公开(公告)号：CN118330810A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410441466.9

申请日：2024-04-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾成 ,  陈耕 ,  夏金松 ,  尚成林 ,  李炽均

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/126 ,  G02B6/136 ,  G02B6/10 ,  G02B27/10 ,  G02B27/28 ,  G02F1/035 ,  G02F1/01

Abstract: 本发明属于集成光器件领域，公开了一种铌酸锂平台的偏振分束器，该偏振分束器自下而上依次包括：衬底层、下包层、波导层和上包层；波导层包括直行多模波导，连接在多模波导入射端的两个入射光波导，以及连接在多模波导出射端的两个出射光波导；其中，两个入射光波导分别基于多模波导的两侧倾斜布置，两个出射光波导分别基于多模波导的两侧倾斜布置，且两个入射光波导和两个出射光波导基于多模波导延长线均各自独立呈5‑10°倾角。本发明设计倾斜出入射波导，极大减小了多模干涉区域的宽度，多模干涉区的长度与其宽度的平方成正比，使得本发明的器件尺寸为传统器件的几十分之一，利于实现薄膜铌酸锂材料平台偏振分束器的高集成化和小型化。

公开(公告)号：CN118915228A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410929159.5

申请日：2024-07-11

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾成 ,  莫振武 ,  夏金松 ,  李炽均

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/124 ,  G02B6/125 ,  G02B6/14

Abstract: 本发明属于集成光电子技术领域，公开了一种基于周期性相移光栅的薄膜铌酸锂滤波器及相应的膜厚自适应方法，该器件的铌酸锂薄膜层包括总线连接波导、模式转换器、过渡波导、周期性相移光栅反射器、直通过渡波导、直通连接波导和分支波导；周期性相移光栅反射器由矩形波导以及位于两侧的具有不等宽度的矩形光栅齿突起和矩形光栅齿槽凹陷构成；分布在矩形波导任意一侧的光栅齿每相隔距离L，对应的光栅齿其宽度将发生变化，其它光栅齿的宽度保持不变，由此形成相移。本发明通过对滤波器的细节结构进行改进，能够有效解决电子束曝光设备分辨率受限的情况下，光栅中心反射波长难以精细调控以及窄通道间距波分复用器实际制作难度大的技术问题。

公开(公告)号：CN118795602A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202411160068.6

申请日：2024-08-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 夏金松 ,  李炽均 ,  曾成

IPC: G02B6/126 ,  G02B6/125 ,  G02B6/14 ,  G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  G02B6/132 ,  G02B6/136 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜铌酸锂的紧凑型宽带偏振旋转分束器及制备方法，属于集成光学器件技术领域，该器件包括自下而上依次布置的衬底层、埋氧层、薄膜铌酸锂层和介质膜材料层；其中，衬底层、埋氧层和介质膜材料层用于保护薄膜铌酸锂层；薄膜铌酸锂层中包含有模斑转换器、模式演化器、宽度渐变锥形波导及第一弯曲波导和第二弯曲波导。模斑转换器、模式演化器、宽度渐变锥形波导及第一弯曲波导和第二弯曲波导顺序依次连接。本发明在薄膜铌酸锂片上实现偏振旋转分束功能，有助于实现偏振分复用技术，具有尺寸小、光学带宽大、消光比大及易集成的优点。

公开(公告)号：CN118465920A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410607084.9

申请日：2024-05-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾成 ,  李炽均 ,  夏金松 ,  瞿智成

IPC: G02B6/132 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/125 ,  G02B6/136 ,  G02B6/14 ,  G02B6/26 ,  G02F1/00 ,  G02F1/035

Abstract: 本发明属于集成光学器件技术领域，公开了一种无定形硅‑厚膜铌酸锂混合集成弯曲转换器及其制备方法，该器件的厚膜铌酸锂层被光刻刻蚀出厚膜铌酸锂端面耦合器、第一和第二厚膜铌酸锂波导；无定形硅层包括第一和第二无定形硅‑铌酸锂楔形波导光学模式转换结构、无定形硅弯曲波导，第一厚膜铌酸锂波导中传输的光信号能够被传输至无定形硅弯曲波导，最后被传输至第二厚膜铌酸锂波导，实现弯曲转换输出。本发明通过在2个厚膜铌酸锂波导之间引入无定形硅功能组件，有效解决了厚膜铌酸锂弯曲波导光学束缚能力弱、波导弯曲半径大的问题。

公开(公告)号：CN118465919A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410607075.X

申请日：2024-05-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾成 ,  李炽均 ,  夏金松 ,  尚成林

IPC: G02B6/132 ,  G02B6/136 ,  G02B6/12 ,  G02B6/125 ,  G02F1/035

Abstract: 本发明属于光学调制器领域，公开了一种无定形硅‑铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法，其中的电光调制器件层中的波导层从左至右包括依次连接的薄膜铌酸锂输入波导、第一薄膜铌酸锂光分束结构、两个平行的无定形硅‑铌酸锂混合光波导、第二薄膜铌酸锂光分束结构和薄膜铌酸锂输出波导；电光调制器件层中的金属电极层还包括若干个T结构电极，通过纵臂连接在金属信号电极和金属接地电极朝向无定形硅‑铌酸锂混合光波导的侧面上。本发明通过沉积有无定型硅的薄膜铌酸锂混合波导与基于T形结构金属电极改进的金属电极层适配，将光波信号的群折射率提高进而与微波信号的有效折射率相匹配，使得集成电光调制器具备大带宽低驱动电压的性能。