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公开(公告)号：CN113777711A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110890825.5
申请日：2021-08-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器，属于集成光器件技术领域。本发明所述耦合器包括双层倒锥和包层波导；所述双层倒锥包括上层倒锥和下层倒锥；所述下层倒锥材料为二氧化硅和铌酸锂，所述上层倒锥材料为铌酸锂；所述包层波导覆盖于所述双层倒锥上，所述包层波导的材料为氮氧化硅，包层波导的截面呈现出圆顶凸字形。所述下层倒锥延伸至耦合器芯片端面；所述上层倒锥截止于所述下层倒锥的铌酸锂层之上。本发明基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器在不增加额外光刻步骤的情况下，增大耦合器模斑尺寸，提升耦合器耦合效率。
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公开(公告)号：CN113777706B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110919248.8
申请日：2021-08-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种基于X切铌酸锂薄膜的偏振无关反射式光滤波器，属于集成光器件技术领域。包括：衬底，其材料为硅；埋氧层，其材料为二氧化硅；铌酸锂脊形波导，位于埋氧层之上；周期性二氧化硅包层，覆盖于脊波导之上。本发明在X切铌酸锂薄膜上加工被二氧化硅包层周期性覆盖的布拉格光栅结构，利用铌酸锂的双折射特性实现偏振无关的反射式光滤波器。其中周期性二氧化硅包层制备步骤具有较大的工艺容差，器件制备仅需两次光刻、无需套刻，制备工艺简单。该器件可以与基于薄膜铌酸锂材料的调制器、谐振器等结构单片集成，构成在光信号处理芯片，在微波光子学和光通讯等领域有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113777711B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202110890825.5
申请日：2021-08-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器，属于集成光器件技术领域。本发明所述耦合器包括双层倒锥和包层波导；所述双层倒锥包括上层倒锥和下层倒锥；所述下层倒锥材料为二氧化硅和铌酸锂，所述上层倒锥材料为铌酸锂；所述包层波导覆盖于所述双层倒锥上，所述包层波导的材料为氮氧化硅，包层波导的截面呈现出圆顶凸字形。所述下层倒锥延伸至耦合器芯片端面；所述上层倒锥截止于所述下层倒锥的铌酸锂层之上。本发明基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器在不增加额外光刻步骤的情况下，增大耦合器模斑尺寸，提升耦合器耦合效率。
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公开(公告)号：CN113777706A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110919248.8
申请日：2021-08-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种基于X切铌酸锂薄膜的偏振无关反射式光滤波器，属于集成光器件技术领域。包括：衬底，其材料为硅；埋氧层，其材料为二氧化硅；铌酸锂脊形波导，位于埋氧层之上；周期性二氧化硅包层，覆盖于脊波导之上。本发明在X切铌酸锂薄膜上加工被二氧化硅包层周期性覆盖的布拉格光栅结构，利用铌酸锂的双折射特性实现偏振无关的反射式光滤波器。其中周期性二氧化硅包层制备步骤具有较大的工艺容差，器件制备仅需两次光刻、无需套刻，制备工艺简单。该器件可以与基于薄膜铌酸锂材料的调制器、谐振器等结构单片集成，构成在光信号处理芯片，在微波光子学和光通讯等领域有较好的应用前景。
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