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公开(公告)号：CN115872349B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310194573.1
申请日：2023-03-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出了一种太赫兹探测器芯片的三维封装结构，其MEMS硅腔体盖帽层位于太赫兹探测器芯片的上方，盖住太赫兹探测器芯片的探测部分；金属平面反射镜位于太赫兹探测器芯片的背面，对入射到太赫兹探测器芯片衬底的信号进行反射；MEMS硅腔体盖帽层、太赫兹探测器芯片、金属平面反射镜三者堆叠互连构成复合谐振结构，使得探测器芯片处的电场谐振增强。本发明改变盖帽层深硅刻蚀的厚度可以实现探测器芯片处的电磁场能量增强，提高探测器的灵敏度；改变探测器衬底厚度、MEMS硅腔体盖帽硅层厚度与空气腔厚度可以实现不同谐振频率的探测和滤波效果，提高太赫兹探测器芯片三维封装的设计自由度。
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公开(公告)号：CN115939262A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310196281.1
申请日：2023-03-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/115
Abstract: 本发明提出了一种平面肖特基二极管太赫兹探测器芯片的制备方法，对钝化层和外延层依次进行刻蚀，刻蚀工艺完成后采用电子束蒸发沉积金薄膜制造欧姆接触，其中外延层刻蚀通过湿法刻蚀掉工艺实现；对钝化层进行刻蚀，刻蚀工艺完成后采用电子束蒸发沉积金薄膜制造肖特基接触点，其中钝化层刻蚀通过干法湿法相结合的刻蚀工艺实现；制备肖特基二极管的金属微桥和电极，其中平面肖特基二极管阴极通过生长在缓冲层上的欧姆接触引出，平面肖特基二极管阳极通过与肖特基接触的空气微桥引出；对钝化层、外延层、缓冲层以及基片衬底进行刻蚀，使金属微桥和基片衬底分离形成空气桥结构。本发明提高了器件的性能和良率。
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公开(公告)号：CN112467022B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202011326012.5
申请日：2020-11-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种铌基探针型SQUID电磁传感器及制备方法和应用，属于超导应用技术领域。本发明方法包括：使用石英针拉制器将外径1.0mm内径0.5mm的空心石英针拉伸至尖端直径约100nm；使用磁控溅射设备在针尖处生长50nm铌膜，将其表面完全包裹；使用电子束蒸发在石英针两侧生长两次铝膜作为掩膜，由于电子束蒸发设备属于点源溅射，其具有良好的各向异性，两次生长的铝膜不会互相接触短路，会在中间形成两条狭缝，再从顶端进行一次蒸镀，将顶端圆环处铌膜进行保护；使用反应离子刻蚀设备将未被铝膜保护的铌膜被去除，留下铌膜加铝膜的双层结构，即得所述铌基探针型SQUID电磁传感器，可用于检测高频电磁场。
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公开(公告)号：CN114639529B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210256417.9
申请日：2022-03-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种人工自旋冰纳米结构以及自旋波传输调控方法，包括顶层的风车型人工自旋冰和底层的软铁磁层，风车型人工自旋冰与软铁磁层通过静磁作用耦合在一起；调整顶部风车型人工自旋冰的磁化状态，可在底部软铁磁层中形成明显的自旋波纳米通道，在自旋波纳米通道中可以传播特定频率的自旋波；通过对顶层风车型人工自旋冰磁化状态全局或局部调整，实现有效的引导和操控自旋波的传输。本发明进一步拓宽了人工自旋冰在磁振子电子学中的应用，为有效的引导和操控自旋波提供了一种新方法，这种由软铁磁层耦合的人工自旋冰纳米结构可能会被应用于低功耗的信息和数据处理中，将对新型自旋波逻辑器件和电路的开发产生重要的影响。
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公开(公告)号：CN114639529A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210256417.9
申请日：2022-03-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种人工自旋冰纳米结构以及自旋波传输调控方法，包括顶层的风车型人工自旋冰和底层的软铁磁层，风车型人工自旋冰与软铁磁层通过静磁作用耦合在一起；调整顶部风车型人工自旋冰的磁化状态，可在底部软铁磁层中形成明显的自旋波纳米通道，在自旋波纳米通道中可以传播特定频率的自旋波；通过对顶层风车型人工自旋冰磁化状态全局或局部调整，实现有效的引导和操控自旋波的传输。本发明进一步拓宽了人工自旋冰在磁振子电子学中的应用，为有效的引导和操控自旋波提供了一种新方法，这种由软铁磁层耦合的人工自旋冰纳米结构可能会被应用于低功耗的信息和数据处理中，将对新型自旋波逻辑器件和电路的开发产生重要的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113109689A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110508195.0
申请日：2021-05-10
Applicant: 南京大学
IPC: G01R31/265 , G01R1/04
Abstract: 本申请公开了一种小型高温超导器件测试系统，包括固定在底板上的制冷机、压缩机、控制器和样品架；制冷机与压缩机相连用于实现测试系统的制冷；制冷机与样品架相连，所提供的冷源直接为样品架制冷；在样品架上放置硅透镜用来进行太赫兹波的引入聚焦以及辐射引出；控制器控制压缩机的运行。该测试系统采用紧凑化、一体化设计，具有小型化，便携化特点，降低了测试系统的成本，并在达到基本的测量要求的前提下，有效降低噪声，且方便易携带。整个系统能够与现有测量设备进行很好的兼容，如电流源以及相关电输运特性测量设备，能够进行太赫兹领域的相关测试，如RT降温测试，太赫兹源辐射测试，太赫兹混频检测测试等，具有很好的实用性。
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公开(公告)号：CN111351247A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010261706.9
申请日：2020-04-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种线性分置式斯特林制冷机的真空系统，包括上法兰、下法兰、窗框、SMA接口、引线接口、THz窗片、连接法兰和真空隔膜阀以及真空泵，通过THz窗片的设计，使得该真空系统可以照射THz波，所设计的真空系统，能够满足THz实验的需求，在将制冷机系统抽至低真空范围的同时，还能满足高温超导器件测试的需求，保证真空系统密闭性，使得系统达到要求真空度的时间变快，系统的热传导变小，保证低真空度的同时，减轻真空系统的重量，减小系统的体积。
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公开(公告)号：CN105576115B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201510983562.7
申请日：2015-12-24
Applicant: 南京大学
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明公开了一种双面结高温超导BSCCO太赫兹源的制备方法，取BSCCO单晶分别热蒸发上下电极，再通过一次光刻以及离子束刻蚀，即可制作出厚度可达数微米的样品。该制备方法简单、可操作，可缩短样品制备周期和提高样品制备成功率，有利于制作超厚度样品。通过该制备工艺制备出的样品具有发连续波、可调谐、单色性好、功率高等优点。当样品厚度大于2μm时，有比较大的太赫兹辐射功率，可达几十微瓦，相较于传统的双面结样品，辐射功率最高可提高一个数量级，样品的频率可调范围可达500 GHz。
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公开(公告)号：CN104505458B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201410693828.X
申请日：2014-11-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L39/22
Abstract: 本发明公开了一种便携式连续可调太赫兹发生器，包括太赫兹波导、容器、容器盖子、固定件、半球透镜、加热电阻、低温温度计、BSCCO高温超导太赫兹源和电极板；所述的容器盖子将固定件封装在容器内；所述的半球透镜设在固定件中心，在半球透镜的背面的中心处设BSCCO高温超导太赫兹源，在固定件上紧临半球透镜黏贴加热电阻、低温温度计和电极板；电极板的四个电极、加热电阻的两个电极和低温温度计的两个电极通过漆包线经过容器引到外部；所述BSCCO高温超导太赫兹源的电极通过金线与电极板相连；所述的太赫兹波导插入容器的深度，恰好接触到固定件中心的半球透镜的半球面。该便携式连续可调太赫兹发生器，体积小巧，简单易用，成本低，方便携带和移动；可用电池驱动，系统简单，使用方便，降温速度快。
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公开(公告)号：CN105742478A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610152652.6
申请日：2016-03-17
Applicant: 南京大学
IPC: H01L39/24
CPC classification number: H01L39/2467
Abstract: 本发明公开了一种铁基单晶超导体微桥的制备方法，在平整的铁基超导单晶表面直接光刻图形，通过氩离子束刻蚀控制样品厚度，运用翻面技术，经过解理、热蒸发金电极、光刻微桥图形和离子束刻蚀，就可以得到理想厚度的铁基超导单晶微桥样品。该制备方法简单、可操作、样品厚度可控，可缩短样品制备周期并提高样品制备成功率。通过该制备工艺制备出的样品具有厚度可控、高质量、尺寸精度高等优点。
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