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公开(公告)号:CN110235321B
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN201780084262.2
申请日:2017-02-08
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/022 , H01S5/0233
Abstract: 波长可变激光器装置具备:波长可变激光器组件,在光谐振器内具有波长响应波谱可变的多个波长选择组件;半导体光放大器,输入从所述波长可变激光器组件输出的激光,对该激光进行放大;光隔离器,被配置于所述波长可变激光器组件与所述半导体光放大器之间;光强度变动检测单元,对从所述波长可变激光器组件输出并输入至所述半导体光放大器前的激光的强度变动进行检测;波长抖动生成单元,生成在波长轴上对所述光谐振器的谐振器模式进行调制的谐振器模式用波长抖动;和波长抖动反馈控制单元,基于由所述光强度变动检测单元检测的强度变动,对所述谐振器模式用波长抖动进行反馈控制。
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公开(公告)号:CN106663916B
公开(公告)日:2020-09-25
申请号:CN201680001891.X
申请日:2016-02-12
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/026
Abstract: 半导体激光装置具备半导体光集成元件,该半导体光集成元件将具有多个半导体激光元件的半导体激光器阵列和半导体阵列波导衍射光栅在同一基板上集成为单片,从输出端面输出由所述半导体激光元件振荡得到的激光,该半导体阵列波导衍射光栅由半导体构成,具有:输入侧平板波导,其与所述多个半导体激光元件连接;阵列波导,其与所述输入侧平板波导连接,由长度彼此不同且并列排列的多个波导构成;和输出侧平板波导,其与所述阵列波导连接,所述半导体光集成元件的所述输出端面包含所述输出侧平板波导的输出端而构成。
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公开(公告)号:CN110235321A
公开(公告)日:2019-09-13
申请号:CN201780084262.2
申请日:2017-02-08
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/022
Abstract: 波长可变激光器装置具备:波长可变激光器组件,在光谐振器内具有波长响应波谱可变的多个波长选择组件;半导体光放大器,输入从所述波长可变激光器组件输出的激光,对该激光进行放大;光隔离器,被配置于所述波长可变激光器组件与所述半导体光放大器之间;光强度变动检测单元,对从所述波长可变激光器组件输出并输入至所述半导体光放大器前的激光的强度变动进行检测;波长抖动生成单元,生成在波长轴上对所述光谐振器的谐振器模式进行调制的谐振器模式用波长抖动;和波长抖动反馈控制单元,基于由所述光强度变动检测单元检测的强度变动,对所述谐振器模式用波长抖动进行反馈控制。
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公开(公告)号:CN108604769A
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201780010945.3
申请日:2017-02-10
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/022
Abstract: 提供一种能够抑制由芯片间的反射光造成的影响的激光模块。本发明的一个实施方式的激光模块(100)具备:激光元件(110),设置于第一基板上,具有产生激光的激光振荡部及引导激光的第一光波导;和光放大器(120),设置于第二基板上,具有引导激光的第二光波导,第一光波导倾斜地与第一基板的端面连接,第二光波导倾斜地与第二基板的端面连接,从第一光波导输出的激光与第二光波导光耦合。
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公开(公告)号:CN106663916A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201680001891.X
申请日:2016-02-12
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/026
Abstract: 半导体激光装置具备半导体光集成元件,该半导体光集成元件将具有多个半导体激光元件的半导体激光器阵列和半导体阵列波导衍射光栅在同一基板上集成为单片,从输出端面输出由所述半导体激光元件振荡得到的激光,该半导体阵列波导衍射光栅由半导体构成,具有:输入侧平板波导,其与所述多个半导体激光元件连接;阵列波导,其与所述输入侧平板波导连接,由长度彼此不同且并列排列的多个波导构成;和输出侧平板波导,其与所述阵列波导连接,所述半导体光集成元件的所述输出端面包含所述输出侧平板波导的输出端而构成。
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公开(公告)号:CN104081598A
公开(公告)日:2014-10-01
申请号:CN201380007119.5
申请日:2013-01-29
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor: 清田和明
CPC classification number: H01S5/1014 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/02284 , H01S5/0265 , H01S5/0612 , H01S5/0655 , H01S5/101 , H01S5/1085 , H01S5/12 , H01S5/2201 , H01S5/2222 , H01S5/227 , H01S5/34306 , H01S5/4012
Abstract: 一种半导体光元件,其具备形成于半导体基板上的光波导路,其特征在于,所述光波导路具备:单一模式波导部,其以单一模式对输入的光进行波导;弯曲部,其相对于所述光的波导方向配置在所述单一模式波导部的后段侧;以及喇叭部,其相对于所述波导方向配置在所述弯曲部的后段侧,形成为波导宽度往所述波导方向扩大,且具有可在所述光的射入侧以单一模式对所述光进行波导、在所述光的射出侧以多模式对所述光进行波导的波导宽度。
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公开(公告)号:CN103534885A
公开(公告)日:2014-01-22
申请号:CN201280022830.3
申请日:2012-08-24
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/026 , H01S5/0261 , H01S5/125 , H01S5/2205 , H01S5/2231 , H01S5/5018 , H01S5/5036
Abstract: 通过使用以下的半导体光放大器来提供PDG0.5dB以下的光放大装置,该半导体光放大器具备:输入输出部,其进行入射光的输入和出射光的输出;偏振光分离部,其使从输入输出部输入的入射光的偏振光分量分支,来输出具有第一偏振光的第一偏振模光以及具有与第一偏振光不同的第二偏振光的第二偏振模光;偏振光变换部,其被输入第一偏振模光,将第一偏振光变换为第二偏振光,输出第一偏振光变换光;以及光放大部,其将输入到波导的一个端部的第一偏振光变换光进行放大并从另一个端部输出,将输入到另一个端部的第二偏振模光进行放大并从一个端部输出,其中,输入到光放大部的光的每单位强度的增益的变化的绝对值是0.16dB/dBm以下。
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