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公开(公告)号：CN101582483B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200910072387.0
申请日：2009-06-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L35/34
Abstract: 具有“三明治”结构的多孔强织构热释电薄膜的制备方法，它涉及一种多孔热释电薄膜的制备方法。它解决了现有方法制备出的多孔热释电薄膜中织构难以形成、漏电流大及薄膜表面质量差的问题。方法：一、制备热释电薄膜A；二、在薄膜A的基础上，制备得到热释电薄膜B；三、将钛酸铅镧钙系铁电薄膜再沉积到热释电薄膜B上，然后进行退火结晶处理，即得具有“三明治”结构的多孔热释电薄膜。本方法制备出来的多孔热释电薄膜具有优异的铁电性能的同时，保持强织构、低漏电流及薄膜表面光滑、致密的优点，本发明工艺简单、设备简单及所用原材料价格低廉、成本低，并易于器件集成，适合于工业化生成。
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公开(公告)号：CN101659392A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910072820.0
申请日：2009-09-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B82B3/00 , C04B35/462 , C04B35/491 , C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法，它涉及一种制备铅基铁电薄膜的方法。它解决了现有方法在铁电薄膜制备过程中晶化温度过高、织构难以控制、成本高且不利于大面积Si集成电路的应用的问题。方法：一、制备种子层薄膜A；二、在薄膜A上继续沉积钛酸铅系铁电薄膜，然后进行退火结晶处理，通过改变种子层薄膜A的厚度，得织构可控的铅基铁电薄膜。本方法在较低的晶化温度制备完成的，所得薄膜具有优异的铁电性能的同时，保持强织构、薄膜表面光滑、致密的优点，本发明工艺简单、设备简单及所用原材料价格低廉、成本低，并易于器件集成，适合于工业化生成。
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公开(公告)号：CN101582483A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910072387.0
申请日：2009-06-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L35/34
Abstract: 具有“三明治”结构的多孔强织构热释电薄膜的制备方法，它涉及一种多孔热释电薄膜的制备方法。它解决了现有方法制备出的多孔热释电薄膜中织构难以形成、漏电流大及薄膜表面质量差的问题。方法：一、制备热释电薄膜A；二、在薄膜A的基础上，制备得到热释电薄膜B；三、将钛酸铅镧钙系铁电薄膜再沉积到热释电薄膜B上，然后进行退火结晶处理，即得具有“三明治”结构的多孔热释电薄膜。本方法制备出来的多孔热释电薄膜具有优异的铁电性能的同时，保持强织构、低漏电流及薄膜表面光滑、致密的优点，本发明工艺简单、设备简单及所用原材料价格低廉、成本低，并易于器件集成，适合于工业化生成。
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公开(公告)号：CN119161183A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411278164.0
申请日：2024-09-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/475 , H10N30/853 , H10N30/093 , C04B35/472 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 利用铋还原获得高应变性能的钛酸铋钠‑钛酸锶‑钛酸铅三元陶瓷材料及其制备方法，本发明是要解决通过缺陷改性的钛酸铋钠陶瓷性能不稳定、需要大电场驱动等问题。本发明钛酸铋钠‑钛酸锶‑钛酸铅三元陶瓷材料的化学通式为(Na0.5Bi0.5)0.75(1‑x)Sr0.25(1‑x)PbxTiO3，该钛酸铋钠‑钛酸锶‑钛酸铅三元陶瓷材料由Na2CO3、SrCO3、TiO2、Bi2O3及PbO按化学计量比为(Na0.5Bi0.5)0.75(1‑x)Sr0.25(1‑x)PbxTiO3混合，然后经压制烧结而成。本发明钛酸铋钠‑钛酸锶‑钛酸铅三元陶瓷在80kV/cm电场下的最大应变为2.77％，应变记忆效应为1.75％。
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公开(公告)号：CN113091939B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110333309.2
申请日：2021-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01K7/22
Abstract: 基于石墨烯/钛酸锶钡异质结的高灵敏度温度传感器的制备方法，本发明属于温度传感器领域，它为了解决现有温度传感器的灵敏度和响应速度较低的问题。制备方法：一、采用固相烧结法制备钛酸锶钡陶瓷；二、裁剪负载于铜片上的石墨烯，在石墨烯上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯；三、将旋涂后的石墨烯放入铜刻蚀液中，从铜刻蚀液中捞取石墨烯；四、将石墨烯转移至钛酸锶钡陶瓷的抛光面上，烘干处理；五、将烘干后的钛酸锶钡陶瓷放入丙酮中溶解聚甲基丙烯酸甲酯；六、将石墨烯‑钛酸锶钡异质结放入烘箱中烘干。当温度升高至钛酸锶钡的相变温度附近，电流相比室温而言分别上升速率较高，在较窄的相变温区内具有很高的电流变化率，从而具有较高的探测灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111664977B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202010470020.0
申请日：2020-05-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种丝织构薄膜残余应力检测方法，它属于薄膜材料的特性表征技术领域。本发明解决了采用传统方法对丝织构薄膜残余应力的测试不准确的问题。本发明基于丝织构薄膜所具有的横向等方性，对其残余应力分析提出了具体的解决方案。通过坐标系转换，直接计算出样品坐标系下样品的弹性张量，从而根据广义胡克定律就可以建立样品坐标系下的宏观残余应力和应变的关系。采用本发明建立的残余应力和应变关系的理论模型，可以有效解决传统X射线衍射应力测试方法对丝织构薄膜残余应力测试的不准确问题。本发明可以应用于丝织构薄膜残余应力的检测。
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公开(公告)号：CN111664978B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202010470968.6
申请日：2020-05-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种曲面异形件的残余应力表征方法，本发明涉及曲面异形件的残余应力表征方法。本发明的目的是为了解决现有方法对残余应力的测定准确率低的问题。过程为：一、计算该窗口宽度引起的衍射峰的宽化；二、对于球形样品，将球形样品半球进行遮挡，从出射窗口发射的X射线，只有一半的光线照射到球形样品上，不考虑球面曲率的影响，则将直接导致峰位向高角偏移Δθ/4；三、对于平面样品，计算衍射峰位向低角偏移的角度与偏移距离的关系；四、计算出出射窗口沿衍射圆周弧长方向的宽度L照射在球面上的弧长；五、确定各个入射角下球面曲率引起的最终峰位偏移；六、得到球形样品的残余应力。本发明用于材料的残余应力表征领域。
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公开(公告)号：CN111548149A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010456718.7
申请日：2020-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B41/88 , H01L41/187
Abstract: 一种高温度稳定性的钛酸钡无铅压电陶瓷及其制备方法，涉及压电陶瓷领域，尤其涉及一种钛酸钡基无铅压电陶瓷及其制备方法。是要解决现有的钛酸钡基无铅压电陶瓷存在压电性能较差、滞后较大、温度稳定性差的问题。该钛酸钡无铅压电陶瓷的结构通式为Ba1-x(Li0.5,B0.5)xTiO3，其中0.001≤x≤0.1。方法：一、原料称量；二、球磨，干燥；三、将干燥好的粉料加热至预烧制温度后进行保温，冷却；四、将预烧制后的粉料球磨，干燥；五、将球磨干燥后的粉料压制成型；六、将压制成型的样品加热至烧结温度后进行保温，冷却；七、将烧结后的陶瓷元件进行恒场强保温，之后恒场强冷却至室温。本发明应用于无铅压电陶瓷领域。
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公开(公告)号：CN106374705B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201611104587.6
申请日：2016-12-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02K16/02
Abstract: 本发明提供一种涡流损耗小的轴向磁通永磁电机，属于电机领域。包括定子、转子和气隙，电机采用外转子结构；所述定子包括定子框架和两套无槽无铁芯的电枢绕组，两套电枢绕组对称分布于定子框架两侧，且两套电枢绕组对应线圈的相位沿圆周方向相差电角度θ。本发明采用特殊的电枢结构，构成一种轴向磁通无铁心的永磁同步电机，通过电枢结构实现对电动势谐波的抑制与增强，从而降低电机高速运行时永磁体内的涡流损耗，提高了电机的效率。
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公开(公告)号：CN103979955A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410200916.1
申请日：2014-05-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 锂-铝离子对掺杂改性的钛酸钡基无铅压电陶瓷材料及其制备方法，它涉及具有高压电性能钛酸钡基无铅压电陶瓷材料及其制备方法。本发明要解决利用普通原料和传统固相合成法制备的钛酸钡基无铅压电陶瓷压电性能较差的问题。本发明的钛酸钡基陶瓷组成为Ba1-x(Li0.5Al0.5)xTi1-xSixO3，其中0.02≤x≤0.08mol。本发明采用普通原料和传统固相合成法制备钛酸钡基无铅压电陶瓷，该体系为钙钛矿相，当x＝2-8mol％时，陶瓷中存在Li+-Al3+离子对，使压电常数d33达300-400pC/N，机电耦合系数kp达0.35-0.45。其制备工艺简单，成本低廉。
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