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公开(公告)号：CN107293515A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710473619.8
申请日：2017-06-20
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本发明提供了一种TSV封装结构的制备方法及其所制备的TSV封装结构，其中所述方法包括：在衬底的第一表面形成盲孔；衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；在盲孔内填充导电金属；对衬底的第二表面进行减薄至露出盲孔内的导电金属；在板体的第二表面制作第一布线层，第一布线层的至少一条导线与盲孔内的导电金属连接；在盲孔内填充导电金属的步骤之后，还包括：在板体的第一表面制作第二布线层，第二布线层的至少一条导线与盲孔内的导电金属连接。由于盲孔的底部朝向衬底的第二表面突出，则在TSV封装结构深宽比较大、盲孔较深时，采用传统方法即可用在盲孔的整个内壁制备得到致密均匀的铜种子层，从而在盲孔内部所填充的Cu较均匀。
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公开(公告)号：CN107275302A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710598736.7
申请日：2017-07-21
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L21/60 , H01L25/065
Abstract: 本发明公开了一种扇出型封装结构，包括：衬底，所述衬底包括凹槽；嵌入在所述衬底的凹槽中的芯片，所述芯片具有第一表面、以及与所述第一表面相对的第二表面，所述芯片的第一表面包括器件区、芯片电路和导电焊盘，其中所述衬底的材料在外界热处理条件下能够流动从而将芯片的第二表面和侧面包裹，所述芯片的第一表面与衬底的顶面齐平；以及设置在所述芯片的第一表面以及与所述第一表面齐平的衬底的顶面上的重布线结构，所述重布线结构与所述芯片的第一表面上的导电焊盘电连接。
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公开(公告)号：CN106356344A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610810942.5
申请日：2016-09-08
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/467
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L23/367 , H01L23/467
Abstract: 本发明涉及一种基于三维堆叠封装的风冷散热结构及制造方法，包括依次堆叠于PCB板上的多层基板，在每一层基板的正面设置芯片，芯片的微凸点与基板正面的焊盘连接，基板的背面焊盘处形成BGA焊球；其特征是：在除最底层基板以外的每一层基板中设置通孔，通孔连通基板的正面和背面。在最底层的基板中设置通孔。所述上下层基板的通孔在竖直方向上位置一致。所述基板的堆叠层数为2层、3层或3层以上。所述芯片为裸芯片或经过封装后的芯片。所述基板为有机基板、陶瓷基板或Si转接板。所述通孔的位置分布在基板中央，或者在基板两侧。本发明所述散热结构工艺简单，制作成本低，可以实现大幅度降温，有效解决多层堆叠芯片的散热问题。
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公开(公告)号：CN105977194A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610514349.6
申请日：2016-06-30
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/683 , B23K26/50 , B23K26/073 , B23K26/08
CPC classification number: H01L21/6835 , B23K26/0732 , B23K26/0884 , B23K26/50 , H01L2221/68318 , H01L2221/68386
Abstract: 本发明涉及一种纳秒固态激光调制系统及键合晶圆分离的方法，其特征是，包括以下步骤：（1）键合晶圆放置在承载平台上；（2）激光发生器发出高斯激光束，通过光束整形镜调制产生方形光斑；使方形光斑的激光束聚焦透过玻璃载片至释放层，将释放层进行灰化，并保证粘结层无损伤；（3）调节激光发生器和承载平台的相对位置，使方形光斑照射在键合晶圆上的位置发生移动后进行灰化，移动后光斑与移动前的光斑部分面积相重叠；依此顺序移动光斑以实现键合晶圆整面的激光照射；（4）经上述步骤激光照射灰化后，将玻璃载片取下。本发明利用激光将临时键合体中的释放层进行灰化处理，可以实现批量生产，无良率损失，同时大幅提高产出的效率。
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公开(公告)号：CN104916602A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510193675.7
申请日：2015-04-22
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/96
Abstract: 本发明公开了一种用于埋入晶圆级球栅阵列封装的散热结构，其包括：内部热沉通过高导热的热界面材料贴装在大功率芯片上表面，所述内部热沉上表面有很多盲孔，大功率芯片和内部热沉通过塑封胶塑封，内部热沉的上表面裸露在封装外表面。所述内部热沉厚度为100~300um，通常采用铜材质。本发明的优点是：针对大功率芯片埋入晶圆级球栅阵列封装，本技术的优势是将带很多盲孔的内部热沉通过高导热的热界面材料粘在大功率芯片的上表面上，带有很多盲孔的内部热沉上表面裸露在外表面。这种散热结构有利于提高大功率芯片的散热能力以及消除可能出现的热点。
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公开(公告)号：CN104157551A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410371146.7
申请日：2014-07-31
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC classification number: H01L21/4842 , H01L21/4835
Abstract: 本发明涉及一种键合前进行基板表面预处理的方法，其特征是，包括以下步骤：（1）将基板在硬度为50～100邵氏D的研磨垫上进行第一次抛光，基板的研磨量为基板总厚度的3～5%；（2）将基板在硬度为50～100邵氏D的研磨垫上采用研磨液进行第二次抛光，基板的研磨量为基板总厚度的2～3%；（3）将基板在硬度为30～50邵氏D的研磨垫上采用研磨液进行第三次抛光，基板的研磨量为基板总厚度的1～1.5%；经步骤（3）抛光后的基板表面粗糙度
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公开(公告)号：CN104134637A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410380771.8
申请日：2014-08-04
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/367
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种用于大功率逻辑芯片PoP封装的散热结构，在印刷线路板的上表面焊接有底部支撑球，在底部支撑球上设有有机基板，在有机基板的上表面固定有下层封装体，在下层封装体上开设有联通孔，下层封装体内设有微喷腔体，在微喷腔体的上腔板上设有导热薄膜，在微喷腔体的下腔板中部开设有冷却介质入口，在微喷腔体的下腔板左右两端部开设有冷却介质出口，在下层封装体的上表面设有双层封装支撑球，在双层封装支撑球上设有上层封装基板，在上层封装基板的上表面固定有上层封装体，在印刷线路板的上表面固定有冷却泵与热交换器。本发明有助于尽快将芯片产生的热量传导至封装外，从而提高大功率芯片PoP封装的散热能力。
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公开(公告)号：CN104134615A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410375125.2
申请日：2014-07-31
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/603
CPC classification number: H01L24/81 , H01L2224/80001
Abstract: 本发明涉及一种铜铜键合的方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）对基板及芯片进行表面预处理，使基板的表面粗糙度
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公开(公告)号：CN109545691B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201811366693.0
申请日：2018-11-16
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种超薄扇出型封装结构的制造方法，包括：临时键合铜箔至载板；在所述铜箔上表面光刻形成电镀图案；电镀形成铜互连金属层；去除光刻胶掩膜层；在所述铜箔和所述铜互连金属层的外表面形成第一介质层，并光刻形成芯片焊盘开口；在所述芯片焊盘开口处形成第一铜保护层；将芯片通过芯片焊接结构倒装焊至芯片焊盘；在所述芯片与所述第一介质层间填充底填料；形成塑封层；拆键合去除所述载板；刻蚀去除所述铜箔；形成第二介质层，并光刻形成外接焊盘开口；在所述外接焊盘开口形成第二铜保护层；形成外接焊球；以及分割形成单颗芯片封装。
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公开(公告)号：CN107275302B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201710598736.7
申请日：2017-07-21
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L21/60 , H01L25/065
Abstract: 本发明公开了一种扇出型封装结构，包括：衬底，所述衬底包括凹槽；嵌入在所述衬底的凹槽中的芯片，所述芯片具有第一表面、以及与所述第一表面相对的第二表面，所述芯片的第一表面包括器件区、芯片电路和导电焊盘，其中所述衬底的材料在外界热处理条件下能够流动从而将芯片的第二表面和侧面包裹，所述芯片的第一表面与衬底的顶面齐平；以及设置在所述芯片的第一表面以及与所述第一表面齐平的衬底的顶面上的重布线结构，所述重布线结构与所述芯片的第一表面上的导电焊盘电连接。
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