公开(公告)号：CN108709645A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201810425446.7

申请日：2018-05-07

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 赵彦立 ,  王润琦 ,  田育充

IPC: G01J11/00

Abstract: 本发明公开了一种基于场效应管的单光子淬灭电路，包括：第一NMOS管，第二NMOS管，雪崩光电二极管APD，滑动变阻器R以及取样电阻R0，APD阴极与R相连；APD阳极与R0和放大器的一端相连；R0与第一NMOS管的漏极相连；R与第二NMOS管的源极相连；第一NMOS管的源极接地，第二NMOS管的漏极与高压偏置电源相连；第一NMOS管和第二NMOS管的栅极均与脉冲信号相连，雪崩信号经过放大器后输出。通过调节滑动变阻器阻值可有效的减小工作电流，降低功耗，利用两个MOSFET管即可实现单光子的自淬灭过程，结构简单，淬灭电路响应速度快，且工作电流可得到有效限制，有利于实现大规模雪崩光电二极管的集成。

公开(公告)号：CN103091568B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201310021677.9

申请日：2013-01-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 赵彦立 ,  李奕键 ,  涂俊杰

IPC: G01R29/26

Abstract: 本发明公开了一种雪崩光电二极管（Avalanche Photo Diode，APD）过剩噪声因子测量系统，涉及半导体光电子器件的测试技术领域。本系统包括：光源、光耦合组件以及检测单元；所述检测单元包括：芯片测试工装夹具、偏置器、数字源表、放大器、噪声功率测试设备；光源通过光耦合组件照射在待测APD样品上，样品APD通过测试探针夹具与偏置器相连，数字源表与偏置器直流端口相连，偏置器交流端口连接放大器输入端，噪声功率测试设备连接放大器输出端。本发明通过同步测量APD噪声功率以及增益，实时，快速，精确的得出APD的过剩噪声因子。

公开(公告)号：CN104767570A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201510135874.2

申请日：2015-03-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 赵彦立 ,  文柯 ,  涂俊杰

IPC: H04B10/64

Abstract: 本发明属于光通信技术领域，公开了一种偏振无关相干接收机，包括：本振光源，产生线偏本振光；本振光调制单元，将本振光转换成调制本振光；混频器，接收调制本振光和信号光，并进行混频生成混频信号光；光电转换模块，接收混频信号光，转换成中频信号输出；其中，本振光调制单元包括：偏振分束器、相位调制器以及偏振合束器；偏振分束器接收线偏本振光，并将其分成功率相等，偏振态相互垂直的第一线偏光和第二线偏光；相位调制器与偏振分束器相连，接收第一线偏光并调整其相位，产生第三线偏光；第三线偏光与第二线偏光产生调制相位差；偏振合束器，接收第三线偏光和第二线偏光，并将二者合束，产生调制本振光。本发明结构简单，易于控制，成本低廉。

公开(公告)号：CN102902024B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201210380270.0

申请日：2012-09-29

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 赵彦立 ,  刘卫华 ,  许远忠 ,  刘文

IPC: G02B6/42

Abstract: 本发明涉及一种实现多芯光纤和光电子芯片阵列光耦合的方法，包括：将垫块固定在管壳中,然后在垫块上的小凹槽中放入焊料；将光电子芯片放在对应的凹槽中，使焊料融化以固定光电子芯片，再通过打线方式完成光电子芯片的电气连接；将多层波导的端面与垫块的出光面对准后，固定多层波导；调整并固定透镜组的位置，然后对准多芯光纤并固定，实现多芯光纤和光电子芯片阵列光耦合。本发明使用一种多层波导，将多芯光纤呈中心对称排列的模斑转换成呈直线排列的模斑，具有体积小，适合在管壳中进行封装等优点，容易实现低成本、大规模应用。

公开(公告)号：CN103022218A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210572301.2

申请日：2012-12-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 赵彦立 ,  向静静 ,  张冀 ,  涂俊杰 ,  张诗伯 ,  高晶 ,  文柯

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种雪崩光电二极管及其制造方法，特别涉及一种InAs雪崩光电二极管；所述的二极管采用吸收电荷倍增分离结构，其中倍增层采用超晶格结构。本发明还涉及一种制造所述InAs雪崩光电二极管的方法，主要步骤为：S1.产生采用多量子阱超晶格结构的倍增层；S2.产生电荷层，渐变层以及光窗口层；S3.采用Zn扩散或者Cd扩散工艺形成PN结。本发明主要针对InAs材料的窄带隙属性，采用倍增层超晶格结构降低暗电流，特别是隧穿暗电流；此外采用与InAs材料相匹配的宽带隙材料对二极管的各个结构进一步优化，从而实现低噪声、高增益、高速，高响应。

公开(公告)号：CN102263162A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110170878.6

申请日：2011-06-23

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 赵彦立

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/09 ,  H01L31/0304

Abstract: 本发明涉及一种倒装焊结构雪崩光电二极管及其阵列的制备方法。具体为在半导体衬底上依次沉积缓冲层、本征光吸收层、过渡层、电荷层，本征盖层；而后采用两步Zn扩散方法在本征盖层中形成PN结；在上述衬底反面集成微透镜；采用蒸发、溅射方法在上述衬底上形成电极；将上述电极进行倒装焊，即得到倒装焊结构雪崩光电二极管。本发明的倒装焊结构APD及其阵列具有低成本、高速率、高灵敏度、低噪声和易集成的特点，可以广泛应用在光通信、卫星遥感、夜视成像、伪装识别、有害气体探测和医学诊断等领域。

公开(公告)号：CN101777599A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN201010113644.3

申请日：2010-02-25

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 赵彦立

IPC: H01L31/08 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H04B10/08

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种光通信用激子光探测器及其的制备方法。该激子光探测器包括衬底、层叠于所述衬底之上的多层薄膜，以及制备于所述多层薄膜之上的光子晶体；所述多层薄膜按层叠顺序包括分布布拉格反射镜层、透明导电电极、光吸收层、电子受体层、金属环形电极。所述光吸收层采用单壁碳纳米管作为光吸收材料，所述光子晶体具有光栅衍射效应。本发明光通信用光探测器与传统半导体PN结探测器相比，具有高速率、长波长、高灵敏度、低噪声、易集成和低成本的特点，并且应用光子晶体结构解决了激子光探测器中激子扩散长度与光吸收效率的矛盾问题，具有普遍意义。

公开(公告)号：CN101488551A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910060799.2

申请日：2009-02-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 赵彦立 ,  元秀华 ,  黄黎蓉 ,  余永林 ,  刘文 ,  黄德修

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种用CNT薄膜作为透明导电电极的GaN基LED的制备方法，该方法包括半导体外延层的生长、在P型GaN层表面上制备CNT薄膜透明导电电极、二维CNT薄膜光子晶体的制备、N型金属电极的形成和P型电极的制备步骤。本发明可以有效提高LED正面的出光效率，并同时解决透明导电电极与P－GaN的欧姆接触问题；在工艺上，电极选材合理，采用了纳米压印技术，具有制作成本低，生产效率高及光栅分辨率高的特点。

公开(公告)号：CN201331670Y

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200820144819.5

申请日：2008-12-24

Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 ,  华中科技大学

Inventor： 刘文 ,  王定理 ,  周宁 ,  赵彦立 ,  徐智谋

IPC: G03F7/00

Abstract: 一种纳米压印用二次压印模板，包括有基板，在基板上形成有多数个相同的成套密集波分复用系统用半导体激光器的分布反馈DFB光栅结构。分布反馈DFB光栅结构的光栅周期为：di＝λi/(2neff)，其中，di为光栅周期，λi为符合ITU－T要求的激光器波长，其值为1525～1565nm或1565～1605nm，波长间隔为0.8nm或0.4nm，neff为激光器材料的有效折射率，典型值为3～3.5。本实用新型，由于一次压印模板只含有少量DFB光栅图形，因此制作上占用电子束曝光机机时少，成本比较低。而且采用同一个一次压印模板可以制作出多个二次压印模板，适合于大批量生产，所以采用二次压印模板的纳米压印方法制作DFB半导体激光器光栅，具有光栅分辨率高、重复性好，以及制作成本低，生产效率高的特点。