一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶及其制备方法

    公开(公告)号:CN106350869B

    公开(公告)日:2019-04-12

    申请号:CN201610835377.8

    申请日:2016-09-20

    Abstract: 一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶及其制备方法,它属于功能性单晶材料及其制备技术研究领域,具体涉及一种钙钛矿结构铌钽酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法。本发明的目的是针对目前组分复杂的单晶生长困难,质量不高,压电性能不够高的问题。一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶的化学式为[(NayK1‑y)1‑xLix](Nb1‑zTazSbt)O3:Mn。方法:一、准备原料;二、混合原料;三、预烧;四、第二次预烧;五、反复熔化预烧钙钛矿结构的多晶材料;六、晶体生长。本发明可获得一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶。

    一种星箭分离用锁紧释放装置

    公开(公告)号:CN107054700A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201710203183.0

    申请日:2017-03-30

    CPC classification number: B64G1/64

    Abstract: 一种星箭分离用锁紧释放装置,涉及小型卫星的星箭分离技术领域,包括底板、连接座、卡爪和连接杆,底板中部设有旋转轴,底板上侧的旋转轴上设有旋转块,底板上设有至少三个连接座,连接座上设有铰接架;L型板状卡爪倒置在铰接架上,卡爪上臂上设有卡槽,连接杆一端上设有卡接头;连接座与旋转块间设有锁紧释放摆杆,锁紧释放摆杆的中部与底板铰接,锁紧释放摆杆的一端与旋转块铰接、另一端抵在卡爪的侧臂上;旋转轴上设有释放扭簧,释放扭簧的一端固定在底板上、另一端固定在旋转块上,底板下侧的旋转轴上设有定位锁孔,底板上设有与定位锁孔相配合的推拉电磁铁。本发明具有结构简单、体积小、重量轻、可靠性高等优点。

    一种窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料的制备方法

    公开(公告)号:CN104861965B

    公开(公告)日:2016-10-26

    申请号:CN201510316527.X

    申请日:2015-06-10

    Abstract: 一种窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料的制备方法,它涉及一种GZO纳米荧光材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有上转换蓝光基质材料的波段分布较宽,颗粒尺寸较大,不利于其在医学、生物以及雷达等方面应用的问题。制备方法:将NaOH溶液和Zn(NO3)3溶液混合,再滴加Ga(NO3)3溶液,再加入氧化镱硝酸溶液和氧化铥硝酸溶液,再进行水热反应,得到窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料。本发明制备的窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料分布波段较窄,得到了窄波段的上转换蓝光;本发明制备的窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料的尺寸在40nm~50nm,形貌为纳米棒。本发明可获得种窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料。

    一种合成具有低相变温度的VO2(M)的方法

    公开(公告)号:CN105001863A

    公开(公告)日:2015-10-28

    申请号:CN201510377176.3

    申请日:2015-07-01

    Abstract: 一种合成具有低相变温度的VO2(M)的方法,它涉及一种合成VO2(M)的方法。本发明的目的是要解决现有VO2(M)的相变温度高和不能实现上转换发光的问题。方法:一、制备混合溶液A;二、制备蓝黑色混合溶液;三、制备干燥后的反应物;四、将干燥后的反应物置于管式炉中,再在氮气气氛和烧结温度为550℃~600℃下烧结1h~2h,得到具有低相变温度的VO2(M)。本发明通过掺杂Er3+和Yb3+,VO2(M)的相变温度降低了35%~45%;本发明得到的降低相变温度后的VO2在980nm激光的激发下,能够将红外光转化为绿光,且强度很强。本发明可获得一种合成具有低相变温度的VO2(M)的方法。

    一种镁合金埋件螺纹表面强化的方法

    公开(公告)号:CN104805488A

    公开(公告)日:2015-07-29

    申请号:CN201510259730.8

    申请日:2015-05-20

    CPC classification number: C25D11/30

    Abstract: 一种镁合金埋件螺纹表面强化的方法,它涉及一种埋件螺纹表面强化的方法。本发明的目的是要解决现有镁合金螺纹因电场分布不均,受电场分布不均的影响,螺纹内部易出现局部放电现象,导致表面成膜不均的问题。方法:一、镁合金埋件表面机械预处理;二、超声处理;三、除油;四、微弧氧化,即完成镁合金埋件螺纹表面强化的方法。对使用本发明方法表面强化后的镁合金埋件实施4.0N.M拧紧力距,反复装卸20次微弧氧化膜层不脱落;对使用本发明的方法完成表面强化后的镁合金埋件内螺纹实施拉脱试验,拉脱力达8千牛顿~12千牛顿;满足了航天用镁合金材料要求。本发明可获得一种镁合金埋件螺纹表面强化的方法。

    一种可控太阳吸收率的氧化铝-氧化铁陶瓷膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101705511B

    公开(公告)日:2011-04-20

    申请号:CN200910310625.7

    申请日:2009-11-30

    Abstract: 一种可控太阳吸收率的氧化铝氧化铁陶瓷膜的制备方法,它涉及一种氧化铝氧化铁陶瓷膜的制备方法。本发明解决了现有方法使LY12铝合金表面具有特定太阳吸收率中存在空间稳定性、耐紫外辐照性和结合力均不好,且涂层的太阳吸收率不易调节的问题。方法:一、对LY12铝合金进行表面预处理,再超声处理,经蒸馏水清洗后烘干;二、将烘干后的LY12铝合金置于微弧氧化电解槽中电解,得微弧氧化后的LY12铝合金;三、将微弧氧化后的LY12铝合金置于蒸馏水中封孔,即完成。本发明所得陶瓷膜空间稳定性和结合力均好;膜层厚度可控制在5~100μm,耐紫外辐照性好;太阳吸收率可控制在0.4~0.9。

    一种可控太阳吸收率的氧化铝-氧化铁陶瓷膜的制备方法

    公开(公告)号:CN101705511A

    公开(公告)日:2010-05-12

    申请号:CN200910310625.7

    申请日:2009-11-30

    Abstract: 一种可控太阳吸收率的氧化铝氧化铁陶瓷膜的制备方法,它涉及一种氧化铝氧化铁陶瓷膜的制备方法。本发明解决了现有方法使LY12铝合金表面具有特定太阳吸收率中存在空间稳定性、耐紫外辐照性和结合力均不好,且涂层的太阳吸收率不易调节的问题。方法:一、对LY12铝合金进行表面预处理,再超声处理,经蒸馏水清洗后烘干;二、将烘干后的LY12铝合金置于微弧氧化电解槽中电解,得微弧氧化后的LY12铝合金;三、将微弧氧化后的LY12铝合金置于蒸馏水中封孔,即完成。本发明所得陶瓷膜空间稳定性和结合力均好;膜层厚度可控制在5~100μm,耐紫外辐照性好;太阳吸收率可控制在0.4~0.9。

    Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法

    公开(公告)号:CN100497759C

    公开(公告)日:2009-06-10

    申请号:CN200710072441.2

    申请日:2007-07-02

    Abstract: Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法,它涉及一种钨酸铅晶体及其制备方法。它解决了现有钨酸铅晶体存在VPb、VO及晶体诱导色心Pb3+、O-和F缺陷,光学性能差的问题。Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体由氧化钨、氧化铅、氧化镱和氧化锌制成;氧化钨与氧化铅的摩尔比为1∶1,氧化镱的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50~300ppm,氧化锌的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50~1050ppm。制备方法:一、烧结;二、采用提拉法生长晶体。本发明在钨酸铅晶体中掺杂元素镱和锌,在保留钨酸铅晶体原有优良性能的基础上,大幅度改善其光学性能。本发明Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体的制备过程中不需要抽真空或充入惰性保护气体。

    具有观察及排气装置的钨酸铅晶体生长炉

    公开(公告)号:CN1936107A

    公开(公告)日:2007-03-28

    申请号:CN200610010555.X

    申请日:2006-09-15

    Abstract: 具有观察及排气装置的钨酸铅晶体生长炉,它涉及晶体生长炉。它为了解决现有单晶炉无法观察晶体生长情况,不利于参数的调整,密封性差,氧化铅易挥发外泄有毒气体,给人身健康带来危害的问题。本发明的观察孔(7)设在保温罩(2)的上部外侧与保温罩(2)内腔相连通,保温盖(6)覆盖在观察孔(7)的上方,排气管(8)的底端设在炉体的顶部与炉腔相贯通,滑轮(3)由吊杆(5)吊固在保温罩(2)的上方,提拉绳(4)的一端与保温盖(6)的上平面连接,提拉绳(4)的另一端绕滑轮(3)穿过炉体到炉外。该炉可观察晶体生长的情况,以利调整最佳的钨酸铅晶体生长参数,排气管能将挥发外泄的氧化铅有毒气体排出室外,减少对人身的危害。

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