN200880126474.3

    申请日:2008-12-08

    CPC classification number: H01L21/31645 C23C16/4486

    Abstract: 本发明提供一种液体原料气化器以及使用该液体原料气化器的成膜装置,在使液体原料的液滴通过通气性部件而气化时,能够使整个通气性部件的温度变得均匀,能够防止因气化不完全引起的网眼堵塞。液体原料气化器(300)具有:使液体原料成为液滴状并向气化空间(350)喷出的液体原料供给部(300A);气化部(300B);将来自液体原料供给部的液滴状的液体原料向气化部内导入的导入口(338);配置在气化部内且由通气性部件(362)构成的雾气收集部(360),该通气性部件由通过辐射热被加热的材料构成;辐射热加热器(370),对通气性部件的整个外侧表面照射热射线,并通过该辐射热对通气性部件进行加热;送出口(340),其将原料气体送出到外部,原料气体是通过使液滴状的液体原料通过被加热的通气性部件而气化生成的。

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