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公开(公告)号：CN118111669A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410255609.7
申请日：2024-03-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01M11/00 , G01R31/00 , G01R19/00 , G11B7/24097
Abstract: 本申请公开了光学头力矩器特性参数的检测方法。该检测方法通过分别向待测光学头力矩器和标准光学头力矩器输入电压激励信号，促使二者分别产生待测聚焦误差信号和标准聚焦误差信号；进而根据两种误差信号的差异，能够计算及确认待测光学头力矩器的聚焦位移范围。该检测方法无需搭建具有多普勒测振仪的检测系统，利用DVD自身的四个探测器即可实现检测，检测成本大幅降低，而且能够实现待测光学头力矩器的在线检测，在各种生产现场和安装现场即可实现检测，检测方式灵活便利。
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公开(公告)号：CN105826341B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201610145847.8
申请日：2016-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种可寻址层析视场的液晶基成像探测芯片。包括面阵电控液晶成像微透镜和面阵光敏探测器，其中，单元电控液晶成像微透镜用于对目标通过物镜形成的压缩光场执行进一步的汇聚式压缩，通过调变加载在所述面阵电控液晶成像微透镜上的信号电压的均方幅值，调变所述单元电控液晶成像微透镜的光汇聚能力，进而调变由物镜和所述单元电控液晶成像微透镜共同确定的目标对焦平面，从而在深度方向上改变能清晰成像的目标图层，执行成像视场在深度方向上的可寻址层析检录。该芯片易与其它功能性光学、光电及电子学结构耦合，易于插入常规成像光路中替换传统光敏成像芯片执行寻址层析视场式的成像探测。
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公开(公告)号：CN105938259B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201610388269.0
申请日：2016-06-02
Applicant: 华中科技大学 , 上海航天控制技术研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种基于金属基平面纳尖簇电极的电调透光率薄膜，其包括：由金属平面纳尖簇线密集排布构成的一层图案化阳极和一层平面金属纳膜阴极/阳极，它们被分别制作在透光的纳米厚度的基膜/光学介质层的两个外表面上；在加电态下，图案化阳极中的金属平面纳尖与金属纳膜阴极/阳极间形成局域弯曲的锐化电场阵，阴极/阳极上可自由移动的电子被阴阳电极间所激励的阵列化纳电场驱控，向各纳电场中电场强度最强部位聚集。本发明基于金属基平面纳尖簇电极的电调透光率薄膜可对宽谱域内的强功率入射波束的光透过率执行电控调变，具有偏振不敏感、驱控灵活及调光响应快的特点。
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公开(公告)号：CN105929567B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201610392288.0
申请日：2016-06-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种双路电控纳线簇电极的电调光透射薄膜，其包括：由纳米尺度间隔的纳线簇高密度排布构成的图案化公共电极以及分布在其上端和下端的顶面阴极和底面金属纳膜阴极，顶面阴极和图案化公共电极均由透光的纳米厚度的同材质膜制成，底面金属纳膜阴极由纳米厚度的金属膜制成；顶面阴极和图案化公共电极以及图案化公共电极与底面金属纳膜阴极间均填充有纳米厚度的同材质光学介质材料。本发明双路电控纳线簇电极的电调光透射薄膜，可对入射光波的透射行为执行精细电控调变，具有适用于宽谱域及较强光束、偏振不敏感、调光响应快的特点。
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公开(公告)号：CN105938260A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610390204.X
申请日：2016-06-02
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/0102
Abstract: 本发明公开了一种基于金属平面微纳线尖簇电极的电调透光率薄膜，其包括：由金属平面微纳线尖有序密集排布构成的一层图案化阴极和一层平面阳极，它们被分别制作在一层纳米厚度的透光基膜/电绝缘膜的上下表面；在加电态下，阴极上可自由移动的电子被阴阳电极间所激励的电场驱控，向金属平面微纳线尖簇其各纳线尖顶聚集，纳线尖金属电连接线上的自由电子分布密度因部分甚至绝大多数电子被纳线尖顶抽走而减少甚至急剧降低。本发明基于金属平面微纳线尖簇电极的电调透光率薄膜可对较宽谱域内的入射波束的光透过率执行电控调变，具有偏振不敏感、驱控灵活以及调光响应快等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105791645A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610147937.0
申请日：2016-03-15
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H04N5/2254 , H04N5/2253 , H04N5/23245
Abstract: 本发明公开了一种电调平面与三维光场双模成像探测芯片。包括电控液晶微光学结构和面阵光敏探测器；在电控液晶微光学结构上加载的信号电压的均方幅值高于某一阈值时，电控液晶微光学结构等效为面阵电控液晶微透镜，双模成像探测芯片呈现三维光场成像模式，在电控液晶微光学结构上加载的信号电压的均方幅值低于所述阈值或不加载信号电压时，电控液晶微光学结构等效为对入射光波具有延迟作用的液晶相移板，双模成像探测芯片被调变或切换为具有高空间分辨率的常规平面成像模式。本发明具有成像模式切换灵活，调光响应快，以及目标的高空间分辨率平面图像与其局域三维形态/姿态特征兼容获取的特点。
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公开(公告)号：CN105759464A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610145778.0
申请日：2016-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/0121
Abstract: 本发明公开了一种电调光反射率薄膜。包括第一光学介质层，依次设置在第一光学介质层上表面的第一阳极、第二光学介质层和第二阳极，以及设置在第一光学介质层下表面的阴极，阴极为匀质导电膜结构，第一阳极和所述第二阳极均由其上布有M×N元阵列分布的纳孔的导电膜构成；通过调变加载在第一阳极和阴极间的第一时序电压信号以及加载在第二阳极和阴极间的第二时序电压信号，调变阴极上的阵列化电子的密度和分布形态，进而调变电调光反射率薄膜的光反射率。本发明能对宽谱入射波束的光反射率执行电控调变，具有动态范围大、偏振不敏感、驱控灵活精细、调光响应快、光反射态可电控切入与调换的特点。
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公开(公告)号：CN105390519A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510884667.7
申请日：2015-12-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/14627
Abstract: 本发明公开了一种复眼与高像质单眼时序电调成像探测芯片，其特征在于，包括液晶微光学结构、面阵可见光探测器和驱控预处理模块；液晶微光学结构在时序加电态下为面阵电控液晶微透镜；面阵可见光探测器被面阵电控液晶微透镜依其阵列规模划分成多个子面阵可见光探测器，每单元电控液晶微透镜与一个子面阵可见光探测器对应，构成电控复眼成像探测模态下的一个成像单眼；液晶微光学结构在时序断电态下为延迟入射波束的液晶相位板，它与面阵可见光探测器构成高像质单眼成像探测模态下的微光学/光电成像结构；在电控复眼成像探测模态下，驱控预处理模块将一个子面阵可见光探测器的各光敏元的光电信号归属到一个单眼的成像探测操作。
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公开(公告)号：CN100547672C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200610124661.0
申请日：2006-09-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种数据编解码的方法，即在数据存储和数据通信环境中进行高码率游长受限编码和解码的方法。在本发明中，定义了一套编/解码规则和方法，包括：对输入数据进行子块分割；测试每个子块的值是否有冲突；根据测试值执行无冲突映射；或由输出数据的标志子块指示有冲突子块的序号，并给出了标志子块的排队规则；剩余输入数据的无冲突子块依次按顺序将内容赋值给空余输出子块；对特殊状态建立了加10的处理方法。根据提出的规则和方法，本发明设计了码率为32/33(d＝0，k＝6)的游长受限码编码方法和解码方法，并进一步结合子块交叉插入技巧设计了码率为128/129(d＝0，k＝14)的游长受限码码字映射方法。本发明提出的方法具有编码效率高、易扩展、易实现的优点。
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公开(公告)号：CN205427366U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201620199696.X
申请日：2016-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本实用新型公开了一种电调光反射率薄膜。包括第一光学介质层，依次设置在第一光学介质层上表面的第一阳极、第二光学介质层和第二阳极，以及设置在第一光学介质层下表面的阴极，阴极为匀质导电膜结构，第一阳极和所述第二阳极均由其上布有M×N元阵列分布的纳孔的导电膜构成；通过调变加载在第一阳极和阴极间的第一时序电压信号以及加载在第二阳极和阴极间的第二时序电压信号，调变阴极上的阵列化电子的密度和分布形态，进而调变电调光反射率薄膜的光反射率。本实用新型能对宽谱入射波束的光反射率执行电控调变，具有动态范围大、偏振不敏感、驱控灵活精细、调光响应快、光反射态可电控切入与调换的特点。
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