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公开(公告)号:CN113241256A
公开(公告)日:2021-08-10
申请号:CN202110356882.5
申请日:2021-04-01
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于BPO电极的PZT基多层介电增强薄膜及其制备方法,包括衬底,通过磁控溅射法在衬底上制备BPO薄膜电极,采用溶胶凝胶法在BPO上制备多层异质薄膜,热处理过后,再在表面通过磁控溅射制备Au电极。所述多层异质薄膜由PZT和BTO薄膜交替堆叠构成。本发明利用异质薄膜间的静电耦合效应极大的提高了薄膜的介电性能,并且通过氧化物电极BPO改善了电畴的扎钉效应,使得PZT/BTO薄膜的抗疲劳特性大幅地提升。
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公开(公告)号:CN108219369B
公开(公告)日:2020-04-28
申请号:CN201711287937.1
申请日:2017-12-07
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于电介质材料的技术领域,公开了一种复合填充粉体、聚合物基复合介质材料及其制备与应用。所述复合填充粉体是将含有表面氧化的炭黑的二氧化钛溶胶与氢氧化钡溶液进行水热反应得到。聚合物基复合介质材料是将环氧树脂溶液与表面活化复合填充粉体超声搅拌处理得到,所述表面活化复合填充粉体是采用硅烷偶联剂对导电材料/陶瓷复合填充粉体进行改性而成。所述聚合物基复合介质材料用于制备电容器。本发明将炭黑经过氧化处理,与钛酸钡通过化学键复合,复合填充粉体更加稳定,炭黑在复合填充粉体以及复合填充粉体在环氧树脂中具有更优异的分散性,损耗更低。本发明制备的聚合物基复合介质材料具有低损耗和高介电性。
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公开(公告)号:CN110252382A
公开(公告)日:2019-09-20
申请号:CN201910573482.2
申请日:2019-06-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: B01J27/25 , B01J37/10 , B01J37/16 , C02F1/30 , C02F101/30
Abstract: 本发明公开了一种含铋的碱式盐的复合光催化剂及其制备方法:将一水葡萄糖和五水硝酸铋,加入去离子水配置成反应前驱液;将反应前驱液转入反应釜中,在150~180℃的烘箱内反应8~12h,沉淀物经洗涤干燥得到掺碳的铋的碱式盐粉体,将其加入NaBH4还原液中,洗涤、干燥。复合光催化剂化学式为C-[Bi6O6(OH)3](NO3)3·1.5H2O/Bi;Bi单质以纳米颗粒的形式负载在C-[Bi6O6(OH)3](NO3)3·1.5H2O材料上。本发明通过简单的两步改性就将[Bi6O6(OH)3](NO3)3·1.5H2O的吸收光谱扩展至可见光范围,且在常温下成功引入金属Bi纳米粒子,操作简单,节省能源。
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公开(公告)号:CN106673641A
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201710000618.1
申请日:2017-01-03
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B41/88 , B32B18/00 , B32B37/10 , B32B38/18
Abstract: 本发明公开了一种低压压敏陶瓷片,由电压非线性陶瓷层和低电阻率导电陶瓷层层叠构成,所述电压非线性陶瓷层和低电阻率导电陶瓷层之间设有金属隔离层;低压压敏陶瓷片的上、下底面分别设有上、下电极。本发明还公开了上述低压压敏陶瓷片的制备方法。本发明的低压压敏陶瓷片,具有低压敏电压、高非线性特性,又具有优良脉冲电流耐受能力。
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公开(公告)号:CN105129861A
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN201510534386.9
申请日:2015-08-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: C01G49/00
CPC classification number: Y02P20/124 , C01G49/00 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2004/24
Abstract: 本发明公开了铁酸铋BiFeO3纳米片的制备方法,包括以下步骤:按摩尔比1:1称量分析纯的Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O,并将其溶解于乙二醇甲醚溶液中,配成均匀的溶液A;在搅拌的同时,将氨水溶液滴加到溶液A中,使之完全沉淀,并搅拌均匀,制得反应前驱物;将制备的反应前驱物洗涤至中性,干燥后得到干粉;将干粉、NaOH溶液放入反应釜中,密封反应釜;将反应釜置于120℃~150℃的反应炉内,反应后取出反应釜中的产物,经洗涤,干燥得到铁酸铋BiFeO3纳米片。本发明的制备温度低,节省能源,且铁酸铋BiFeO3结晶完好、工艺控制及合成所需仪器设备简单。
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公开(公告)号:CN104294364A
公开(公告)日:2015-01-21
申请号:CN201410413370.8
申请日:2014-08-20
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种制备单晶钛酸铋纳米片的方法,包括以下步骤:(1)按照Bi4Ti3O12的化学式,计量称取Bi2O3和TiO2放入陶瓷研钵,再加入碳水化合物,在陶瓷研钵中研磨8~10分钟后得到混合物;(2)将步骤(1)中所得的混合物加热至混合物开始燃烧,燃烧完全后得到粉体;(3)将步骤(2)所得粉体用稀硝酸进行洗涤,去除未反应的氧化铋和氧化钛,再用去离子水洗涤至中性,放入烘箱干燥,得到产物单晶钛酸铋纳米片。本发明的制备方法温度低,节省能源,步骤简单,反应时间短,整个燃烧反应可在10分钟内完成,效率高,合成的单晶钛酸铋纳米片结晶度高,合成容易控制,合成所需仪器设备简单,不需要高能球磨机和高温炉。
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公开(公告)号:CN102963929B
公开(公告)日:2014-11-12
申请号:CN201210464893.6
申请日:2012-11-16
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: Y02P20/124
Abstract: 本发明公开了一种溶胶凝胶水热法制备掺镧钛酸铋纳米粉体的方法,包括以下步骤:将Bi(NO3)3·5H2O和La(NO3)3·6H2O溶解于冰醋酸溶液中,得到溶液A;将Ti(OC4H9)4滴入到有机溶剂中,得到溶液B;将溶液B滴加到溶液A中,通过磁力搅拌配成均匀的溶胶;将溶胶放到烘箱中,干燥后得到干凝胶,并经研磨得到粉状的水热反应前驱物;将水热反应前驱物放入水热釜中,加入纯水作为溶剂,NaOH作为矿化剂;密封反应釜,置于160℃~170℃烘箱内,反应后取出产物,经过滤得到沉淀物;沉淀物经洗涤,干燥后得到掺镧钛酸铋粉体。本发明实现了在低温条件下制备掺镧钛酸铋纳米粉体,节省能源,掺镧钛酸铋结晶完好。
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公开(公告)号:CN114716243B
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN202210379506.2
申请日:2022-04-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/475
Abstract: 本发明属于电容材料的技术领域,公开了一种高温稳定型钛酸铋钠‑钛酸锶基介电储能陶瓷材料及其制备与应用。所述介电储能陶瓷材料,化学组成为Na0.35Bi0.35Sr0.3Ti(1‑x)(Al0.5Nb0.5)xO3,0<x≤0.05。本发明还公开了介电储能陶瓷材料的制备方法。本发明的介电储能陶瓷材料具有良好的储能性能和高温稳定性,如:在室温、60kV/cm外加电场下的储能密度Wrec为0.62J/cm3,储能效率为73.89%;具有高介电常数且其高温稳定性,在室温到270℃介电常数保持3311±15%以及tanδ<0.02的低介电损耗。本发明的介电储能陶瓷材料用于介电储能电容器。
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公开(公告)号:CN113860866A
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN202111015325.3
申请日:2021-08-31
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡基X8R型多层陶瓷电容器用介质材料及制备方法。该材料化学式为BaTiO3‑xBi2O3‑yMgO‑zY2O3+0.5mol%Nd2O3+0.5wt%B。其制备方法为:先制备硼锌助烧剂B;然后将原料放入球磨机中用湿式球磨法混合球磨,并经烘干得到陶瓷粉体、研磨、造粒、过筛,干压成型得到陶瓷生坯;排胶后在烧结即得到。本发明的高介电常数X8R型MLCC介质材料制备工艺简单、成本低廉、介电常数高,其室温介电常数为2884,室温损耗≤2%,在‑55℃‑150℃温度范围内,相对室温介电常数的容温变化率的绝对值|△C/C25℃|≤15%,具有良好的应用前景。
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公开(公告)号:CN113666738A
公开(公告)日:2021-11-19
申请号:CN202111017096.9
申请日:2021-08-31
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡基X9R型多层陶瓷电容器用介质材料及制备方法。该材料化学式为0.85BT‑0.15BNT‑0.02Nb2O5‑0.02MgO‑xCaZrO3,其中x=1.0~3.0mol%。其制备方法为:制备Bi0.5Na0.5TiO3;制备0.85BaTiO3‑0.15Bi0.5Na0.5TiO3;原料放入球磨机中用湿式球磨法混合球磨,并经烘干得到陶瓷粉体;研磨、造粒、过筛,干压成型得到陶瓷生坯;排胶后在烧结,即得到。本发明制备的介质陶瓷材料在‑55~200℃温度范围内满足容温变化率|△C/C25℃|≤15%,且室温下介电常数约为1940,室温介电损耗不超过2.0%。
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