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公开(公告)号：CN117110824B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311370126.3
申请日：2023-10-23
Applicant: 南京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了半导体器件原位测试系统，涉及半导体性能测试技术领域。本发明包括静态测试单元、静态测试通道、动态测试单元、动态测试通道和通道切换控制单元；静态测试单元经静态测试通道连接待测半导体器件，静态测试单元用于输出静态测试信号并显示待测半导体器件的静态测试数据；动态测试单元经动态测试通道连接待测半导体器件，动态测试单元用于输出动态测试信号并显示待测半导体器件的动态测试数据；通道切换控制单元分别连接静态测试通道和动态测试通道。本发明可以实现第三代半导体器件的静态特性、动态特性和退化特性测试。
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公开(公告)号：CN112230115B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202011088858.X
申请日：2020-10-13
Applicant: 南京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种集成氮化镓二极管和三极管的雪崩测试电路及其控制方法，雪崩测试电路包括电源保护电路、测试电路和控制电路；电源保护电路与测试电路串联；电源保护电路包含直流DC电源、稳压电容C1、滤波电容C2、保护三极管Q3和保护二极管D3；测试电路包含待测二极管D1、待测三极管Q1、旁路三极管Q2、保护二极管D2和负载电感L1,负载电感L1存储的雪崩能量有两条泄放支路，保护二极管D2与两条泄放支路分别构成泄放回路；控制电路分别连接待测三极管Q1、旁路三极管Q2和保护三极管Q3的栅极。本发明实现了在固定电路中对氮化镓二极管和三极管的雪崩参数进行测量，提升了测试效率，降低了测试成本，并且利用泄放回路消除了雪崩能量对电路的冲击，保护了电源设备。
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公开(公告)号：CN119208373B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411676742.6
申请日：2024-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: H10D30/47 , H01L23/552 , H10D30/01
Abstract: 本发明提供了一种辐照下维持阈值电压稳定的增强型GaN晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该增强型GaN晶体管包括自下而上设置的衬底层、氮化镓层和势垒层，所述势垒层上方设置有呈条状分布的p‑GaN层，所述p‑GaN层上方设置有栅极金属层，所述p‑GaN层的两侧平行间隔设置有源极和漏极，所述p‑GaN层靠近所述源极的一侧平行间隔设置有欧姆金属层，所述欧姆金属层与所述p‑GaN层之间填充有绝缘介质层。能够解决现有技术中氮化镓功率二极管因辐照后发生空穴积聚而导致的抗辐照能力差、器件阈值电压不稳定的技术问题。
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公开(公告)号：CN119535144A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411733006.X
申请日：2024-11-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供了一种辐照环境下测量器件电学特性的实验系统，通过触发单元通过模数转换后分别与雪崩测试单元和浪涌测试单元相连，生成测试触发信号；通过雪崩测试单元和浪涌测试单元分别输出对应的测试信号并记录待测器件的电学特性数据；通过控制信号处理单元通过信号综合判断，实现对各测试通道的开关控制；通过自检比较单元接收保护电路产生的自检电流信号并生成对应信号输出至控制信号处理单元；通过判定单元对各测试单元的信号输出进行比较，标记异常单元；通过辐照保护单元隔离辐射环境对测试系统的影响。集成度高、测试方便快捷、直观显示异常情况、大幅减少故障概率等优点。
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公开(公告)号：CN119364881A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411937687.1
申请日：2024-12-26
IPC: H10F30/29 , H10F77/14 , H10F77/1226
Abstract: 本申请公开了一种碳化硅探测器及其制作方法，涉及半导体领域，包括：碳化硅衬底层；位于碳化硅衬底层一侧的碳化硅基体层，碳化硅基体层包括层叠的第一碳化硅层、第二碳化硅层和第三碳化硅层；第三碳化硅层为阳极层，位于第二碳化硅层的第一区域，裸露第二碳化硅层的第二区域；第二碳化硅层的第二区域内具有N个漂移环，N个漂移环中，第1漂移环为闭环，其他漂移环围绕所述第1漂移环呈螺旋排布，第i+1漂移环的首端和所述第i漂移环的尾端相连；在平行于衬底层所在平面的平面内，阳极层位于第1漂移环的闭合区域内。本申请实施例所提供的碳化硅探测器，更容易获得极低漏电流的高性能器件，且无需制备分压器，工艺难度和成本大大降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119170656A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411676733.7
申请日：2024-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/872 , H01L23/552 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种抗单粒子烧毁辐照效应的GaN整流器件及其制备方法，属于半导体技术领域。该GaN整流器件包括背面阴极金属层、n+氮化镓衬底层和n‑氮化镓漂移层，n‑氮化镓漂移层上开设有多个环形槽结构且内部生长有p+氧化镍层，n‑氮化镓漂移层上方设有肖特基接触金属层，p+氧化镍层上方设置有欧姆接触金属层并设置绝缘钝化层进行隔离。绝缘钝化层上开设有第一接触通孔和第二接触通孔，上方生长有相互隔离的正面第一阳极金属层和正面第二阳极金属层，分别通过第一接触通孔和第二接触通孔与肖特基接触金属层和欧姆接触金属层连接。能够解决现有GaN整流器因空穴在阳极附近积累，产生辐照损伤甚至单粒子烧毁的技术问题。
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公开(公告)号：CN118275849A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410704305.4
申请日：2024-06-03
Applicant: 南京大学
IPC: G01R31/26 , G01R31/265
Abstract: 本发明公开了一种脉冲激光辐照宽禁带功率器件实验装置及测试方法，涉及宽禁带半导体辐照特性测试领域，所述装置包括光路耦合系统、电路测试系统、温度控制系统和交互控制系统；光路耦合系统控制激光入射参数，反馈待测宽禁带功率器件表面形貌的图像；电路测试系统监测待测宽禁带功率器件在辐照前后的电学特性、捕获辐照瞬态脉冲电流及进行动态开关测试；温度控制系统控制待测宽禁带功率器件的环境真空度和温度；交互控制系统发送测试指令，并采集反馈测试数据和图像。本发明实现了对宽禁带功率器件的辐照敏感区域定位、辐照瞬态电流测试、辐照敏感条件测试以及辐照退化测试，具有实验便捷、操作简单、自动化测试及测试结果全面准确等优点。
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公开(公告)号：CN118099206B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410482373.0
申请日：2024-04-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/778 , H01L23/552 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开一种级联型抗辐照GaN HEMT及其制作方法，本发明在MIS结构GaN HEMT的栅极结构处制备局域刻蚀孔，并填入肖特基金属层，使得辐照感生载流子能够从肖特基金属层流出晶体管，避免由载流子积累导致的辐照损伤。肖特基金属层交替间隔排布，下端与势垒层顶面相接触，上端通过条状肖特基金属层将所有栅极金属层刻蚀孔中的肖特基金属层连接在一起，并通过互联金属层、顶层金属层等连接到基板的Li管脚，Li管脚单独用于泄放载流子。本发明充分考虑了整体级联型结构布局，提出了级联型抗辐照器件结构设计，并实现具备正常电学工作能力的级联型器件，制作方法简单，与现有工艺兼容，提升了整体级联型器件的辐照能力。
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公开(公告)号：CN118091356A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410469102.1
申请日：2024-04-18
Applicant: 南京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种辐照场景下半导体器件特性参数监测系统及方法，涉及半导体辐照、半导体特性参数测试领域。本系统包括分别设置于辐照保护单元a和辐照保护单元b中的漏极测试单元、栅极测试单元、特性参数监测单元、驱动单元、信息处理控制单元和信息传输单元，漏极测试单元、栅极测试单元分别向待测半导体器件发送测试信号，待测半导体器件通过特性参数监测单元连接信息处理控制单元监测辐照条件下待测半导体器件特性参数变化情况。本发明无需测试人员进出辐照间即可实现远距离智能化监测不同辐照条件下多个半导体器件的特性参数，具有操作简单、体积小、测试数量可达到万颗器件、测试结果准确快捷、判断器件工作状态等优点。
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公开(公告)号：CN117276335B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311541154.7
申请日：2023-11-20
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种具有解耦合反向导通能力的增强型GaN HEMT及其制作方法，在该晶体管栅极区域，p型氮化镓层上分段分布有第一栅区域金属和第二栅区域金属，其中第一栅区域金属由第一肖特基金属层与第二欧姆金属层组成，第二栅区域金属仅由第二肖特基金属层组成；第一栅区域金属和第二栅区域金属之间填充有介质层，第一栅区域金属上方设有互联金属层且与源极上方的互联金属层相连，形成反向续流二极管；第二栅区域金属上方设有栅极金属层，作为该晶体管的真实栅极。本发明将晶体管的反向开启电压与栅极阈值电压解耦合，降低了反向开启电压，减小了反向导通损耗，在反向工作状态时不受栅极电压的控制，栅极漏电流低，制备简单，集成度高。
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