一种零维锌基卤化物发光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114561209B

    公开(公告)日:2023-06-16

    申请号:CN202210170710.3

    申请日:2022-02-23

    Abstract: 本发明公开了一种零维锌基卤化物发光材料及其制备方法,是指Cu+和B3+共掺杂的Cs3ZnCl5材料,Cu+和B3+掺入Cs3ZnCl5晶格之中并取代Zn的晶体格位,总掺杂量为Cs3ZnCl5晶体结构中Zn化学计量比的1%~10%,其中Cu+和B3+的掺杂浓度相等,B选自Al、Ga中任意一种。本发明采用溶剂热法或固相反应法得到所述金属卤化物材料,其在紫外光照射下可以发射出明亮的青光;B3+的共掺杂不仅因电荷补偿效应抑制了Cu+的氧化,还可以通过引发局域晶格畸变降低[CuCl4]3‑四面体的对称性,提升自陷态激子(STEs)的辐射复合几率,进一步提高材料的发光效率。

    表面钝化抑制离子迁移的钙钛矿晶片X射线探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114639784A

    公开(公告)日:2022-06-17

    申请号:CN202210197360.X

    申请日:2022-03-01

    Abstract: 本发明公开了一种表面钝化抑制离子迁移的钙钛矿晶片X射线探测器及其制备方法。本发明将乙二胺二氢碘酸盐掺入甲胺铅碘中,利用真空热压的方法将其制成晶片,获得结构为Au/晶片/Au的基于乙二胺二氢碘酸盐钝化晶片表面/晶界缺陷的X射线探测器器件。本发明引入的乙二胺二氢碘酸盐提供了额外的I离子,可填补甲胺铅碘中卤化物的空位,从而抑制了晶界中的离子迁移,钝化了钙钛矿晶界。本发明制备得到的X射线探测器离子迁移活化能增加,在高偏压下电流保持稳定,在10V的偏置电压下实现了10016.11μC Gyair‑1cm‑2的高灵敏度,是商用非晶硒探测器最佳灵敏度的26倍。

    一种零维锌基卤化物发光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114561209A

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN202210170710.3

    申请日:2022-02-23

    Abstract: 本发明公开了一种零维锌基卤化物发光材料及其制备方法,是指Cu+和B3+共掺杂的Cs3ZnCl5材料,Cu+和B3+掺入Cs3ZnCl5晶格之中并取代Zn的晶体格位,总掺杂量为Cs3ZnCl5晶体结构中Zn化学计量比的1%~10%,其中Cu+和B3+的掺杂浓度相等,B选自Al、Ga中任意一种。本发明采用溶剂热法或固相反应法得到所述金属卤化物材料,其在紫外光照射下可以发射出明亮的青光;B3+的共掺杂不仅因电荷补偿效应抑制了Cu+的氧化,还可以通过引发局域晶格畸变降低[CuCl4]3‑四面体的对称性,提升自陷态激子(STEs)的辐射复合几率,进一步提高材料的发光效率。

Patent Agency Ranking