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公开(公告)号：CN104990632A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510413840.5
申请日：2015-07-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明属于通信技术领域，公开了一种门控差分单光子探测系统，包括：第一门电路、第一偏置电路、APD、第一放大器、第二门电路、第二偏置电路、可调电容、移相器、第二放大器、减法器、低噪声放大器以及雪崩鉴别电路；第一门电路与APD相连；第一偏置电路与APD相连；第一放大器与APD相连；第二门电路与可调电容相连；第二偏置电路与可调电容相连；移相器与可调电容相连；第二放大器与移相器相连；减法电路分别与第一放大器和第二放大器相连；低噪声放大器的输入端与减法器相连，输出端与雪崩鉴别电路相连；放大差分信号并进行雪崩信号提取，输出雪崩脉冲信号。本发明通过门控反馈控制机制，大大降低了尖峰噪声和后脉冲效应，提升探测频率。
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公开(公告)号：CN103022218B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201210572301.2
申请日：2012-12-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种雪崩光电二极管及其制造方法，特别涉及一种InAs雪崩光电二极管；所述的二极管采用吸收电荷倍增分离结构，其中倍增层采用超晶格结构。本发明还涉及一种制造所述InAs雪崩光电二极管的方法，主要步骤为：S1.产生采用多量子阱超晶格结构的倍增层；S2.产生电荷层，渐变层以及光窗口层；S3.采用Zn扩散或者Cd扩散工艺形成PN结。本发明主要针对InAs材料的窄带隙属性，采用倍增层超晶格结构降低暗电流，特别是隧穿暗电流；此外采用与InAs材料相匹配的宽带隙材料对二极管的各个结构进一步优化，从而实现低噪声、高增益、高速，高响应。
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公开(公告)号：CN103091568B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310021677.9
申请日：2013-01-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R29/26
Abstract: 本发明公开了一种雪崩光电二极管（Avalanche Photo Diode，APD）过剩噪声因子测量系统，涉及半导体光电子器件的测试技术领域。本系统包括：光源、光耦合组件以及检测单元；所述检测单元包括：芯片测试工装夹具、偏置器、数字源表、放大器、噪声功率测试设备；光源通过光耦合组件照射在待测APD样品上，样品APD通过测试探针夹具与偏置器相连，数字源表与偏置器直流端口相连，偏置器交流端口连接放大器输入端，噪声功率测试设备连接放大器输出端。本发明通过同步测量APD噪声功率以及增益，实时，快速，精确的得出APD的过剩噪声因子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104767570A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510135874.2
申请日：2015-03-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04B10/64
Abstract: 本发明属于光通信技术领域，公开了一种偏振无关相干接收机，包括：本振光源，产生线偏本振光；本振光调制单元，将本振光转换成调制本振光；混频器，接收调制本振光和信号光，并进行混频生成混频信号光；光电转换模块，接收混频信号光，转换成中频信号输出；其中，本振光调制单元包括：偏振分束器、相位调制器以及偏振合束器；偏振分束器接收线偏本振光，并将其分成功率相等，偏振态相互垂直的第一线偏光和第二线偏光；相位调制器与偏振分束器相连，接收第一线偏光并调整其相位，产生第三线偏光；第三线偏光与第二线偏光产生调制相位差；偏振合束器，接收第三线偏光和第二线偏光，并将二者合束，产生调制本振光。本发明结构简单，易于控制，成本低廉。
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公开(公告)号：CN103022218A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210572301.2
申请日：2012-12-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种雪崩光电二极管及其制造方法，特别涉及一种InAs雪崩光电二极管；所述的二极管采用吸收电荷倍增分离结构，其中倍增层采用超晶格结构。本发明还涉及一种制造所述InAs雪崩光电二极管的方法，主要步骤为：S1.产生采用多量子阱超晶格结构的倍增层；S2.产生电荷层，渐变层以及光窗口层；S3.采用Zn扩散或者Cd扩散工艺形成PN结。本发明主要针对InAs材料的窄带隙属性，采用倍增层超晶格结构降低暗电流，特别是隧穿暗电流；此外采用与InAs材料相匹配的宽带隙材料对二极管的各个结构进一步优化，从而实现低噪声、高增益、高速，高响应。
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公开(公告)号：CN103091568A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310021677.9
申请日：2013-01-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R29/26
Abstract: 本发明公开了一种雪崩光电二极管（Avalanche Photo Diode，APD）过剩噪声因子测量系统，涉及半导体光电子器件的测试技术领域。本系统包括：光源、光耦合组件以及检测单元；所述检测单元包括：芯片测试工装夹具、偏置器、数字源表、放大器、噪声功率测试设备；光源通过光耦合组件照射在待测APD样品上，样品APD通过测试探针夹具与偏置器相连，数字源表与偏置器直流端口相连，偏置器交流端口连接放大器输入端，噪声功率测试设备连接放大器输出端。本发明通过同步测量APD噪声功率以及增益，实时，快速，精确的得出APD的过剩噪声因子。
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公开(公告)号：CN104767570B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201510135874.2
申请日：2015-03-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04B10/64
Abstract: 本发明属于光通信技术领域，公开了一种偏振无关相干接收机，包括：本振光源，产生线偏本振光；本振光调制单元，将本振光转换成调制本振光；混频器，接收调制本振光和信号光，并进行混频生成混频信号光；光电转换模块，接收混频信号光，转换成中频信号输出；其中，本振光调制单元包括：偏振分束器、相位调制器以及偏振合束器；偏振分束器接收线偏本振光，并将其分成功率相等，偏振态相互垂直的第一线偏光和第二线偏光；相位调制器与偏振分束器相连，接收第一线偏光并调整其相位，产生第三线偏光；第三线偏光与第二线偏光产生调制相位差；偏振合束器，接收第三线偏光和第二线偏光，并将二者合束，产生调制本振光。本发明结构简单，易于控制，成本低廉。
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公开(公告)号：CN105547470A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510897043.9
申请日：2015-12-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01J1/44
CPC classification number: G01J1/44 , G01J2001/442 , G01J2001/4466
Abstract: 本发明属于通信技术领域，公开了一种自淬灭单光子探测系统，包括：混频器、雪崩光电二极管APD，跨阻放大器TIA、取样电阻R以及比较器；雪崩光电二极管APD的负极连接直流偏压VD，正极通过取样电阻R接地；雪崩光电二极管APD的正极与跨阻放大器TIA输入端相连；跨阻放大器TIA信号输出端分别与雪崩光电二极管APD的负极以及比较器相连；其中，待检单光子信号与本振光信号经由混频器混频后输出光信号，光信号发送给雪崩光电二极管APD的光输入端；跨阻放大器TIA的输出信号反馈调节雪崩光电二极管APD两端电压；比较器计数单光子脉冲。本发明提供了一种高效，便捷可靠性高的单光子探测系统。
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