一种液相激光烧蚀法制备高纯抗氧化贱金属纳米颗粒的方法

    公开(公告)号:CN105195751A

    公开(公告)日:2015-12-30

    申请号:CN201510674095.X

    申请日:2015-10-16

    Abstract: 本发明公开了一种普适、快速的制备抗氧化贱金属纳米颗粒的方法,利用液相激光烧蚀的方法在液相环境中制备抗氧化贱金属纳米颗粒。首先将贱金属靶材置于有机溶剂中,搅拌下持续通入惰性气体,然后将脉冲激光光束聚焦于贱金属靶材表面进行烧蚀,即可得到具有碳包裹层的抗氧化贱金属纳米颗粒。本发明方法制备的贱金属纳米颗粒粒径小,粒径分布窄,单分散性好且具有抗氧化碳包裹层。该方法操作简单,成本低廉,对环境友好无污染,无苛刻的操作环境要求,可在常温常压环境下实现贱金属纳米颗粒的制备,在纳米器件的构建、光探测器增强、表面增强拉曼、生物标记等领域具有广阔的应用前景。

    一种Zn(NDI-H)薄膜@阳极氧化铝光子晶体及其作为电致变色材料的用途

    公开(公告)号:CN119717347A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202311277878.5

    申请日:2023-09-28

    Abstract: 本发明公开了一种Zn(NDI‑H)薄膜@阳极氧化铝光子晶体及其作为电致变色材料的用途。所述电致变色材料由Zn(NDI‑H)薄膜和阳极氧化铝光子晶体组成,所述的Zn(NDI‑H)薄膜生长在FTO导电表面,Zn(NDI‑H)薄膜与阳极氧化铝光子晶体贴合设置,两者之间设置导电液,阳极氧化铝光子晶体结构色呈土黄色。对该Zn(NDI‑H)薄膜@阳极氧化铝光子晶体两端施加电压,Zn(NDI‑H)薄膜和阳极氧化铝光子晶体实现协同显色,当电压从‑4.5 V切换到‑5.5 V时,整个装置呈现由淡黄色到淡绿色的颜色变化。

    高效发光AgInZnS量子点的预先形核合成方法

    公开(公告)号:CN118085854B

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202211332950.5

    申请日:2022-10-28

    Abstract: 本发明公开了一种高效发光AgInZnS量子点的预先形核合成方法。所述方法先合成AgInZnS量子点,然后在醋酸银、醋酸铟、二水合醋酸锌、硫脲、油胺、油酸、正十二硫醇形成的反应溶液中加入少量预先合成的AgInZnS量子点,继续反应,获得预先形核的AgInZnS量子点。本发明方法简单易行,制得的AgInZnS量子点具有近100%的PLQY,适用于制备高发光效率的AgInZnS量子点发光器件。

    一种螺旋形SiC纳米管电磁波吸收材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN118221120A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202211639504.9

    申请日:2022-12-20

    Abstract: 本发明公开了一种螺旋形SiC纳米管电磁波吸收材料及其制备方法。所述吸波材料呈两根纳米管相互纠缠的DNA双螺旋状。本发明以螺旋形聚吡咯纳米管为前驱体,通过热处理的方法制备了螺旋形SiC纳米管;本发明的吸波材料可在1000℃以下保持良好的稳定性,具有优良的耐高温特性;特殊的螺旋结构引入丰富界面以提高极化损耗,当匹配厚度为1.4 mm时,反射损失低于‑10 dB的吸波频带宽度可达4.2 GHz。

    高光产额的镉掺杂二苯胍锰溴闪烁体及其合成方法

    公开(公告)号:CN114085168B

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202111448594.9

    申请日:2021-11-30

    Abstract: 本发明公开了一种高光产额的镉掺杂二苯胍锰溴单晶闪烁体及其合成方法。所述方法将C13H14BrN3、MnBr2、CdO加入氢溴酸水溶液中,进行油浴加热,待反应物充分溶解后得到混合液,将混合液冷却到室温,析出产物,将析出产物进行抽滤,并用异丙醇洗涤,最后将异丙醇洗涤后的产物进行真空干燥,得到C26H28N6MnBr4:Cd2+单晶闪烁体。本发明的合成方法成本低、重复性好,制备的C26H28N6MnBr4:Cd2+闪烁体为透明绿色单晶,具有低紫外吸收、优异的电荷传输特性和强X射线衰减以及在熔点以下的抗热淬灭性能,具有很高的X射线探测和成像潜力。

    高(010)晶面暴露比钒酸铋的制备方法

    公开(公告)号:CN112777634B

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202110141863.0

    申请日:2021-02-02

    Inventor: 陆源 曾海波 张侃

    Abstract: 本发明公开了一种高(010)晶面暴露比钒酸铋的制备方法。所述方法先将五水硝酸铋、偏钒酸铵和柠檬酸溶解于硝酸溶液中,加入乙醇和聚乙烯醇,形成的混合溶液旋涂在FTO表面,在450℃下煅烧得到种子层;将五水硝酸铋和偏钒酸铵溶解于浓硝酸中,加入氯化钛溶液,并用氨水调节pH至0.9,得到前驱体溶液;然后将种子层浸没在前驱体溶液中,在180℃下水热反应;最后将水热反应的产物升温至450℃退火,得到高(010)晶面暴露比钒酸铋。本发明通过在前驱体溶液中添加形貌调节剂氯化钛,并调控其pH,合成了具有高(010)晶面暴露比的多孔钒酸铋,提高其在光电催化产双氧水的选择性,选择性可达66.5%。

    一种零维锌基卤化物发光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114561209A

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN202210170710.3

    申请日:2022-02-23

    Abstract: 本发明公开了一种零维锌基卤化物发光材料及其制备方法,是指Cu+和B3+共掺杂的Cs3ZnCl5材料,Cu+和B3+掺入Cs3ZnCl5晶格之中并取代Zn的晶体格位,总掺杂量为Cs3ZnCl5晶体结构中Zn化学计量比的1%~10%,其中Cu+和B3+的掺杂浓度相等,B选自Al、Ga中任意一种。本发明采用溶剂热法或固相反应法得到所述金属卤化物材料,其在紫外光照射下可以发射出明亮的青光;B3+的共掺杂不仅因电荷补偿效应抑制了Cu+的氧化,还可以通过引发局域晶格畸变降低[CuCl4]3‑四面体的对称性,提升自陷态激子(STEs)的辐射复合几率,进一步提高材料的发光效率。

    一种基于激光直写的卤素钙钛矿纳米晶蓝光图案化的方法

    公开(公告)号:CN111273518B

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202010023611.3

    申请日:2020-01-09

    Abstract: 本发明公开了一种基于激光直写的卤素钙钛矿纳米晶蓝光图案化的方法。卤素钙钛矿是一种在照明、显示、通讯、传感、生物成像及探测等领域有着广泛应用前景的新型荧光纳米材料。卤素钙钛矿纳米晶由于其独特的光学性质,可以通过调节阴离子(卤素)种类与比例实现紫外‑可见‑红外光谱的大面积覆盖。本发明是一种基于激光直写的卤素钙钛矿纳米晶蓝光图案化的方法,利用聚焦激光局域光诱导局域阴离子交换。通过电动平移台程序化移动,实现蓝光荧光图案化。本发明所采用的方法与现有卤素钙钛矿图案换方法相比,实现了纳米晶蓝光图案化,荧光光谱峰位可调控的特点。且有望实现钙钛矿量子点全光谱多色打印。

    一种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法

    公开(公告)号:CN112323143B

    公开(公告)日:2021-12-28

    申请号:CN202011095266.0

    申请日:2020-10-14

    Abstract: 本申请提供了一种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法,包括:将氧化铋粉末和氯化钠颗粒混合均匀,得到第一混合料;将所述第一混合料放置于双温区CVD管式炉第一温区内;将衬底放置于所述双温区CVD管式炉第二温区内;使所述双温区CVD管式炉内充盈预设纯度的且压强为175Pa~185Pa的第一惰性气体;对所述第一温区进行加热,对所述第二温区进行加热,将氩气和氧气以110~130:30~60的流量比通入至所述双温区CVD管式炉内进行退火。利用这种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法可以制备得到化学稳定性佳的六边形氧化铋纳米片,并且这种方法在175Pa~185Pa的压强下进行,制备方法安全简单。

    一种Rb2MnBr4(H2O)2单晶在智能响应发光中的应用

    公开(公告)号:CN113684018A

    公开(公告)日:2021-11-23

    申请号:CN202110865064.8

    申请日:2021-07-29

    Abstract: 本发明公开了一种Rb2MnBr4(H2O)2单晶在智能响应发光中的应用,属于智能荧光材料技术领域,其制备步骤为:将RbBr、MnBr前驱体按照一定的比例混合;将所得混合物溶于盐酸中加热搅拌充分溶解;待反应结束自然冷却到室温后,过滤、洗涤、真空干燥,得到Rb2MnBr4(H2O)2晶体。本发明制备的Rb2MnBr4(H2O)2晶体具有环境友好性,易于制备,由于晶体的可逆相变,可以在不同的加热温度下表现出不同的发光,并且加热撤去后表现为可逆恢复,故可应用于热致变色发光的快速智能响应原件,以及防伪领域、生物探针、荧光存储、光电显示或信息存储等多个领域。

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