公开(公告)号：CN103022218A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210572301.2

申请日：2012-12-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 赵彦立 ,  向静静 ,  张冀 ,  涂俊杰 ,  张诗伯 ,  高晶 ,  文柯

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种雪崩光电二极管及其制造方法，特别涉及一种InAs雪崩光电二极管；所述的二极管采用吸收电荷倍增分离结构，其中倍增层采用超晶格结构。本发明还涉及一种制造所述InAs雪崩光电二极管的方法，主要步骤为：S1.产生采用多量子阱超晶格结构的倍增层；S2.产生电荷层，渐变层以及光窗口层；S3.采用Zn扩散或者Cd扩散工艺形成PN结。本发明主要针对InAs材料的窄带隙属性，采用倍增层超晶格结构降低暗电流，特别是隧穿暗电流；此外采用与InAs材料相匹配的宽带隙材料对二极管的各个结构进一步优化，从而实现低噪声、高增益、高速，高响应。

公开(公告)号：CN103022218B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201210572301.2

申请日：2012-12-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 赵彦立 ,  向静静 ,  张冀 ,  涂俊杰 ,  张诗伯 ,  高晶 ,  文柯

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种雪崩光电二极管及其制造方法，特别涉及一种InAs雪崩光电二极管；所述的二极管采用吸收电荷倍增分离结构，其中倍增层采用超晶格结构。本发明还涉及一种制造所述InAs雪崩光电二极管的方法，主要步骤为：S1.产生采用多量子阱超晶格结构的倍增层；S2.产生电荷层，渐变层以及光窗口层；S3.采用Zn扩散或者Cd扩散工艺形成PN结。本发明主要针对InAs材料的窄带隙属性，采用倍增层超晶格结构降低暗电流，特别是隧穿暗电流；此外采用与InAs材料相匹配的宽带隙材料对二极管的各个结构进一步优化，从而实现低噪声、高增益、高速，高响应。