公开(公告)号：CN118330810A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410441466.9

申请日：2024-04-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾成 ,  陈耕 ,  夏金松 ,  尚成林 ,  李炽均

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/126 ,  G02B6/136 ,  G02B6/10 ,  G02B27/10 ,  G02B27/28 ,  G02F1/035 ,  G02F1/01

Abstract: 本发明属于集成光器件领域，公开了一种铌酸锂平台的偏振分束器，该偏振分束器自下而上依次包括：衬底层、下包层、波导层和上包层；波导层包括直行多模波导，连接在多模波导入射端的两个入射光波导，以及连接在多模波导出射端的两个出射光波导；其中，两个入射光波导分别基于多模波导的两侧倾斜布置，两个出射光波导分别基于多模波导的两侧倾斜布置，且两个入射光波导和两个出射光波导基于多模波导延长线均各自独立呈5‑10°倾角。本发明设计倾斜出入射波导，极大减小了多模干涉区域的宽度，多模干涉区的长度与其宽度的平方成正比，使得本发明的器件尺寸为传统器件的几十分之一，利于实现薄膜铌酸锂材料平台偏振分束器的高集成化和小型化。

公开(公告)号：CN118465919A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410607075.X

申请日：2024-05-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾成 ,  李炽均 ,  夏金松 ,  尚成林

IPC: G02B6/132 ,  G02B6/136 ,  G02B6/12 ,  G02B6/125 ,  G02F1/035

Abstract: 本发明属于光学调制器领域，公开了一种无定形硅‑铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法，其中的电光调制器件层中的波导层从左至右包括依次连接的薄膜铌酸锂输入波导、第一薄膜铌酸锂光分束结构、两个平行的无定形硅‑铌酸锂混合光波导、第二薄膜铌酸锂光分束结构和薄膜铌酸锂输出波导；电光调制器件层中的金属电极层还包括若干个T结构电极，通过纵臂连接在金属信号电极和金属接地电极朝向无定形硅‑铌酸锂混合光波导的侧面上。本发明通过沉积有无定型硅的薄膜铌酸锂混合波导与基于T形结构金属电极改进的金属电极层适配，将光波信号的群折射率提高进而与微波信号的有效折射率相匹配，使得集成电光调制器具备大带宽低驱动电压的性能。