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公开(公告)号：CN104928641B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510415525.6
申请日：2015-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法，本发明涉及氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。本发明要解决现有VO2薄膜红外透过率低和耐候性差的问题。方法：一、清洗；二、镀膜前准备工作；三、镀制VO2薄膜；四、退火；五、镀制SiO2薄膜；六、关机，即完成氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。本发明用于氧化硅红外增透氧化钒薄膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN103982894B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410252555.5
申请日：2014-06-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种气化半焦类难燃细颗粒燃料的燃烧装置及利用该装置燃烧的方法，涉及一种燃烧装置及利用该装置燃烧的方法。是要解决目前气化半焦类难燃细颗粒燃料在循环流化床中燃烧效率低问题。装置包括原料仓、气力喷射器、罗茨风机、调节阀、引射管、返料斜管、旋风分离器、回料阀和炉膛，原料仓位于气力喷射器上方，气力喷射器的一端连接引射管，另一端连接有罗茨风机，返料斜管的一端连接回料阀，另一端连接炉膛密相区，回料阀的上方连接有旋风分离器。方法：一、开启循环流化床锅炉，启动罗茨风机；二、将燃料放入原料仓，打开调节阀，开启气力喷射器，使燃料进入返料斜管，送到炉膛密相区燃烧。本发明用于气化半焦类难燃细颗粒燃料的燃烧。
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公开(公告)号：CN109659396B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811573167.1
申请日：2018-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L21/02 , C23C14/35
Abstract: 一种中红外透明P型半导体薄膜的制备方法，它涉及一种P型半导体薄膜的制备方法。本发明的目的是开发一种新型的P型中红外透明导电材料种类，解决现有LaSe2薄膜中红外透明导电薄膜制备困难，在中红外应用受到了极大地限制的技术问题。本发明：一、靶材和衬底的清洗；二、La2O3薄膜的制备；三、LaSe2薄膜的制备。本发明以单质Se粉末为Se源，利用真空封管处理，在硒化退火的条件下，Se蒸气可以将La2O3薄膜中的O置换出来的原理制备LaSe2薄膜，弥补了La与Se较高温度下不易反应的材料制备局限性。本发明制备的LaSe2薄膜具有较好的导电性能，中波红外光区的总透过率约为70％，透过性能较为良好。
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公开(公告)号：CN108070801B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201711375189.2
申请日：2017-12-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C45/10
Abstract: 一种采用工业级海绵锆制备低成本厘米级锆基非晶合金的方法，涉及一种制备锆基非晶合金的方法。本发明为了解决现有的锆基非晶合金采用高纯度的金属锆作为原材料造成的锆基非晶合金的生产成本高的问题。方法：一、按原子百分比称取原料；二、电弧炉抽真空并充入保护气体；三、进行钛熔炼；四、制备合金铸锭，合金铸锭重复熔炼；五、滴铸。本发明采用低纯度的工业级海绵锆为原材料来制备锆基非晶合金，降低了锆基非晶合金的生产成本；本发明方法抑制了形核质点的产生或消除杂质形核质点；与现有的锆基非晶合金相比具有相同优异的力学性能。本发明适用于锆基非晶合金制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108165947B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810226135.8
申请日：2018-03-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 用于修补平面沉积膜层的自吸式磁控溅射系统及溅射方法，它涉及一种磁控溅射系统及溅射方法。本发明为了解决现有的大型平面结构件表面膜层发生脱落、起皮等现象后，存在不易进行再次镀膜修复，直接影响到结构件或是功能件的寿命和功能性的问题。本发明包括真空室组件、磁控靶挡板组件和磁控靶组件，磁控靶挡板组件通过控制第一手轮的旋转，使得挡板轴运动，同时万向节发生运动带动挡板的左右运动，实现遮挡溅射辉光的作用；磁控靶通过直靶支杆和靶支座固定在真空室桶内，采用屏蔽靶套套在永磁靶头上，防止溅射过程中辉光收到外界环境干扰。溅射方法包括准备工作、抽真空、起辉、镀膜修补和取下系统。本发明用于修补平面沉积膜层中。
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公开(公告)号：CN108470782A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810198862.8
申请日：2018-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58
Abstract: 一种中红外透明导电P型氧化物薄膜材料及其制备方法，它涉及一种P型导电氧化物薄膜材料及其制备方法。本发明是要解决现有的P型透明氧化物薄膜导电性较差、载流子浓度较低以及中波红外透过率低的技术问题。本发明的中红外透明导电P型氧化物薄膜材料的化学式为La2SexOy，其中x为3～4，y为9～11。本发明的制备方法：一、靶材和衬底的清洗；二、La2O3薄膜的制备；三、掺杂Se。本发明制备的P型透明导电氧化物薄膜的光学带隙约为4.0eV，空穴有效质量小于电子的有效质量，具有较高的载流子浓度和电导率，中波红外光区的透过率约为70％，透过性能较为良好。
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公开(公告)号：CN204786361U
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201520512524.9
申请日：2015-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于内置分离器流化床的气化半焦类难燃细颗粒燃料的燃烧装置，涉及一种基于内置分离器流化床的燃烧装置。是要解决现有气化半焦类难燃细颗粒燃料的燃烧装置占地面积大，燃烧不彻底的问题。该装置包括原料仓、气力喷射器、罗茨风机、调节阀、引射管、挡板、返料通道、卧式旋风分离器、法兰座和炉膛，炉膛包括炉膛密相区和炉膛稀相区，返料通道的上端设有卧式旋风分离器，原料仓位于气力喷射器上方与气力喷射器连通，气力喷射器的一端与引射管的引射管水平段连接，气力喷射器的另一端通过调节阀连接有罗茨风机。本实用新型节省空间，占地面积小。提高气化半焦类难燃细颗粒物的燃尽度。用于气化半焦类难燃细颗粒燃料的燃烧。
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公开(公告)号：CN203949165U
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201420303763.9
申请日：2014-06-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种气化半焦类难燃细颗粒燃料的燃烧装置，涉及一种燃烧装置。是要解决目前气化半焦类难燃细颗粒燃料在循环流化床中燃烧效率低问题。装置包括原料仓、气力喷射器、罗茨风机、调节阀、引射管、返料斜管、旋风分离器、回料阀和炉膛，原料仓位于气力喷射器上方，气力喷射器的一端连接引射管，另一端连接有罗茨风机，返料斜管的一端连接回料阀，另一端连接炉膛密相区，回料阀的上方连接有旋风分离器。该装置能够提高气化半焦类难燃细颗粒燃料的飞灰燃尽度，达到节约能源、保护环境的目的。而且系统独立，拆装灵活，降低了检修成本。本实用新型用于气化半焦类难燃细颗粒燃料的燃烧。
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公开(公告)号：CN203688304U
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201420066551.3
申请日：2014-02-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N1/24
Abstract: 一种表面温度可控和热流可实时监测的积灰采样装置，涉及电厂锅炉尾部烟道积灰采集领域。为了解决现有的积灰采样装置的灰样采集精度低及不能实时监测采样装置表面的热流变化情况的问题。采样探头、采样连接头和采样支撑体外套管顺序连接，采样支撑体出气导管固定在采样支撑体外套管上，采样支撑体进气导管贯穿采样支撑体外套管、所述采样连接头和所述采样探头，外表壁热电偶和内表壁热电偶安装在采样探头的盲孔内，且探头外表壁热电偶同时连接温度采集仪和阀门控制器，探头内表壁热电偶连接温度采集仪，阀门控制器的另一端连接电动调节阀，电动调节阀的入气端和出气端分别连空气压缩机和采样支撑体进气导管。本实用新型适用于锅炉的积灰采样。
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