公开(公告)号：CN119208373B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411676742.6

申请日：2024-11-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  舒崇瑞 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: H10D30/47 ,  H01L23/552 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明提供了一种辐照下维持阈值电压稳定的增强型GaN晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该增强型GaN晶体管包括自下而上设置的衬底层、氮化镓层和势垒层，所述势垒层上方设置有呈条状分布的p‑GaN层，所述p‑GaN层上方设置有栅极金属层，所述p‑GaN层的两侧平行间隔设置有源极和漏极，所述p‑GaN层靠近所述源极的一侧平行间隔设置有欧姆金属层，所述欧姆金属层与所述p‑GaN层之间填充有绝缘介质层。能够解决现有技术中氮化镓功率二极管因辐照后发生空穴积聚而导致的抗辐照能力差、器件阈值电压不稳定的技术问题。

公开(公告)号：CN119208373A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411676742.6

申请日：2024-11-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  舒崇瑞 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: H01L29/778 ,  H01L23/552 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明提供了一种辐照下维持阈值电压稳定的增强型GaN晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该增强型GaN晶体管包括自下而上设置的衬底层、氮化镓层和势垒层，所述势垒层上方设置有呈条状分布的p‑GaN层，所述p‑GaN层上方设置有栅极金属层，所述p‑GaN层的两侧平行间隔设置有源极和漏极，所述p‑GaN层靠近所述源极的一侧平行间隔设置有欧姆金属层，所述欧姆金属层与所述p‑GaN层之间填充有绝缘介质层。能够解决现有技术中氮化镓功率二极管因辐照后发生空穴积聚而导致的抗辐照能力差、器件阈值电压不稳定的技术问题。