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公开(公告)号：CN109038214A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810838038.4
申请日：2018-07-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了一种基于超表面结构的垂直腔面发射激光器，其包括宽带下反射镜、增益介质和基于超表面结构的窄带上反射镜；宽带反射镜反射谱、增益介质发光光谱和超表面反射镜窄带反射波长三者重叠，首先通过泵浦源对增益介质进行激励，再由宽带反射镜和基于超表面结构的窄带反射镜构成垂直谐振腔形成受激辐射光放大，进而实现垂直腔面的激光发射。本发明还公开了一种制作方法，包括：基底材料上宽带反射镜的设计与制备；增益介质的结构设计与外延生长；基于超表结构的窄带反射镜的设计和制备；最终得到基于超表面结构的垂直腔面发射激光器。该垂直腔面发射激光器结构简单紧凑，与现有半导体激光器的加工工艺兼容，制备工艺简单，单纵模且稳定性好。
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公开(公告)号：CN119667978A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411953457.4
申请日：2024-12-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜铌酸锂光波导的宽带光子滤波器，属于集成光电子技术领域。该宽带光子滤波器包括绝热滤波器、多模连接波导、宽带模式转换器，其中绝热滤波器和宽带模式转换器均为非对称定向耦合器结构。绝热滤波器将输入的TE基模波长选择性的转化为高阶TM模，其余TE基模从直通端输出。高阶TM模经多模连接波导进入宽带模式转换器，并全部转换为TE基模，并从交叉端输出。本发明创新性地将常见于模分复用的非对称定向耦合器结构用作光学滤波功能，结构简单。其基于模式绝热演化原理，适合应用于宽带光学滤波操作，且具有易于设计和加工、低损耗等的优点。
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公开(公告)号：CN118465920A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410607084.9
申请日：2024-05-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B6/132 , G02B6/12 , G02B6/122 , G02B6/125 , G02B6/136 , G02B6/14 , G02B6/26 , G02F1/00 , G02F1/035
Abstract: 本发明属于集成光学器件技术领域，公开了一种无定形硅‑厚膜铌酸锂混合集成弯曲转换器及其制备方法，该器件的厚膜铌酸锂层被光刻刻蚀出厚膜铌酸锂端面耦合器、第一和第二厚膜铌酸锂波导；无定形硅层包括第一和第二无定形硅‑铌酸锂楔形波导光学模式转换结构、无定形硅弯曲波导，第一厚膜铌酸锂波导中传输的光信号能够被传输至无定形硅弯曲波导，最后被传输至第二厚膜铌酸锂波导，实现弯曲转换输出。本发明通过在2个厚膜铌酸锂波导之间引入无定形硅功能组件，有效解决了厚膜铌酸锂弯曲波导光学束缚能力弱、波导弯曲半径大的问题。
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公开(公告)号：CN118465919A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410607075.X
申请日：2024-05-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光学调制器领域，公开了一种无定形硅‑铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法，其中的电光调制器件层中的波导层从左至右包括依次连接的薄膜铌酸锂输入波导、第一薄膜铌酸锂光分束结构、两个平行的无定形硅‑铌酸锂混合光波导、第二薄膜铌酸锂光分束结构和薄膜铌酸锂输出波导；电光调制器件层中的金属电极层还包括若干个T结构电极，通过纵臂连接在金属信号电极和金属接地电极朝向无定形硅‑铌酸锂混合光波导的侧面上。本发明通过沉积有无定型硅的薄膜铌酸锂混合波导与基于T形结构金属电极改进的金属电极层适配，将光波信号的群折射率提高进而与微波信号的有效折射率相匹配，使得集成电光调制器具备大带宽低驱动电压的性能。
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公开(公告)号：CN113777706B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110919248.8
申请日：2021-08-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种基于X切铌酸锂薄膜的偏振无关反射式光滤波器，属于集成光器件技术领域。包括：衬底，其材料为硅；埋氧层，其材料为二氧化硅；铌酸锂脊形波导，位于埋氧层之上；周期性二氧化硅包层，覆盖于脊波导之上。本发明在X切铌酸锂薄膜上加工被二氧化硅包层周期性覆盖的布拉格光栅结构，利用铌酸锂的双折射特性实现偏振无关的反射式光滤波器。其中周期性二氧化硅包层制备步骤具有较大的工艺容差，器件制备仅需两次光刻、无需套刻，制备工艺简单。该器件可以与基于薄膜铌酸锂材料的调制器、谐振器等结构单片集成，构成在光信号处理芯片，在微波光子学和光通讯等领域有较好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113777711B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202110890825.5
申请日：2021-08-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器，属于集成光器件技术领域。本发明所述耦合器包括双层倒锥和包层波导；所述双层倒锥包括上层倒锥和下层倒锥；所述下层倒锥材料为二氧化硅和铌酸锂，所述上层倒锥材料为铌酸锂；所述包层波导覆盖于所述双层倒锥上，所述包层波导的材料为氮氧化硅，包层波导的截面呈现出圆顶凸字形。所述下层倒锥延伸至耦合器芯片端面；所述上层倒锥截止于所述下层倒锥的铌酸锂层之上。本发明基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器在不增加额外光刻步骤的情况下，增大耦合器模斑尺寸，提升耦合器耦合效率。
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公开(公告)号：CN114024193A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111255234.7
申请日：2021-10-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01S3/067 , H01S3/00 , H01S3/08 , H01S3/081 , H01S3/0933
Abstract: 本发明涉及一种基于薄膜铌酸锂的高速线性调频外腔激光器，属于外腔激光器领域，本发明提出了一种基于薄膜铌酸锂的高速线性调频外腔激光器，该外腔激光器包括半导体光放大器、窄带反射滤波芯片和输出光纤。半导体光放大器用于光放大；窄带反射滤波芯片基于薄膜铌酸锂材料构建，用于选出具有高边模抑制比的谐振峰；输出光纤用于输出激光。半导体光放大器和窄带反射滤波芯片组成光学谐振腔。本发明中的基于薄膜铌酸锂的高速线性调频外腔激光器不仅可实现高速线性调频激光可控输出，大幅度提高可调谐激光器的波长切换速率，而且结构简单紧凑，制备工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN113777706A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110919248.8
申请日：2021-08-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种基于X切铌酸锂薄膜的偏振无关反射式光滤波器，属于集成光器件技术领域。包括：衬底，其材料为硅；埋氧层，其材料为二氧化硅；铌酸锂脊形波导，位于埋氧层之上；周期性二氧化硅包层，覆盖于脊波导之上。本发明在X切铌酸锂薄膜上加工被二氧化硅包层周期性覆盖的布拉格光栅结构，利用铌酸锂的双折射特性实现偏振无关的反射式光滤波器。其中周期性二氧化硅包层制备步骤具有较大的工艺容差，器件制备仅需两次光刻、无需套刻，制备工艺简单。该器件可以与基于薄膜铌酸锂材料的调制器、谐振器等结构单片集成，构成在光信号处理芯片，在微波光子学和光通讯等领域有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109038214B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201810838038.4
申请日：2018-07-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了一种基于超表面结构的垂直腔面发射激光器，其包括宽带下反射镜、增益介质和基于超表面结构的窄带上反射镜；宽带反射镜反射谱、增益介质发光光谱和超表面反射镜窄带反射波长三者重叠，首先通过泵浦源对增益介质进行激励，再由宽带反射镜和基于超表面结构的窄带反射镜构成垂直谐振腔形成受激辐射光放大，进而实现垂直腔面的激光发射。本发明还公开了一种制作方法，包括：基底材料上宽带反射镜的设计与制备；增益介质的结构设计与外延生长；基于超表结构的窄带反射镜的设计和制备；最终得到基于超表面结构的垂直腔面发射激光器。该垂直腔面发射激光器结构简单紧凑，与现有半导体激光器的加工工艺兼容，制备工艺简单，单纵模且稳定性好。
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公开(公告)号：CN109088307B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201810837254.7
申请日：2018-07-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01S5/14
Abstract: 本发明公开了一种基于超表面窄带反射镜的窄线宽外腔激光器，属于激光器领域，包括增益物质、准直组件和超表面窄带反射镜，其中，超表面窄带反射镜的表面为亚波长周期性结构的超表面，该超表面仅对目标波长进行反射、对非目标波长进行透射，减小谐振的带宽，实现窄带滤波；由增益物质发射的信号光经过准直组件变为平行光垂直入射至超表面上；由超表面和增益物质的另一端外侧增反膜构成仅对目标波长光谐振放大的谐振腔，选择激光波长的同时对其不断震荡放大，最终形成激射，激射光透过超表面输出。本发明的外腔激光器具有波长稳定性好、边模抑制比高、线宽窄、调节容差大、制作工艺简单的优点。
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