公开(公告)号：CN101667595B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200910168186.0

申请日：2009-09-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 克里希纳·库玛·布沃卡 ,  王静亚 ,  后藤贤一 ,  李文钦 ,  卡罗斯·H·迪雅兹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/7391 ,  H01L21/26586

Abstract: 一种半导体装置，包括：一沟道区；一栅介电层，位于该沟道区之上；一栅电极，位于该栅介电层之上；一第一源极/漏极区，邻近该栅介电层，其中该第一源极/漏极区具有一第一导电性，而至少该沟道区与该第一源极/漏极区之一包括一超晶格结构；以及一第二源极/漏极区，位于该沟道区内该第一源极/漏极区的相反侧，其中该第二源极/漏极区具有与该第一导电性相反的一第二导电性，而至少该沟道区与该第二源极/漏极区之一包括另一超晶格结构。本发明具有超晶格结构隧道型FET超越了公知MOSFET的次临界摆幅限制，也可降低起因于栅极漏电流的漏电流，还也可解决常见于具有低漏电流装置中的低开启电流问题。

公开(公告)号：CN101355102B

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200810000228.5

申请日：2008-01-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 克里希那布瓦卡 ,  后藤贤一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/7391

Abstract: 本发明关于一种半导体装置及形成该半导体装置的方法。该具低能带间隙层的半导体装置包括：含一半导体材质；一栅介电层，位于低能带间隙层上，其中低能带间隙层的能阶低于硅能阶；一栅极，覆盖于栅介电层上；一与栅介电层邻接的第一源/漏极区，其中第一源/漏极区具有一第一传导特性；一与栅介电层邻接的第二源/漏极区，其中第二源/漏极区具有一与第一传导特性相反的第二传导特性。低能带间隙层位于第一及第二源/漏极区间且为无杂质或具有小于1×1015/cm-3的掺杂浓度杂质，第一源/漏极区及第二源/漏极区的能阶大于低能带间隙层。本发明的半导体装置使一p-通道及n-通道的场效电晶体装置均衡的效能，并降低漏电流，改进次临界摆幅及开启电流的特性。

公开(公告)号：CN101931000A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010248413.3

申请日：2008-01-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 克里希那布瓦卡 ,  后藤贤一

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/7391

Abstract: 本发明关于一种半导体装置及形成该半导体装置的方法。该具低能带间隙层的半导体装置包括：含一半导体材质；一栅介电层，位于低能带间隙层上，其中低能带间隙层的能阶低于硅能阶；一栅极，覆盖于栅介电层上；一与栅介电层邻接的第一源/漏极区，其中第一源/漏极区具有一第一传导特性；一与栅介电层邻接的第二源/漏极区，其中第二源/漏极区具有一与第一传导特性相反的第二传导特性。低能带间隙层位于第一及第二源/漏极区间且为无杂质或具有小于1×1015/cm-3的掺杂浓度杂质，第一源/漏极区及第二源/漏极区的能阶大于低能带间隙层。本发明的半导体装置使一p-通道及n-通道的场效电晶体装置均衡的效能，并降低漏电流，改进次临界摆幅及开启电流的特性。

公开(公告)号：CN101673765A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910169146.8

申请日：2009-09-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄焕宗 ,  杨士洪 ,  益冈有里 ,  后藤贤一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置包括一半导体基板，其具有一源极区和一漏极区，上述半导体基板定义从上述源极区至上述漏极区的一第一尺寸；一栅极堆叠结构，设置于上述半导体基板上，且水平地部分介于上述源极区和上述漏极区之间。上述栅极堆叠结构包括一第一金属物，设置于上述高介电常数介电层上，上述第一金属物具有一第一功函数且定义平行于上述第一尺寸的一第二尺寸；一第二金属物，其具有不同于上述第一功函数的一第二功函数且定义平行于上述第一尺寸的一第三尺寸，上述第三尺寸小于上述第二尺寸。本发明提供的半导体装置及其制造方法能够增加调整短通道效应和起始电压的自由度。